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M28S NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte PD 625mW ein

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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M28S NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte PD 625mW ein

M28S NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte PD 625mW ein
M28S NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte PD 625mW ein

Großes Bild :  M28S NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte PD 625mW ein

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: M28S
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

M28S NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte PD 625mW ein

Beschreibung
VCBO: 40V VCEO: 20V
PD: 625Mw Produktname: Halbleitertriodenart
Tstg: -55 ~+150Š Energie Mosfet-Transistor: TO-92 Plastik-kapseln ein
Markieren:

Spitze pnp Transistor

,

Spitzen-Reihentransistoren

TO-92 Plastik-kapseln Transistoren A94 TRANSISTOR ein (PNP)

 

 

EIGENSCHAFT

 

Ÿ hohe Gleichstromverstärkung und große gegenwärtige Fähigkeit

 

 

MARKIERUNG

M28S=Device-Code

Körper dot=Green formendes Verbundgerät,

 

wenn keines, das normale Gerät

Z=Rank von hFE, XXX=Code

 

 

M28S NPN Plastik der Spitzen-Leistungstransistor-TO-92 kapselte PD 625mW ein 0

 

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
M28S TO-92 Masse 1000pcs/Bag
M28S-TA TO-92 Band 2000pcs/Box


 

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

Symbol Para-Meter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 40 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 20 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 6 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 1 A
PD Kollektor-Verlustleistung 625 mW
R0 JA Thermal widerstehen ance f ROM-Kreuzung zu umgebendem 200 Š/W
TJ Grenzschichttemperatur 150 Š
Tstg Lagertemperatur -55 ~+150 Š

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC= 0.1mA, D.H. =0 40     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC=1mA, IB=0 20     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. =0.1MA, IC=0 6     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=40V, D.H. =0     1 µA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE=20V, IB=0     5 µA
Emittersperrstrom IEBO VEB=5V, IC=0     0,1 µA

 

 

Gleichstromverstärkung

hFE (1) VCE=1V, IC=1mA 290      
  hFE (2) VCE=1V, IC=100mA 300   1000  
  hFE (3) VCE=10V, IC=300mA 300      
  hFE (4) VCE=1V, IC=500mA 300      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=600mA, IB=20mA     0,55 V
Übergangsfrequenz fT VCE=10V, D.H. =50mA, f=30MHz 100     MHZ

 
  

KLASSIFIKATION VON hF.E.(2)

RANG B C D
STRECKE 300-550 500-700 650-1000

 

 

 

 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ART 0,050 ART
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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