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Silikon-materielle Trioden-Transistor-Art der Spitzen-MJE13003 der Leistungstransistor-NPN

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Silikon-materielle Trioden-Transistor-Art der Spitzen-MJE13003 der Leistungstransistor-NPN

Silikon-materielle Trioden-Transistor-Art der Spitzen-MJE13003 der Leistungstransistor-NPN
Silikon-materielle Trioden-Transistor-Art der Spitzen-MJE13003 der Leistungstransistor-NPN Silikon-materielle Trioden-Transistor-Art der Spitzen-MJE13003 der Leistungstransistor-NPN

Großes Bild :  Silikon-materielle Trioden-Transistor-Art der Spitzen-MJE13003 der Leistungstransistor-NPN

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: MJE13003
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Silikon-materielle Trioden-Transistor-Art der Spitzen-MJE13003 der Leistungstransistor-NPN

Beschreibung
Typ: Trioden-Transistor Material: Silizium
Energie Mosfet-Transistor: TO-126 Plastik-kapseln ein Produktname: Halbleitertriodenart
TJ: 150 ° C
Markieren:

Spitzen-Reihentransistoren

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-126 Plastik-kapseln Transistoren MJE13003 TRANSISTOR ein (NPN)

 

 

EIGENSCHAFT
 

Ÿ-Energie-Schaltungs-Anwendungen

 

 

MARKIERUNG

MJE13003=Device-Code

Fester Punkt = Grün, das Verbundgerät, wenn keines, das normale Gerät formt

Silikon-materielle Trioden-Transistor-Art der Spitzen-MJE13003 der Leistungstransistor-NPN 0

 

Silikon-materielle Trioden-Transistor-Art der Spitzen-MJE13003 der Leistungstransistor-NPN 1

 

 

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

Teilnummer Paket Verpackungs-Methode Satz-Quantität
MJE13003 TO-126 Masse 200pcs/Bag
MJE13003-TU TO-126 Rohr 60pcs/Tube


 

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 600 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 420 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 7 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 0,2 A
PC Kollektor-Verlustleistung 0,75 W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55 ~150

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC= 0.1mA, D.H. =0 600     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC= 1mA, IB=0 400     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. =0.1MA, IC=0 6     V
Kollektorsperrstrom ICBO VCB=600V, D.H. =0     100 MA
Kollektorsperrstrom ICEO VCE=400V, IB=0     100 MA
Emittersperrstrom IEBO VEB=7V, IC=0     10 MA
Gleichstromverstärkung hFE (1)* VCE=10V, IC=200mA 20   30  
hFE (2) VCE=10V, IC=250μA 5    
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCE (gesessen) 1 IC=200mA, IB=40mA     0,5 V
Grundsendersättigungsspannung VBE (gesessen) IC=200mA, IB=40mA     1,1 V
Übergangsfrequenz fT VCE=10V, IC=100mA, f=1MHz 5     MHZ
Abfallzeit tf IC=100mA     0,5 μs
Lagerzeit tS* IC=100mA 2   4

 

 
 Entwurfs-Maße des Paket-TO-92

 

 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Minute Maximal Minute Maximal
A 2,500 2,900 0,098 0,114
A1 1,100 1,500 0,043 0,059
b 0,660 0,860 0,026 0,034
b1 1,170 1,370 0,046 0,054
c 0,450 0,600 0,018 0,024
D 7,400 7,800 0,291 0,307
E 10,600 11,000 0,417 0,433
e 2,290 ART 0,090 ART
e1 4,480 4,680 0,176 0,184
h 0,000 0,300 0,000 0,012
L 15,300 15,700 0,602 0,618
L1 2,100 2,300 0,083 0,091
P 3,900 4,100 0,154 0,161
Φ 3,000 3,200 0,118 0,126

 

 

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Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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