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Transistor NPN TO-252Tipp Leistungstransistor-3DD13002

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Transistor NPN TO-252Tipp Leistungstransistor-3DD13002

Transistor NPN TO-252Tipp Leistungstransistor-3DD13002
Transistor NPN TO-252Tipp Leistungstransistor-3DD13002

Großes Bild :  Transistor NPN TO-252Tipp Leistungstransistor-3DD13002

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 3DD13002
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Transistor NPN TO-252Tipp Leistungstransistor-3DD13002

Beschreibung
Lagertemperatur: -55~150℃ TJ: ℃ 150
Kollektorverlustleistung: 1.25W Produktname: Halbleitertriodenart
Kollektorstrom: 3.5A Typ: Trioden-Transistor
Markieren:

Spitze pnp Transistor

,

Transistor pnp der hohen Leistung

TO-251-3L/TO-252-2L Plastik-kapseln Transistoren 3DD13002 TRANSISTOR ein (NPN)

 

EIGENSCHAFT
 

Energie-Schaltungs-Anwendungen

 

 

 

MAXIMALLEISTUNGEN (Tein =25 Š wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VCBO Kollektor-Basis-Spannung 600 V
VCEO Kollektor-Emitter-Spannung 400 V
VEBO Emitter-Basis-Spannung 6 V
IC Kollektorstrom - ununterbrochen 1 A
PC Kollektor-Verlustleistung 1,25 W
TJ Grenzschichttemperatur 150
Tstg Lagertemperatur -55~150

 

 

 

 


ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN

 

 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben


 

Ta =25 Š wenn nicht anders angegeben

Parameter Symbol Testbedingungen Minute Art Maximal Einheit
Kollektor-Basis Durchbruchsspannung V (BR) CBO IC= 100μA, D.H. =0 600     V
Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (BR) CEO V IC= 1mA, IB=0 400     V
Emitter-BasisDurchbruchsspannung V (BR) EBO D.H. = 100μA, IC=0 6     V

 

Kollektorsperrstrom

ICBO VCB= 600V, D.H. =0     100 µA
  ICEO VCB= 400V, D.H. =0     100 µA
Emittersperrstrom IEBO VEB= 7V, IC=0     100 µA

 

Gleichstromverstärkung

hFE1 VCE= 10 V, IC= 200mA 9   40  
  hFE2 VCE= 10 V, IC= 0.25mA 5      
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung VCER (gesessen) IC=200mA, IB= 40mA     0,5 V
Grundsendersättigungsspannung VSEIEN Sie (gesessen) IC=200mA, IB= 40mA     1,1 V

 

Übergangsfrequenz

 

fT

VCE=10V, IC=100mA

f =1MHz

 

5

   

 

MHZ

Abfallzeit tf IC=1A, IB1=-IB2=0.2A VCC=100V     0,5 µs
Lagerzeit ts       2,5 µs

 

 

KLASSIFIKATION VON hFE1

Strecke 9-15 15-20 20-25 25-30 30-35 35-40

 

 


Typische Eigenschaften

 

 Transistor NPN TO-252Tipp Leistungstransistor-3DD13002 0Transistor NPN TO-252Tipp Leistungstransistor-3DD13002 1Transistor NPN TO-252Tipp Leistungstransistor-3DD13002 2Transistor NPN TO-252Tipp Leistungstransistor-3DD13002 3
 

 

Entwurfs-Maße des Paket-TO-92

 

Symbol Maße in den Millimeter Maße in den Zoll
  Min. Maximum. Min. Maximum.
A 2,200 2,400 0,087 0,094
A1 1,050 1,350 0,042 0,054
B 1,350 1,650 0,053 0,065
b 0,500 0,700 0,020 0,028
b1 0,700 0,900 0,028 0,035
c 0,430 0,580 0,017 0,023
c1 0,430 0,580 0,017 0,023
D 6,350 6,650 0,250 0,262
D1 5,200 5,400 0,205 0,213
E 5,400 5,700 0,213 0,224
e 2,300 ART. 0,091 ART.
e1 4,500 4,700 0,177 0,185
L 7,500 7,900 0,295 0,311

 

 

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Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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