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6G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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6G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A

6G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A
6G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A

Großes Bild :  6G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 6G03S
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

6G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor RDS (AN): < 37m="">
Modellnummer: 6G03S Identifikation: 6.5A
Merkmal: Niedrige Tor-Gebühr VGS: -10V
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

hoher Strom mosfet-Schalter

MOSFET Anreicherungstyp 6G03S 30V N+P-Channel

 

 

Beschreibung

Der moderne Graben des Gebrauches 6G03S

Technologie, zum ausgezeichneten RDS(AN) und niedrige Torgebühr bereitzustellen.

Die ergänzenden MOSFETs werden benutzt möglicherweise, um a zu bilden

Niveau verschob hohen Seitenschalter und für einen Wirt von anderem

Anwendungen

 

Allgemeine Eigenschaften

N-Kanalc$p-kanal

N-Kanal

VDS = 30V, ID =6.5A

RDS(AN)< 16m=""> GS=10V

P-Kanal

VDS = -30V, ID = -7A

RDS(AN)< 37m=""> GS=-10V

Hohe Leistung und gegenwärtige Übergebungsfähigkeit

Bleifreies Produkt wird erworben

Oberflächenbergpaket

 

 

Anwendung

● Energie-Schaltungsanwendung

● stark und Hochfrequenzwählverbindungen

● unterbrechungsfreie Stromversorgung

 

 

Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen

6G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A 0

 

Absolute Maximalleistungen (TC=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
6G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A 1
 
N-CH elektrische Eigenschaften (TA=25℃ wenn nicht anders vermerkt)

6G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A 2

 

Anmerkungen:
1. Sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
2. Oberfläche angebracht FR4 am Brett, t-≤ 10 sek.
3. Impuls-Test: Impuls-Breite ≤ 300μs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
4. Mit Absicht, nicht abhängig von garantiert Produktion
 
 
Kanal-typische elektrische 30V N+P-Channel EnhancemeN- und thermische Eigenschaften (Kurven)
 
6G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A 36G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A 46G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A 56G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A 66G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A 76G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A 86G03S 30V Mosfet-Leistungstransistor-Anreicherungstyp MOSFET-Identifikation 6.5A 9
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Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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