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D882M NPN hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-6V

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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D882M NPN hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-6V

D882M NPN hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-6V
D882M NPN hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-6V

Großes Bild :  D882M NPN hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-6V

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: D882M
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

D882M NPN hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-6V

Beschreibung
Kollektor-Basis VoltageCollector-Basis-Spannung: 40V Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Emitter-Basis Spannung: 6v Energie Mosfet-Transistor: TO-252-2L Plastik-kapseln ein
Typ: Halbleitertriodenart Nutzung: Elektronische Bauelemente
Markieren:

Spitzen-Reihentransistoren

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-252-2L Plastik-kapseln Transistoren D882M TRANSISTOR ein (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT
 


Verlustleistung

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)
 

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 40 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 30 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 6 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 3 A
PC Kollektor-Verlustleistung 1,25 W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55-150

 
 
 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC = 100μA, D.H. =0 40     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC = 10mA, IB=0 30     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 100μA, IC=0 6     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB= 40 V, D.H. =0     1 µA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE= 30 V, IB=0     10 µA
Emittersperrstrom IEBO VEB= 6 V, IC=0     1 µA
Gleichstromverstärkung hFE VCE= 2 V, IC= 1A 60   400  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) IC= 2A, IB= 0,2 A     0,5 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC= 2A, IB= 0,2 A     1,5 V

 

Übergangsfrequenz

 

fT

VCE= 5V, IC=0.1A

f =10MHz

 

 

90

 

 

MHZ

 
  

KLASSIFIKATION VON hF.E.(2)

Rang R O Y GR
Strecke 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


Typische Eigenschaften

 

 
 D882M NPN hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-6V 0D882M NPN hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-6V 1D882M NPN hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-6V 2D882M NPN hohe Leistungsfähigkeit der Transistor-Schalter-Emitter-niedrige Spannungs-6V 3
 

 Paket-Entwurfs-Maße
 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Min. Maximum. Min. Maximum.
A 2,200 2,380 0,087 0,094
A1 0,000 0,100 0,000 0,004
B 0,800 1,400 0,031 0,055
b 0,710 0,810 0,028 0,032
c 0,460 0,560 0,018 0,022
c1 0,460 0,560 0,018 0,022
D 6,500 6,700 0,256 0,264
D1 5,130 5,460 0,202 0,215
E 6,000 6,200 0,236 0,244
e 2,286 ART. 0,090 ART.
e1 4,327 4,727 0,170 0,186
M 1.778REF. 0.070REF.
N 0.762REF. 0.018REF.
L 9,800 10,400 0,386 0,409
L1 2.9REF. 0.114REF.
L2 1,400 1,700 0,055 0,067
V 4,830 Verweis. 0,190 Verweis.
ĭ 1,100 1,300 0,043 0.0±1

 
 

 
 

Kontaktdaten
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Ansprechpartner: David

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