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2N5401 Transistor VCBO -160V der hohen Leistung PNP für elektronische Bauelemente

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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2N5401 Transistor VCBO -160V der hohen Leistung PNP für elektronische Bauelemente

2N5401 Transistor VCBO -160V der hohen Leistung PNP für elektronische Bauelemente
2N5401 Transistor VCBO -160V der hohen Leistung PNP für elektronische Bauelemente

Großes Bild :  2N5401 Transistor VCBO -160V der hohen Leistung PNP für elektronische Bauelemente

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 2N5401
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

2N5401 Transistor VCBO -160V der hohen Leistung PNP für elektronische Bauelemente

Beschreibung
VCBO: -160V VCEO: -150V
VEBO: -5V Nutzung: Elektronische Bauelemente
TJ: 150Š Case: Band/Behälter/Spule
Markieren:

Hochfrequenztransistor

,

Netzschaltertransistor

TO-92 Plastik-kapseln Transistoren 2N5401 TRANSISTOR ein (PNP)

 

 

EIGENSCHAFT
 

 

Ÿ-Schaltung und -verstärkung in der Hochspannung

Ÿ-Anwendungen wie Telefonie

Ÿ Strom niedrig

Ÿ-Hochspannung

 

 

2N5401 Transistor VCBO -160V der hohen Leistung PNP für elektronische Bauelemente 0

 

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
2N5401 TO-92 Masse 1000pcs/Bag
2N5401-TA TO-92 Band 2000pcs/Box

 

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung -160 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung -150 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung -5 V
IC Kollektorstrom -0,6 A
PC Kollektor-Verlustleistung 625 mW
R0 JA Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem 200 Š/W
TJ Grenzschichttemperatur 150 Š
Tstg Lagertemperatur -55~+150 Š

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben

 

 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC= -0.1MA, D.H. =0 -160     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC=-1mA, IB=0 -150     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. =-0.01MA, IC=0 -5     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=-120V, D.H. =0     -50 Na
Emittersperrstrom IEBO VEB=-3V, IC=0     -50 Na

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE=-5V, IC=-1mA 80      
hFE (2) VCE=-5V, IC=-10mA 100   300  
hFE (3) VCE=-5V, IC=-50mA 50      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=-50mA, IB=-5mA     -0,5 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=-50mA, IB=-5mA     -1 V
Übergangsfrequenz fT VCE=-5V, IC=-10mA, f =30MHz 100   300 MHZ

 
  

KLASSIFIKATION VON hF.E.(2)

RANG A B C
STRECKE 100-150 150-200 200-300

 

 

 

 

Typische Eigenschaften

 

 


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 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ART 0,050 ART
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 


TO-92 7DSH DQG 5HHO

 

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