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Niedriges Vorwärtsspannung PD 150mw der Hochgeschwindigkeitsschaltdiode-1SS184

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Niedriges Vorwärtsspannung PD 150mw der Hochgeschwindigkeitsschaltdiode-1SS184

Niedriges Vorwärtsspannung PD 150mw der Hochgeschwindigkeitsschaltdiode-1SS184
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Großes Bild :  Niedriges Vorwärtsspannung PD 150mw der Hochgeschwindigkeitsschaltdiode-1SS184

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 1SS184
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Niedriges Vorwärtsspannung PD 150mw der Hochgeschwindigkeitsschaltdiode-1SS184

Beschreibung
Produkt Identifikation: Produkt Identifikation Merkmal: Niedrige Vorwärtsspannung
Typ: Schaltdiode PD: 150mW
RθJA: 833℃/W TJ: 150 ° C
Markieren:

Doppel-Reihenschaltdiode

,

Doppelzenerdiode

Schaltdiode 1SS184

 

EIGENSCHAFTEN

  •  Niedrige Vorwärtsspannung

  • Schnelle Rückgenesungszeit

 

Niedriges Vorwärtsspannung PD 150mw der Hochgeschwindigkeitsschaltdiode-1SS184 0Niedriges Vorwärtsspannung PD 150mw der Hochgeschwindigkeitsschaltdiode-1SS184 1Fester Punkt = Grün, das Verbundgerät, wenn keines, das normale Gerät formt.

 

Maximalleistungen @Ta=25℃

 

Parameter Symbol Grenze Einheit
Nichtfortlaufende Höchstsperrspannung VRM 85 V
Blockierspannung DCs VR 80 V
Vorderer stationärer Gleichstrom IFM 300 MA
Durchschnitt korrigierte Ausgangsstrom IO 100 MA
Nichtfortlaufende Höchstvorwärtsüberspannung @t=8.3ms IFSM 2,0 A
Verlustleistung PD 150 mW
Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem RθJA 833 ℃/W
Grenzschichttemperatur TJ 150
Lagertemperaturbereich TSTG -55~+150

Elektrische Eigenschaften @Ta=25℃

 

Parameter Symbol Minute Art Maximal Einheit Bedingungen
Rückdurchbruchsspannung V (BR) 80     V IR=100μA

 

Vorwärtsspannung

VF1   0,60   V IF=1mA
VF2   0,72   V IF=10mA
VF3   0,9 1,2 V IF=100mA

 

Rückstrom

IR1     0,1 MA VR=30V
IR2     0,5 MA VR=80V
Kapazitanz zwischen Anschlüssen CT   0,9 3,0 PF VR=0, f=1MHz
Rückgenesungszeit t-Eisenbahn   1,6 4,0 ns IF=IR=10mA, Irr=0.1×IR

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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