WST3078 hoher gegenwärtiger Transistor, Netzschalter-Transistor-hohe Zelldichte

WST3078 N&P-Ch MOSFET

Beschreibung

Das WST3078 ist der Graben der höchsten Leistung

MOSFETs N-ch und P-ch mit extremer hoher Zelle

Dichte, die ausgezeichnetes RDSON liefern und mit einem Gatter versehen

laden Sie für die meisten der kleinen Machtschaltung auf und

laden Sie Schalteranwendungen.

Das Treffen WST3078 das RoHS und das grüne Produkt

Anforderung mit der vollen Funktionszuverlässigkeit genehmigt.

• Moderne hohe Zelldichte Grabentechnologie
• super niedrige Tor-Gebühr z
• ausgezeichnete Cdv/dt Effektabnahme z
• z-Grün-Gerät verfügbar

Anwendungen

• Hochfrequenzpunkt-von-last synchrones s
• Kleine Energieschaltung für MB/NB/UMPC/VGA
• Stromnetz der Vernetzungs-DC-DC
• Lasts-Schalter

N-Kanal-elektrische Eigenschaften (℃ TJ=25, wenn nicht anders vermerkt)

 

 

 

 

Abfluss-Quellkörper-Diodenkennlinien

 

 

 

Anmerkung:

1. Die Daten prüften durch die Oberfläche, die an einem 1 Brett inch2 FR-4 mit Kupfer 2OZ angebracht wurde.

2. Die Daten prüften, durch pulsiert, Impulsbreite ≦ 300us, Arbeitszyklus ≦ 2%

3. Die Verlustleistung wird durch 150℃ Grenzschichttemperatur begrenzt

4. Die Daten sind theoretisch die selben, die Identifikation und IDM, in den wirklichen Anwendungen, durch Gesamtleistungsableitung begrenzt werden sollten.

 

 

P-Kanal-elektrische Eigenschaften (℃ TJ=25, wenn nicht anders vermerkt)

 

 

Abfluss-Quellkörper-Diodenkennlinien

 

 

 

 

Anmerkung:

1. Die Daten prüften durch die Oberfläche, die an einem 1 inch2 angebracht wurde

Brett FR-4 mit Kupfer 2OZ.

2. Die Daten prüften, durch pulsiert, Impulsbreite ≦ 300us, Arbeitszyklus ≦ 2%

3. Die Verlustleistung wird durch Daten der 150℃ Grenzschichttemperatur 4.The ist theoretisch die selbe begrenzt, die Identifikation und IDM, in den wirklichen Anwendungen, durch Gesamtleistungsableitung begrenzt werden sollten.

 

 

N-Kanal-typische Eigenschaften

 

 

 

 

P-Kanal-typische Eigenschaften