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Produktdetails:
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| Vorbildliches Number:: | AP4434AGYT-HF | Art:: | LOGIK ICS |
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| Markenname:: | Ursprüngliche Marke | Paket:: | DIP/SMD |
| Bedingung:: | Neu 100% AP4434AGYT-HF | Medien verfügbar:: | Datenblatt |
| Markieren: | Dioden-Schalttransistor 3.13W IGBT,Dioden-Schalttransistor 40A IGBT,AP4434AGYT-HF MOSFET IGBT |
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AP4434AGYT-HF PMPAK (ursprüngliche bricht MOSFET/IGBT/Diode Schaltung YT/Transistor IC ab
Beschreibung
AP4434A-Reihen sind von moderner Energie erneuerten Entwurf und SilikonVerfahrenstechnik, den niedrigsten möglichen Aufwiderstand und die schnelle zugeschaltete Leistung zu erzielen. Es versieht den Designer mit einem extremen leistungsfähigen Gerät für Gebrauch in einer breiten Palette von Energieanwendungen.
Das Paket PMPAK® 3x3 ist für Spannungsumwandlungsanwendung unter Verwendung der Standardinfrarotrückfluttechnik mit dem Rückseitenkühlkörper speziell, die gute thermische Leistung zu erzielen.
Absolute Maximalleistungen
| Symbol | Parameter | Bewertung | Einheiten |
| VDS | Abfluss-Quellspannung | 20 | V |
| VGS | Tor-Quellspannung | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Ununterbrochener Abfluss-Strom3, VGS @ 4.5V | 10,8 | |
| ID@TA =70℃ | Ununterbrochener Abfluss-Strom3, VGS @ 4.5V | 8,6 | |
| IDM | Pulsierter Abfluss-Strom1 | 40 | |
| PD@TA =25℃ | Gesamtleistungs-Ableitung3 | 3,13 | W |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -55 bis 150 | ℃ |
hermal Daten
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit |
| Rthj-c | Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-Fall | 4 | ℃/W |
| Rthj-a | Maximaler thermischer Widerstand, Kreuzung-umgebende3 | 40 | ℃/W |
AP4434AGYT-H
Elektrisches Characteristics@Tj =25oC (wenn nicht anders angegeben)
| Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
| BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS =0V, IDENTIFIKATION =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (AN) | Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand2 | VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =7A | - | - | 18 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFIKATION =4A | - | - | 25 | mΩ | ||
| VGS =1.8V, IDENTIFIKATION =1A | - | - | 34 | mΩ | ||
| VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA | 0,25 | - | 1 | V |
| gfs | Vorwärtstransconductance | VDS =10V, IDENTIFIKATION =7A | - | 29 | - | S |
| IDSS | Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | MA |
| IGSS | Tor-Quelldurchsickern | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | Na |
| Qg | Gesamttor-Gebühr |
IDENTIFIKATION =7A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 12,5 | 20 | nC |
| Qgs | Tor-Quellgebühr | - | 1,5 | - | nC | |
| Qgd | Gebühr des Tor-Abfluss-(„Miller“) | - | 4,5 | - | nC | |
| TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit |
VDS =10V IDENTIFIKATION =1A RG =3.3Ω VGS =5V |
- | 10 | - | ns |
| tr | Anstiegszeit | - | 10 | - | ns | |
| TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | - | 24 | - | ns | |
| tf | Abfallzeit | - | 8 | - | ns | |
| Ciss | Eingegebene Kapazitanz |
VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz |
- | 800 | 1280 | PF |
| Coss | Ausgangskapazität | - | 165 | - | PF | |
| Crss | Rückübergangskapazitanz | - | 145 | - | PF | |
| Rg | Tor-Widerstand | f=1.0MHz | - | 1,5 | 3 | Ω |
Quelle-Abfluss-Diode
| Symbol | Parameter | Testbedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheiten |
| VSD | Schicken Sie auf Spannung2 nach | IST =2.6A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Rückgenesungszeit |
IST =7A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 20 | - | ns |
| Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | - | 10 | - | nC |
Anmerkungen:
Breite 1.Pulse begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.
Test 2.Pulse
3.Surface brachte an 1 in Auflage des Kupfers2 2oz FR4 des Brettes, t<> 10sec an; 210oC/W, wenn Sie an der min. kupfernen Auflage angebracht werden.
Ansprechpartner: David
