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Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand

Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand
Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand

Großes Bild :  Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: FMMT491
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand

Beschreibung
Typ: Silikon-Leistungstransistor Merkmal: Niedriger gleichwertiger Aufwiderstand
Kollektor-Emitter-Spannung: 60V Lagertemperatur: -55~+150℃
Kollektorverlustleistung: 250mW Höchstimpuls-Strom: 2A
Markieren:

Hochfrequenztransistor

,

Energie mosfet-Transistoren

SOT-23 Plastik-kapseln Transistoren FMMT491 TRANSISTOR ein (NPN)
 
 

EIGENSCHAFT
 

Niedriger gleichwertiger Aufwiderstand

 

Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand 0

Markierung: 491

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
 

SymbolParameterWertEinheit
VCBOKollektor-Basis-Spannung80V
VCEOKollektor-Emitter-Spannung60V
VEBOEmitter-Basis-Spannung5V
ICKollektorstrom1A
ICMHöchstimpuls-Strom2A
PCKollektor-Verlustleistung250mW
RΘJAThermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem500℃/W
TjGrenzschichttemperatur150
TstgLagertemperatur-55~+150

 
 
 
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)
 

ParameterSymbolTestbedingungenMinuteArtMaximalEinheit
Kollektor-Basis DurchbruchsspannungV (BR) CBOIC=100μA, D.H. =080  V
Kollektor-Emitter DurchbruchsspannungCEO V (BR)1IC=10mA, IB=060  V
Emitter-BasisDurchbruchsspannungV (BR) EBOD.H. =100ΜA, IC=05  V
KollektorsperrstromICBOVCB=60V, D.H. =0  0,1μA
EmittersperrstromIEBOVEB=4V, IC=0  0,1μA

 
 
 

Gleichstromverstärkung

hFE (1)VCE=5V, IC=1mA100   
 hFE (2) 1VCE=5V, IC=500mA100 300 
 hFE (3) 1VCE=5V, IC=1A80   
 hFE (4) 1VCE=5V, IC=2A30   

 

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCE (gesessen) 1 1IC=500mA, IB=50mA  0,25V
 VCE (gesessen) 2 1IC=1A, IB=100mA  0,5V
GrundsendersättigungsspannungVBE (gesessen) 1IC=1A, IB=100mA  1,1V
Grundsenderspannung

1

VBE

VCE=5V, IC=1A  1V
ÜbergangsfrequenzfTVCE=10V, IC=50mA, f=100MHz150  MHZ
KollektorAusgangskapazitätPfeilerVCB=10V, f=1MHz  10PF

 
 
 

Gemessen unter pulsierten Bedingungen, Impuls width=300μs, Aufgabe cycle≤2%.
 
 
 
Typisches Characterisitics  
 
 
Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand 1
Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand 2
Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand 3
Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand 4
 
 
 
 
 
 
 Paket-Entwurfs-Maße
 

SymbolMaße in den MillimeterMaße in den Zoll
 MinuteMaximalMinuteMaximal
A0,9001,1500,0350,045
A10,0000,1000,0000,004
A20,9001,0500,0350,041
b0,3000,5000,0120,020
c0,0800,1500,0030,006
D2,8003,0000,1100,118
E1,2001,4000,0470,055
E12,2502,5500,0890,100
e0,950 ART0,037 ART
e11,8002,0000,0710,079
L0,550 HINWEIS0,022 HINWEIS
L10,3000,5000,0120,020
θ

 
 
Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand 5
Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand 6
Hochspannungs-NPN Leistungstransistor-niedrig Äquivalent FMMT491 auf Widerstand 7
 
 
 
 

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