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A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN

A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN
A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN

Großes Bild :  A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: A92
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN

Beschreibung
Kollektor-Basis-Spannung: -310V Typ: Trioden-Transistor
Case: Band/Behälter/Spule Material: Silizium
Kollektorstrom: -200 MA Kollektorverlustleistung: 500mW
Markieren:

Hochfrequenztransistor

,

Netzschaltertransistor

SOT-89-3L Plastik-kapseln Transistoren A92 TRANSISTOR ein (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT
 

Niedrige Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung

Hohe Durchbruchsspannung

 

Markierung: A92

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung -310 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung -305 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung -5 V
IC Kollektorstrom ununterbrochen -200 MA
ICM Kollektorstrom - pulsiert -500 MA
PC Kollektor-Verlustleistung 500 mW
RθJA Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem 250 ℃/W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~+150

 
 
 
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Ta=25℃ wenn nicht anders angegeben)

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=-100ΜA, D.H. =0 -310     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC=-1mA, IB=0 -305     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. =-100ΜA, IC=0 -5     V

 

Kollektorsperrstrom

ICBO VCB=-200V, D.H. =0     -0,25 µA
 

 

ICEO

VCE=-200V, IB=0     -0,25 µA
    VCE=-300V, IB=0     -5 µA
Emittersperrstrom IEBO VEB=-5V, IC=0     -0,1 µA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE=-10V, IC=-1mA 60      
  hFE (2) VCE=-10V, IC=-10mA 100   300  
  hFE (3) VCE=-10V, IC=-80mA 60      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=-20mA, IB=-2mA     -0,2 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=-20mA, IB=-2mA     -0,9 V
Übergangsfrequenz fT VCE=-20V, IC=-10mA, f=30MHz 50     MHZ

 
 
 

Typische Eigenschaften

 

 

 

A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN 0

A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN 1

A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN 2

A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN 3

 

 


 

 
 

 

 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 1,400 1,600 0,055 0,063
b 0,320 0,520 0,013 0,020
b1 0,400 0,580 0,016 0,023
c 0,350 0,440 0,014 0,017
D 4,400 4,600 0,173 0,181
D1 1,550 Verweis. 0,061 Verweis.
E 2,300 2,600 0,091 0,102
E1 3,940 4,250 0,155 0,167
e 1,500 ART. 0,060 ART.
e1 3,000 ART. 0,118 ART.
L 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
 SOT-89-3L vorgeschlagener Auflagen-Plan

 

A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN 4
 
SOT-89-3L Band und Spule
A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN 5
A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN 6
A92 hoher Transistor des Strom-NPN, Silikon-Transistor der hohen Leistung NPN 7
 
 
 

Kontaktdaten
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