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Produktdetails:
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| Typ: | Halbleiter-Triode | Energie Mosfet-Transistor: | Plastik TO-126 eingekapselt |
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| Produkt Identifikation: | TIP122 TIP127 | Merkmal: | Hohe Gleichstromverstärkung |
| Kollektorverlustleistung: | 1.25W | Grenzschichttemperatur: | 150 ° C |
| Markieren: | Triode der elektronischen Bauelemente,Halbleiterschalter |
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TO-126 Plastik-kapseln Transistoren ein
Transistor TIP122 Darlington (NPN)
Transistor TIP127 Darlington (PNP)
1. EMITTER
2. KOLLEKTOR
3. BASIS
MARKIERUNG
TIP122, TIP127=Device-Code
Fester Punkt = Grün, das Verbundgerät, wenn keines, das normale Gerät XX=Code formt
Ersatzschaltbild
EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN
| Teilnummer | Paket | Verpackungs-Methode | Satz-Quantität |
| TIP122 | TO-126 | Masse | 200pcs/Bag |
| TIP127 | TO-126 | Masse | 200pcs/Bag |
| TIP122-TU | TO-126 | Rohr | 60pcs/Tube |
| TIP127-TU | TO-126 | Rohr | 60pcs/Tube |
| Symbol | Parameter | TIP122 | TIP127 | Einheit |
| VCBO | Kollektor-Basis-Spannung | 100 | -100 | V |
| VCEO | Kollektor-Emitter-Spannung | 100 | -100 | V |
| VEBO | Emitter-Basis-Spannung | 5 | -5 | V |
| IC | Kollektorstrom - ununterbrochen | 5 | -5 | A |
| PC * | Kollektor-Verlustleistung | 1,25 | W | |
| RθJA | Thermischer Widerstand-Kreuzung zu umgebendem | 100 | ℃/W | |
| RθJc | Des inneren Wärmewiderstands | 8,33 | ℃/W | |
| TJ | Grenzschichttemperatur | 150 | ℃ | |
| Tstg | Lagertemperatur | -55~+150 | ℃ | |
Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben
| TIP122 NPN | |||||
| Parameter | Symbol | Testbedingungen | Minute | Maximal | Einheit |
| Kollektor-Basis Durchbruchsspannung | V (BR) CBO | IC=1mA, D.H. =0 | 100 | V | |
| Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung | VCEO (SUS) | IC=30mA, IB=0 | 100 | V | |
| Kollektorsperrstrom | ICBO | VCB=100V, D.H. =0 | 0,2 | MA | |
| Kollektorsperrstrom | ICEO | VCE=50 V, IB=0 | 0,5 | MA | |
| Emittersperrstrom | IEBO | VEB=5 V, IC=0 | 2 | MA | |
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Gleichstromverstärkung |
hFE (1) | VCE= 3V, IC=0.5A | 1000 | ||
| hFE (2) | VCE= 3V, IC=3 A | 1000 | 12000 | ||
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Kollektor-Emitter Sättigungsspannung |
VCER (gesessen) |
IC=3A, IB=12mA | 2 |
V |
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| IC=5 A, IB=20mA | 4 | ||||
| Grundsenderspannung | VBE | VCE=3V, IC=3 A | 2,5 | V | |
| Ausgangskapazität | Pfeiler | VCB=10V, D.H. =0, f=0.1MHz | 200 | PF | |
| TIP127 PNP | |||||
| Parameter | Symbol | Testbedingungen | Minute | Maximal | Einheit |
| Kollektor-Basis Durchbruchsspannung | V (BR) CBO | IC=-1mA, D.H. =0 | -100 | V | |
| Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung | VCEO (SUS) | IC=-30mA, IB=0 | -100 | V | |
| Kollektorsperrstrom | ICBO | VCB=-100V, D.H. =0 | -0,2 | MA | |
| Kollektorsperrstrom | ICEO | VCE=-50 V, IB=0 | -0,5 | MA | |
| Emittersperrstrom | IEBO | VEB=-5 V, IC=0 | -2 | MA | |
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Gleichstromverstärkung |
hFE (1) | VCE=-3V, IC=-0.5A | 1000 | ||
| hFE (2) | VCE=-3V, IC=-3A | 1000 | 12000 | ||
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Kollektor-Emitter Sättigungsspannung |
VCER (gesessen) |
IC=-3A, IB=-12mA | -2 |
V |
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| IC=-5 A, IB=-20mA | -4 | ||||
| Grundsenderspannung | VBE | VCE=-3V, IC=-3 A | -2,5 | V | |
| Ausgangskapazität | Pfeiler | VCB=-10V, D.H. =0, f=0.1MHz | 300 | PF | |
* dieser Test wird ohne Kühlkörper an Ta=25℃ durchgeführt.
Entwurfs-Maße des Paket-TO-126
| Symbol | Maße in den Millimeter | Maße in den Zoll | ||
| Minute | Maximal | Minute | Maximal | |
| A | 2,500 | 2,900 | 0,098 | 0,114 |
| A1 | 1,100 | 1,500 | 0,043 | 0,059 |
| b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
| b1 | 1,170 | 1,370 | 0,046 | 0,054 |
| c | 0,450 | 0,600 | 0,018 | 0,024 |
| D | 7,400 | 7,800 | 0,291 | 0,307 |
| E | 10,600 | 11,000 | 0,417 | 0,433 |
| e | 2,290 ART | 0,090 ART | ||
| e1 | 4,480 | 4,680 | 0,176 | 0,184 |
| h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
| L | 15,300 | 15,700 | 0,602 | 0,618 |
| L1 | 2,100 | 2,300 | 0,083 | 0,091 |
| P | 3,900 | 4,100 | 0,154 | 0,161 |
| Φ | 3,000 | 3,200 | 0,118 | 0,126 |
Ansprechpartner: David
