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Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung TIP41/41A/41B/41C NPN

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung TIP41/41A/41B/41C NPN

Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung TIP41/41A/41B/41C NPN
Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung TIP41/41A/41B/41C NPN

Großes Bild :  Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung TIP41/41A/41B/41C NPN

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: TIP41/41A/41B/41C
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung TIP41/41A/41B/41C NPN

Beschreibung
Produkt Identifikation: TIP41/41A/41B/41C Typ: Halbleiter-Triode
Energie Mosfet-Transistor: TO-220-3L Plastik eingekapselt Merkmal: Mittlere Energie-lineare Schaltungs-Anwendungen
Kollektorverlustleistung: 2w Emitter-Basis Spannung: 5V
Markieren:

Triode der elektronischen Bauelemente

,

Halbleiterschalter

TO-220-3L Plastik-kapseln Transistoren ein

 

TIP41-/41A/41B/41Ctransistor (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT
 
Mittlere Energie-lineare Schaltungs-Anwendungen
 
 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta =25℃ wenn nicht anders vermerkt)

Symbol Parameter TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 40 60 80 100 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 40 60 80 100 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 5 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 6 A
PC Kollektor-Verlustleistung 2 W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperaturbereich -55~+150

 

 

 

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Maximal Einheit

Kollektor-Basis Durchbruchsspannung TIP41

TIP4 1A

TIP41B TIP41C

 

 

V (BR) CBO

 

 

IC= 1mA, D.H. =0

40

60

80

100

 

 

 

V

Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung TIP41

TIP41A

TIP41B TIP41C

 

 

VCEO (Sus)

 

 

IC= 30mA, IB=0

40

60

80

100

 

 

 

V

Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 1mA, IC=0 5   V

Kollektorsperrstrom TIP41 TIP4 1A TIP41B

TIP41C

 

 

ICBO

VCB=40V, D.H. =0 VCB=60V, D.H. =0 VCB=80V, D.H. =0 VCB=100V, D.H. =0

 

0,4

 

 

MA

 

Kollektorsperrstrom TIP41/41A TIP41B/41C

 

ICEO

VCE= 30V, IB= 0 VCE= 60V, IB= 0

 

0,7

 

 

MA

Emittersperrstrom IEBO VEB=5V, IC=0   1 MA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE= 4V, IC= 0.3A 30    
  hFE (2) VCE=4 V, IC= 3A 15 75  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=6A, IB=0.6A   1,5 V
Grundsenderspannung VBE (an) VCE= 4V, IC=6A   2 V

 

Übergangsfrequenz

 

fT

VCE=10V, IC=0.5A

f =1MHz

 

3

 

 

MHZ

 

 

 

Typisches Characterisitics

 

TIP41/41A/41B/41C

 

Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung TIP41/41A/41B/41C NPN 0

Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung TIP41/41A/41B/41C NPN 1

Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung TIP41/41A/41B/41C NPN 2

Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung TIP41/41A/41B/41C NPN 3

 

 


 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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