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Reihen-Transistor-Oberflächen-Berg-hohe Zelldichte-Lagertemperatur -55-150 der Spitzen-2N3904

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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Reihen-Transistor-Oberflächen-Berg-hohe Zelldichte-Lagertemperatur -55-150 der Spitzen-2N3904

Reihen-Transistor-Oberflächen-Berg-hohe Zelldichte-Lagertemperatur -55-150 der Spitzen-2N3904
Reihen-Transistor-Oberflächen-Berg-hohe Zelldichte-Lagertemperatur -55-150 der Spitzen-2N3904

Großes Bild :  Reihen-Transistor-Oberflächen-Berg-hohe Zelldichte-Lagertemperatur -55-150 der Spitzen-2N3904

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 2N3904
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Reihen-Transistor-Oberflächen-Berg-hohe Zelldichte-Lagertemperatur -55-150 der Spitzen-2N3904

Beschreibung
Produktname: Halbleitertriodenart Anwendung: bewegliches Spg.Versorgungsteil führte Fahrer/Motorsteuerung
Material: Silizium Emitter-Basis Spannung: 6v
Case: Band/Behälter/Spule
Markieren:

Spitze pnp Transistor

,

Transistor pnp der hohen Leistung

SOT-89-3L Plastik-kapseln Transistoren 2N3904 TRANSISTOR ein (NPN).

 

 

 

EIGENSCHAFT

Epitaxial- planarer Transistor Silikons Ÿ NPN für das Schalten und die Verstärkeranwendungen

Ÿ als ergänzende Art, der PNP-Transistor 2N3906 wird empfohlen

Dieser Transistor Ÿ ist auch im Fall SOT-23 mit der Typenbezeichnung MMBT3904 verfügbar

 

 

Reihen-Transistor-Oberflächen-Berg-hohe Zelldichte-Lagertemperatur -55-150 der Spitzen-2N3904 0

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
2N3904 TO-92 Masse 1000pcs/Bag
2N3904-TA TO-92 Band 2000pcs/Box

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Ta =25Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 60 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 40 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 6 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 0,2 A
PC Kollektor-Verlustleistung 0,625 W
TJ Grenzschichttemperatur 150 Š
Tstg Lagertemperatur -55-150 Š

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben

 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=10ΜA, D.H. =0 60     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC= 1mA, IB=0 40     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 10µA, IC=0 6     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=60V, D.H. =0     0,1 µA
Kollektorsperrstrom ICEX VCE=30V, VEB(weg) =3V     0,05 µA
Emittersperrstrom IEBO VEB= 5V, IC=0     0,1 µA

 

Gleichstromverstärkung

hFE1 VCE=1V, IC=10mA 100   400  
hFE2 VCE=1V, IC=50mA 60      
hFE3 VCE=1V, IC=100mA 30      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=50mA, IB=5mA     0,3 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=50mA, IB=5mA     0,95 V
Übergangsfrequenz fT VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz 300     MHZ
Verzögerungs-Zeit td

VCC=3V, VBE=0.5V,

IC=10mA, IB1=1mA

    35 ns
Anstiegszeit tr     35 ns
Lagerzeit ts

VCC=3V, IC=10mA

IB1=IB2=1mA

    200 ns
Abfallzeit tf     50 ns

 

 

KLASSIFIKATION VON hFE1

Rang O Y G
Ra nge 100-200 200-300 300-400

 
 
Typische Eigenschaften
 
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 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ART 0,050 ART
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 SOT-89-3L vorgeschlagener Auflagen-Plan
 
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TO-92 vorgeschlagener Auflagen-Plan
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TO-92 7DSH DQG 5HHO

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Kontaktdaten
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