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Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung MMBT4403 NPN 

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung MMBT4403 NPN 

Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung MMBT4403 NPN 
Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung MMBT4403 NPN 

Großes Bild :  Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung MMBT4403 NPN 

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: MMBT4403
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung MMBT4403 NPN 

Beschreibung
Merkmal: Niedriges Durchsickern Energie Mosfet-Transistor: SOT-23 Plastik-kapseln Transistoren ein
Produkt Identifikation: MMBT4403 Typ: SCHALTUNG DIODESOD
Markieren:

Hochfrequenztransistor

,

Energie mosfet-Transistoren

SOT-23 Plastik-kapseln Transistoren MMBT4403 TRANSISTOR ein (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT
 

 Schalttransistor

Markierung: 2T

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung -40 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung -40 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung -5 V
IC Kollektorstrom -600 MA
PC Kollektor-Verlustleistung 300 mW
RΘJA Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem 417 ℃/W
Tj Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~+150

 
 
 
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)

 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=-100μA, D.H. =0 -40     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC=-1mA, IB=0 -40     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. =-100ΜA, IC=0 -5     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=-35V, D.H. =0     -0,1 μA
Kollektorsperrstrom ICEX VCE=-35V, VBE=0.4V     -0,1 μA
Emittersperrstrom IEBO VEB=-4V, IC=0     -0,1 μA

 

 

 

Gleichstromverstärkung

hFE1 VCE=-1V, IC=-0.1mA 30      
  hFE2 VCE=-1V, IC=-1mA 60      
  hFE3 VCE=-1V, IC=-10mA 100      
  hFE4 VCE=-2V, IC=-150mA 100   300  
  hFE5 VCE=-2V, IC=-500mA 20      

 

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

 

VCE (gesessen)

IC=-150mA, IB=-15mA     -0,4 V
    IC=-500mA, IB=-50mA     -0,75 V

 

Grundsendersättigungsspannung

 

VBE (gesessen)

IC=-150mA, IB=-15mA     -0,95 V
    IC=-500mA, IB=-50mA     -1,3 V
Übergangsfrequenz fT VCE=-10V, IC=-20mA, f =100MHz 200     MHZ
Verzögerungszeit td

VCC=-30V, VBE (weg) =-0.5V

IC=-150mA, IB1=-15mA

    15 ns
Anstiegszeit tr       20 ns
Lagerzeit ts

VCC=-30V, IC=-150mA

IB1=IB2=-15mA

    225 ns
Abfallzeit tf       60 ns

 
 
 
 
 
Typisches Characterisitics  
 Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung MMBT4403 NPN  0

Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung MMBT4403 NPN  1

Hochgeschwindigkeitsschalttransistor-Hochleistung MMBT4403 NPN  2
 

 

 

 

 
 
 
 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 ART 0,037 ART
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 HINWEIS 0,022 HINWEIS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 
 
 
 
 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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