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Produktdetails:
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| Produktname: | mosfet-Leistungstransistor | Anwendung: | Lastsschalter oder in PWM-Anwendungen. |
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| Modellnummer: | HXY4812 | Case: | Band/Behälter/Spule |
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,hoher Strom mosfet-Schalter |
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HXY4812 0V verdoppeln N-Kanal MOSFET
Allgemeine Beschreibung
Die moderne Grabentechnologie des Gebrauches HXY4812 zu
stellen Sie ausgezeichnetes RDS (AN) und niedrige Torgebühr zur Verfügung. Dieses
Gerät ist für Gebrauch als Lastsschalter oder in PWM passend
Anwendungen.
Produkt-Zusammenfassung
Absolute Maximalleistungen T =25°C wenn nicht anders vermerkt
Elektrische Eigenschaften (T =25°C wenn nicht anders vermerkt)
A. Der Wert von r-θJA wird mit dem Gerät gemessen, das an Brett 1in2 FR-4 mit 2oz angebracht wird. Verkupfern Sie, in einer ruhigen Luftumwelt mit TA =25°C.
Wert in jeder möglicher gegebenen Anwendung hängt vom spezifischen Leiterplattenentwurf des Benutzers ab.
B. Die Verlustleistung PD basiert auf TJ(max) =150°C, unter Verwendung ≤ 10s Kreuzung-zu-umgebenden thermischen Widerstands.
C., basieren sich wiederholende Bewertung, die Impulsbreite, die durch Grenzschichttemperatur TJ(max) begrenzt ist =150°C. Bewertungen auf Niederfrequenz- und Dienstzyklen, um zu halten
D. Das r-θJA ist die Summe des thermischen Widerstands von der Kreuzung, zum von r-θJL zu führen und zu umgebendes zu führen.
E. Die statischen Eigenschaften in Tabellen 1 bis 6 werden unter Verwendung erreicht <300>
Ansprechpartner: David
