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Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung 9v niedriges Rdson der Spitzen-3DD13003B

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung 9v niedriges Rdson der Spitzen-3DD13003B

Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung 9v niedriges Rdson der Spitzen-3DD13003B
Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung 9v niedriges Rdson der Spitzen-3DD13003B

Großes Bild :  Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung 9v niedriges Rdson der Spitzen-3DD13003B

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 3DD13003B
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung 9v niedriges Rdson der Spitzen-3DD13003B

Beschreibung
Kollektor-Basis-Spannung: 700V Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Emitter-Basis Spannung: 9V Produktname: Halbleitertriodenart
TJ: 150 ° C Typ: Trioden-Transistor
Markieren:

Spitzen-Reihentransistoren

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-92 Plastik-kapseln Transistoren 3DD13001B TRANSISTOR ein (NPN)

 

EIGENSCHAFT
 

Ÿ-Energie-Schaltungsanwendungen

 

 

MARKIERUNG

Code 13003B=Device

Körper dot=Green formendes Verbundgerät, wenn keines, das normale Gerät

XXX=Code

Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung 9v niedriges Rdson der Spitzen-3DD13003B 0

 

 

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
3DD13003B TO-92 Masse 1000pcs/Bag
3DD13003B-TA TO-92 Band 2000pcs/Box


 

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

Symbol Parameter Wert Einheit
V CBO Kollektor-Basis-Spannung 700 V
V CEO Kollektor-Emitter-Spannung 400 V
V EBO Emitter-Basis-Spannung 9 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 1,5 A
PC Kollektor-Verlustleistung 0,9 W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55 ~150

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC= 1mA, D.H. =0 700     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC= 10mA, IB=0 400     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 1mA, IC=0 9     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB= 700V, D.H. =0     100 µA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE= 400V, IB=0     50 µA
Emittersperrstrom IEBO VEB= 7V, IC=0     10 µA
Gleichstromverstärkung hFE VCE= 10V, IC= 0,4 A 20   40  

 

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

VCE (gesessen) 1 IC=1.5A, IB= 0.5A     3 V
  VCE (gesessen) 2 IC=0.5A, IB= 0.1A     0,8 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=0.5A, IB=0.1A     1 V
Übergangs-Frequenz fT VCE=10V, IC=100mA, f =1MHz 4     MHZ
Abfallzeit tf IC=1A     0,7 µs
Lagerzeit ts IB1=-IB2=0.2A     4 µs

 
  

KLASSIFIKATION VON hF.E.(2)

Rang        
Strecke 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 

 

Typische Eigenschaften

Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung 9v niedriges Rdson der Spitzen-3DD13003B 1Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung 9v niedriges Rdson der Spitzen-3DD13003B 2Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung 9v niedriges Rdson der Spitzen-3DD13003B 3Leistungstransistor-Emitter-niedrige Spannung 9v niedriges Rdson der Spitzen-3DD13003B 4

 

 

 

 

Entwurfs-Maße des Paket-TO-92

 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 3,300 3,700 0,130 0,146
A1 1,100 1,400 0,043 0,055
b 0,380 0,550 0,015 0,022
c 0,360 0,510 0,014 0,020
D 4,300 4,700 0,169 0,185
D1 3,430   0,135  
E 4,300 4,700 0,169 0,185
e 1,270 ART 0,050 ART
e1 2,440 2,640 0,096 0,104
L 14,100 14,500 0,555 0,571
Φ   1,600   0,063
h 0,000 0,380 0,000 0,015

 

 

 

 

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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