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B772 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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B772 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP

B772 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP
B772 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP

Großes Bild :  B772 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: B772
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

B772 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP

Beschreibung
Kollektorverlustleistung: 1.25W VCEO: -30V
VEBO: -6V Produktname: Halbleitertriodenart
TJ: 150 ° C Typ: Trioden-Transistor
Markieren:

Spitze pnp Transistor

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-126 Plastik-kapseln Transistoren B772 TRANSISTOR ein (PNP)

 

 

EIGENSCHAFT
 


Langsame Schaltung

 

 

MARKIERUNG

B772=Device-Code

Fester Punkt = Grün, das Verbundgerät, wenn keines, das normale Gerät XX=Code formt

 

B772 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP 0

 

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
B772 TO-126 Masse 200pcs/Bag
B772-TU TO-126 Rohr 60pcs/Tube


 

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung -40 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung -30 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung -6 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen -3 A
PC Kollektor-Verlustleistung 1,25 W
RӨJA Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem 100 ℃/W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55-150

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC=-100μA, D.H. =0 -40     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC= -10MA, IB=0 -30     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = -100ΜA, IC=0 -6     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB= -40V, D.H. =0     -1 μA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE=-30V, IB=0     -10 μA
Emittersperrstrom IEBO VEB=-6V, IC=0     -1 μA
Gleichstromverstärkung hFE VCE= -2V, IC= -1A 60   400  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC=-2A, IB= -0.2A     -0,5 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=-2A, IB= -0.2A     -1,5 V

 

Übergangsfrequenz

fT

VCE= -5V, IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

 

 

MHZ

 
  

KLASSIFIKATION VON hF.E.(2)

Rang R O Y GR
Strecke 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Typische Eigenschaften

B772 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP 1B772 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP 2B772 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP 3

 

 

 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ART 0,050 ART
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
0   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

B772 Transistor-Schalter der hohen Leistung PNP, Transistor-Stromkreis der Spitzen-PNP 4

 

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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