Art Transistor-Lasts-Schaltung HXY4410 N für tragbare Anwendungen

Produkt-Zusammenfassung

V_DS (V) = 30V

I = 18A

D

^{Ω RDS} (AN<> ^{) 11m (V_GS = 10V)}

R_DS(AN)< 19m=""> GS = 4.5V)

Allgemeine Beschreibung

Die moderne Grabentechnologie des Gebrauches HXY4410 zu

stellen Sie ausgezeichnetes RDS (AN), Trieb-durch Immunität zur Verfügung,

KörperDiodenkennlinien und ultra-niedriges Tor

Widerstand. Dieses Gerät wird ideal für Gebrauch als a entsprochen

niedriger Seitenschalter in der Notizbuch CPU-Kernenergie

Umwandlung.

Elektrische Eigenschaften (T =25°C wenn nicht anders vermerkt)

A. Der Wert von r-_θJA wird mit dem Gerät gemessen, das an Brett 1in2 FR-4 mit 2oz angebracht wird. Verkupfern Sie, in einer ruhigen Luftumwelt mit T_A =25°C.

Wert in jeder möglicher gegebenen Anwendung hängt vom spezifischen Leiterplattenentwurf des Benutzers ab.

B. Die Verlustleistung P_D basiert auf T_J(max) =150°C, unter Verwendung ≤ 10s Kreuzung-zu-umgebenden thermischen Widerstands.

C., basieren sich wiederholende Bewertung, die Impulsbreite, die durch Grenzschichttemperatur T_J(max) begrenzt ist =150°C. Bewertungen auf Niederfrequenz- und Dienstzyklen, um zu halten

initialT =25°C.

D. Das r-_θJA ist die Summe des thermischen Widerstands von der Kreuzung, zum von r-_θJL zu führen und zu umgebendes zu führen.

E. Die statischen Eigenschaften in Tabellen 1 bis 6 werden unter Verwendung erreicht <300>

F. Diese Kurven basieren auf dem Kreuzung-zu-umgebenden thermischen Widerstand, dem mit dem Gerät gemessen wird, das an Brett 1in2 FR-4 mit angebracht wird

2oz. Verkupfern Sie und annehmen, dass eine maximale Grenzschichttemperatur von T_J(max) =150°C. die SOA-Kurve eine Einzelimpulsbewertung liefert.

G. Der SpitzenArbeitszyklus 5% maximal, begrenzt durch Grenzschichttemperatur TJ (max) =125°C.

TYPISCHE ELEKTRISCHE UND THERMISCHE EIGENSCHAFTEN