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HXY2312 N des Kanal-20-V (D-S) Plastik MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 kapselt ein

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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HXY2312 N des Kanal-20-V (D-S) Plastik MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 kapselt ein

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Großes Bild :  HXY2312 N des Kanal-20-V (D-S) Plastik MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 kapselt ein

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: HXY2312
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

HXY2312 N des Kanal-20-V (D-S) Plastik MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 kapselt ein

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor Grenzschichttemperatur:: 150 ° C
Material: Silizium Modellnummer: HXY2312
Case: Band/Behälter/Spule Typ: Mosfet-Transistor
Markieren:

hoher gegenwärtiger Transistor

,

Logik mosfet-Schalter

 
 
SOT-23 Plastik-kapseln MOSFETS HXY2312 N-Kanal 20-V (D-S) MOSFET ein
 

 

Produkt-Zusammenfassung

 

ID= 6,0 A VDSS=20v
RDS (an) <32 m="">
RDS (an) <40 m="">
 
 
EIGENSCHAFT 
 
TrenchFET-Energie MOSFET
 
 
ANWENDUNG
 
 
DC-/DCkonverter
Lasts-Schaltung für tragbare Anwendungen
 
 
Maximalleistungen (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
HXY2312 N des Kanal-20-V (D-S) Plastik MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 kapselt ein 0
 
T =25 ein ℃ wenn nicht anders angegeben
 
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HXY2312 N des Kanal-20-V (D-S) Plastik MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 kapselt ein 2HXY2312 N des Kanal-20-V (D-S) Plastik MOS-Feld-Effekt-Transistor-SOT-23 kapselt ein 3

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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