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Transistor-Stromkreis 2N3906 NPN, NPN-Leistungstransistor für bewegliche Stromversorgung

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Transistor-Stromkreis 2N3906 NPN, NPN-Leistungstransistor für bewegliche Stromversorgung

Transistor-Stromkreis 2N3906 NPN, NPN-Leistungstransistor für bewegliche Stromversorgung
Transistor-Stromkreis 2N3906 NPN, NPN-Leistungstransistor für bewegliche Stromversorgung Transistor-Stromkreis 2N3906 NPN, NPN-Leistungstransistor für bewegliche Stromversorgung

Großes Bild :  Transistor-Stromkreis 2N3906 NPN, NPN-Leistungstransistor für bewegliche Stromversorgung

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 2N3906
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Transistor-Stromkreis 2N3906 NPN, NPN-Leistungstransistor für bewegliche Stromversorgung

Beschreibung
Produktname: Halbleitertriodenart Anwendung: bewegliches Spg.Versorgungsteil führte Fahrer/Motorsteuerung
Material: Silizium Emitter-Basis Spannung: 6v
Case: Band/Behälter/Spule
Markieren:

Spitze pnp Transistor

,

Spitzen-Reihentransistoren

SOT-89-3L Plastik-kapseln Transistoren 2N3906 TRANSISTOR ein (NPN).

 

 

 

EIGENSCHAFT

Epitaxial- planarer Transistor Silikons Ÿ PNP für das Schalten und die Verstärkeranwendungen

Ÿ als ergänzende Art, der NPN-Transistor 2N3904 wird empfohlen

Dieser Transistor Ÿ ist auch im Fall SOT-23 mit der Typenbezeichnung MMBT3906 verfügbar

 

 

Transistor-Stromkreis 2N3906 NPN, NPN-Leistungstransistor für bewegliche Stromversorgung 0

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25ć wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung -40 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung -40 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung -5 V
IC Kollektor Gegenwärtig-ununterbrochen -0,2 A
PC Kollektor-Verlustleistung 0,625 W
TJ Grenzschichttemperatur 150 ć
Tstg Lagertemperatur -55~150 ć

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC = -10ΜA, D.H. =0 -40     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC =-1MA, IB=0 -40     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = -10ΜA, IC=0 -5     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB= -40 V, D.H. =0     -0,1 µA
Kollektorsperrstrom ICEX VCE= -30 V, VEB(weg) =-3V     -50 Na
Emittersperrstrom IEBO VEB= -5 V, IC=0     -0,1 µA

 

Gleichstromverstärkung

hFE1 VCE=-1 V, IC= -10MA 100   400  
  hFE2 VCE=-1 V, IC= -50MA 60      
  hFE3 VCE=-2 V, IC= -100MA 30      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC= -50MA, IB= -5MA     -0,4 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC= -50MA, IB= -5MA     -0,95 V
Übergangsfrequenz fT

VCE=-20V, IC= -10MA

f = 100MHz

250     MHZ
Verzögerungs-Zeit TD

VCC=-3V, VBE=-0.5V,

IC=-10mA, IB1=-1mA

    35 ns
Anstiegszeit tr       35 ns
Lagerzeit Ts

VCC=-3V, Ic=-10mA

IB1=IB2=-1mA

    225 ns
Abfallzeit tf       75 ns

 

 

 


Typische Eigenschaften

 

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 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ART 0,050 ART
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 
 
 SOT-89-3L vorgeschlagener Auflagen-Plan
 
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TO-92 vorgeschlagener Auflagen-Plan
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TO-92 7DSH DQG 5HHO

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Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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