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MMBTA55 NPN eingekapselte Transistoren des Silikon-Leistungstransistor-SOT-23 Plastik

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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MMBTA55 NPN eingekapselte Transistoren des Silikon-Leistungstransistor-SOT-23 Plastik

MMBTA55 NPN eingekapselte Transistoren des Silikon-Leistungstransistor-SOT-23 Plastik
MMBTA55 NPN eingekapselte Transistoren des Silikon-Leistungstransistor-SOT-23 Plastik MMBTA55 NPN eingekapselte Transistoren des Silikon-Leistungstransistor-SOT-23 Plastik

Großes Bild :  MMBTA55 NPN eingekapselte Transistoren des Silikon-Leistungstransistor-SOT-23 Plastik

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: MMBTA55
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

MMBTA55 NPN eingekapselte Transistoren des Silikon-Leistungstransistor-SOT-23 Plastik

Beschreibung
Grenzschichttemperatur: ℃ 150 Typ: Trioden-Transistor
Anwendung: bewegliches Spg.Versorgungsteil führte Fahrer/Motorsteuerung Material: Silizium
Kollektorstrom: 600 MA Lagertemperatur: -55~+150℃

SOT-23 Plastik-kapseln Transistoren MMBTA55 TRANSISTOR ein (NPN)

 

EIGENSCHAFT
 

L Treibertransistoren

 

Markierung: 2H

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung -60 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung -60 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung -4 V
IC Kollektorstrom -500 MA
PC Kollektor-Verlustleistung 225 mW
RΘJA Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem 556 ℃/W
Tj Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~+150

 
 
 
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)
 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=-100ΜA, IE=0 -60     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC=-1mA, IB=0 -60     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO IE=-100ΜA, IC=0 -4     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=-60V, IE=0     -0,1 µA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE=-60V, IB=0     -0,1 µA
Gleichstromverstärkung hFE (1) VCE=-1V, IC=-10mA 100   400  
  hFE (2) VCE=-1V, IC=-100mA 100      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=-100mA, IB=-10mA     -0,25 V
Grundsenderspannung VBE VCE=-1V, IC=-100mA     -1,2 V
Übergangsfrequenz fT VCE=-1V, IC=-100mA, f=100MHz 50     MHZ

 
 
 

 

 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 0,900 1,150 0,035 0,045
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
A2 0,900 1,050 0,035 0,041
b 0,300 0,500 0,012 0,020
c 0,080 0,150 0,003 0,006
D 2,800 3,000 0,110 0,118
E 1,200 1,400 0,047 0,055
E1 2,250 2,550 0,089 0,100
e 0,950 ART 0,037 ART
e1 1,800 2,000 0,071 0,079
L 0,550 HINWEIS 0,022 HINWEIS
L1 0,300 0,500 0,012 0,020
θ

 
 
MMBTA55 NPN eingekapselte Transistoren des Silikon-Leistungstransistor-SOT-23 Plastik 0
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