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Transistor-Stromkreis D965 NPN, NPN-Leistungstransistor-Hochleistung 

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Transistor-Stromkreis D965 NPN, NPN-Leistungstransistor-Hochleistung 

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Transistor-Stromkreis D965 NPN, NPN-Leistungstransistor-Hochleistung 

Großes Bild :  Transistor-Stromkreis D965 NPN, NPN-Leistungstransistor-Hochleistung 

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: D965
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Transistor-Stromkreis D965 NPN, NPN-Leistungstransistor-Hochleistung 

Beschreibung
VCBO: 42V VCEO: 22v
VEBO: 6v Produktname: Halbleitertriodenart
Kollektorverlustleistung: 750mW TJ: 150Š
Markieren:

Spitzen-Reihentransistoren

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-92 Plastik-kapseln Transistoren D965 TRANSISTOR ein (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT

Ÿ-Audioverstärker

Ÿ-Blitzgerät der Kamera

Ÿ-Schaltungs-Stromkreis

 

 

MARKIERUNG

 

D965=Device-Code

Körper dot=Green formendes Verbundgerät,

wenn keines, das normale Gerät

Z=Rank von hFE, XXX=Code

 

Transistor-Stromkreis D965 NPN, NPN-Leistungstransistor-Hochleistung  0

 

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
D965 TO-92 Masse 1000pcs/Bag
D965-TA TO-92 Band 2000pcs/Box


 

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Para-Meter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 42 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 22 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 6 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 5 A
PD Kollektor-Verlustleistung 750 mW
R0 JA Thermal widerstehen ance f ROM-Kreuzung zu umgebendem 166,7 Š/W
TJ Grenzschichttemperatur 150 Š
Tstg St.-orage Temperatur -55 ~+150 Š

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

 

Parameter Symbol Testbedingungen MINUTE ART Max EINHEIT
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=0.1mA, D.H. =0 42     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC=1mA, IB=0 22     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 10µA, IC=0 6     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=30V, D.H. =0     0,1 µA
Emittersperrstrom IEBO VEB=6V, IC=0     0,1 µA

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE=2V, IC= 0,15 MA 150      
hFE (2) VCE= 2V, IC = 500 MA 340   2000  
hFE (3) VCE=2V, IC = 2A 150      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=3000mA, IB=100 MA     0,35 V
Übergangsfrequenz fT VCE=6V, IC=50mA, f=30MHz   150   MHZ

 
  

KLASSIFIKATION VON hF.E.(2)

Rang R T V
Strecke 340-600 560-950 900-2000

 

 

 

 

Typische Eigenschaften

 

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 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ART 0,050 ART
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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