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HXY2308 N Plastik des Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 eingekapselt

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Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

—— -- Jason von Kanada

Unter der Empfehlung meines Freunds, kennen wir in Hua Xuan Yang, ein älterer Experte in Halbleiter und der Industrie der elektronischen Bauelemente aus, die uns ermöglicht, unsere kostbare Zeit und zu verringern, nicht Versuch hat riskieren muss andere Fabriken.

—— -- Виктор von Russland

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HXY2308 N Plastik des Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 eingekapselt

HXY2308 N Plastik des Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 eingekapselt
HXY2308 N Plastik des Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 eingekapselt

Großes Bild :  HXY2308 N Plastik des Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 eingekapselt

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: HXY2308
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag
Kontakt

HXY2308 N Plastik des Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 eingekapselt

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor RDS (AN): 136mΩ
Merkmal: Oberflächenbergpaket Modellnummer: HXY2308
Anwendung: Batterieschalter Typ: Mosfet-Transistor
Markieren:

hoher gegenwärtiger Transistor

,

Logik mosfet-Schalter

SOT-23 Plastik-kapseln MOSFETS HXY2308 N-Kanal MOSFET ein

 

Produkt-Zusammenfassung

 

VDSS= V ID= 3,0 A 60

RDS (an) 120mΩ@ 10 V < VGS="
RDS (an) < 136m="">

 

EIGENSCHAFT
 
 hohe Leistung und gegenwärtige Übergebungsfähigkeit
 bleifreies Produkt wird erworben
 Oberflächen-Bergpaket
 
 

 

Anwendungen

 

 Batterieschalter

 DC/DC Konverter

 

 

Maximalleistungen (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
 
HXY2308 N Plastik des Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 eingekapselt 0
HXY2308 N Plastik des Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 eingekapselt 1HXY2308 N Plastik des Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 eingekapselt 2HXY2308 N Plastik des Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 eingekapselt 3
 
 

Größe und Tag:

Logik mosfet-Schalter,

mosfet-Fahrer,

hoher gegenwärtiger Transistor

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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über

mosfet-Leistungstransistor

Transistor des logischen Zustandes HXY4616, Hochspannungstransistor 30V ergänzender MOSFET

Hochspannung VDS 40V VGS ±20v Mosfet-HXY4616 Leistungstransistor-±20v VGS

20G04S 40V Kanal-Anreicherungstyp MOSFET Mosfet-Leistungstransistor-N+P

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