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D882S NPN eingekapselte Transistoren der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 Plastik

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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D882S NPN eingekapselte Transistoren der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 Plastik

D882S NPN eingekapselte Transistoren der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 Plastik
D882S NPN eingekapselte Transistoren der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 Plastik

Großes Bild :  D882S NPN eingekapselte Transistoren der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 Plastik

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: D882S
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

D882S NPN eingekapselte Transistoren der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 Plastik

Beschreibung
VCBO: 40V VCEO: 30V
VEBO: 6v Produktname: Silikonhalbleiter-Triodenart
IC: 3A Energie Mosfet-Transistor: TO-92 Plastik-kapseln ein
Markieren:

Spitze pnp Transistor

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-92 Plastik-kapseln Transistoren D882S TRANSISTOR ein (NPN)

 

EIGENSCHAFT

 

Verlustleistung

 

 

MARKIERUNG

D882=Device-Code

Körper dot=Green formendes Verbundgerät, wenn keines, das normale Gerät

Z=Rank von hFE, XXX=Code

 

 

D882S NPN eingekapselte Transistoren der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 Plastik 0

 

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
D882S TO-92 Masse 1000pcs/Bag
D882S-TA TO-92 Band 2000pcs/Box


 

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

Symbol Para-Meter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 40 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 30 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 6 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 3 A
PD Kollektor-Verlustleistung 625 mW
R0 JA Thermal widerstehen ance f ROM-Kreuzung zu umgebendem 200 Š/W
TJ Grenzschichttemperatur 150 Š
Tstg St.-orage Temperatur -55 ~+150 Š

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC = 100µA, D.H. =0 40     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC = 10mA, IB=0 30     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 100µA, IC=0 6     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB= 40V, D.H. =0     1 μA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE= 30V, IB=0     10 μA
Emittersperrstrom IEBO VEB= 6V, IC=0     1 μA
Gleichstromverstärkung hFE VCE=2V, IC= 1A 60   400  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V
Übergangsfrequenz

 

fT

VCE= 5V, Ic=0.1A

f =10MHz

 

50

80  

 

MHZ

 
  

KLASSIFIKATION VON hF.E.(2)

Rang R O Y GR
Strecke 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 

 

Typische Eigenschaften

 

 

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 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ART 0,050 ART
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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