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TIP32-/32A/32B/32Chochfrequenzhalbleiter-Trioden-Kollektor-Verlustleistung 2W

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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TIP32-/32A/32B/32Chochfrequenzhalbleiter-Trioden-Kollektor-Verlustleistung 2W

TIP32-/32A/32B/32Chochfrequenzhalbleiter-Trioden-Kollektor-Verlustleistung 2W
TIP32-/32A/32B/32Chochfrequenzhalbleiter-Trioden-Kollektor-Verlustleistung 2W TIP32-/32A/32B/32Chochfrequenzhalbleiter-Trioden-Kollektor-Verlustleistung 2W TIP32-/32A/32B/32Chochfrequenzhalbleiter-Trioden-Kollektor-Verlustleistung 2W

Großes Bild :  TIP32-/32A/32B/32Chochfrequenzhalbleiter-Trioden-Kollektor-Verlustleistung 2W

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: TIP32/32A/32B/32C
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

TIP32-/32A/32B/32Chochfrequenzhalbleiter-Trioden-Kollektor-Verlustleistung 2W

Beschreibung
Produkt Identifikation: TIP32/32A/32B/32C Kollektorverlustleistung: 2w
Typ: Halbleiter-Triode Merkmal: High Frequency
Markieren:

universelle Triode

,

Halbleiterschalter

TO-220-3L Plastik-kapseln Transistoren ein

 

 

TIP32/32A/32B/32C

 

 

EIGENSCHAFT
 
Mittlere Energie-lineare Schaltungs-Anwendungen
 
 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta =25℃ wenn nicht anders vermerkt)

Symbol Parameter TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 40 60 80 100 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 40 60 80 100 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 5 V
IC Kollektorstrom 3 A
PC Kollektor-Verlustleistung 2 W
RθJA Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem 62,5  
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~+150

 

 

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta =25℃, es sei denn, dass andere kluge spezifiziert)

Parameter Symbol Testbedingungen Minute M-Axt Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C

 

 

V (BR) CBO

 

 

IC= 1mA, D.H. =0

40

60

80

100

 

 

 

V

Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung * TIP31 TIP31A TIP31B TIP31C

 

 

VCEO (Sus)

 

 

IC= 30mA, IB=0

40

60

80

100

 

 

 

V

Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 1mA, IC=0 5   V
Kollektorsperrstrom

TIP31 TIP31A TIP31B

TIP31C

 

 

ICBO

VCB=40V, D.H. =0 VCB=60V, D.H. =0 VCB=80V, D.H. =0 VCB=100V, D.H. =0  

 

 

200

 

 

μA

Kollektorsperrstrom TIP31/31A TIP31B/31C ICEO VCE= 30V, IB= 0 VCE= 60V, IB= 0  

 

0,3

 

MA

Emittersperrstrom IEBO VEB=5V, IC=0   1 MA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE= 4V, IC= 1A 25    
hFE (2) VCE=4 V, IC= 3A 15 75  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=3A, IB=0.375A   1,2 V
Grundsenderspannung VBE (an) VCE= 4V, IC=3A   1,8 V
Übergangsfrequenz fT VCE=10V, IC=0.5A 3   MHZ

 

 

* Impuls-Test: PW≤300µs, Aufgabe Cycle≤2%.

 

 

 

Typische Eigenschaften TIP31/31A/31B/31C

 

TIP32-/32A/32B/32Chochfrequenzhalbleiter-Trioden-Kollektor-Verlustleistung 2W 0

 

 

 

TIP32-/32A/32B/32Chochfrequenzhalbleiter-Trioden-Kollektor-Verlustleistung 2W 1

TIP32-/32A/32B/32Chochfrequenzhalbleiter-Trioden-Kollektor-Verlustleistung 2W 2

 

 

 

Entwurfs-Maße des Paket-TO-126

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 4,470 4,670 0,176 0,184
A1 2,520 2,820 0,099 0,111
b 0,710 0,910 0,028 0,036
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,310 0,530 0,012 0,021
c1 1,170 1,370 0,046 0,054
D 10,010 10,310 0,394 0,406
E 8,500 8,900 0,335 0,350
E1 12,060 12,460 0,475 0,491
e 2,540 ART 0,100 ART
e1 4,980 5,180 0,196 0,204
F 2,590 2,890 0,102 0,114
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 13,400 13,800 0,528 0,543
L1 3,560 3,960 0,140 0,156
Φ 3,735 3,935 0,147 0,155

 

 

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