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Feld-Effekt-Transistor VDSS 20v des Anreicherungstyp-2N7002 Identifikation 6,0 A

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
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Feld-Effekt-Transistor VDSS 20v des Anreicherungstyp-2N7002 Identifikation 6,0 A

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Feld-Effekt-Transistor VDSS 20v des Anreicherungstyp-2N7002 Identifikation 6,0 A

Großes Bild :  Feld-Effekt-Transistor VDSS 20v des Anreicherungstyp-2N7002 Identifikation 6,0 A

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 2N7002
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Feld-Effekt-Transistor VDSS 20v des Anreicherungstyp-2N7002 Identifikation 6,0 A

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor Grenzschichttemperatur:: 150 ° C
Material: Silizium Modellnummer: HXY2312
Case: Band/Behälter/Spule Typ: Mosfet-Transistor

SOT-23 Plastik-kapseln MOSFETS 2N7002 ein
 
 

 

Produkt-Zusammenfassung

 

ID= 6,0 A VDSS=20v
RDS (an) <32 m="">
RDS (an) <40 m="">
 
 
EIGENSCHAFT 
 
TrenchFET-Energie MOSFET
 
 
ANWENDUNG
 
 
DC-/DCkonverter
Lasts-Schaltung für tragbare Anwendungen
 
 
Maximalleistungen (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
 
 
T =25 ein ℃ wenn nicht anders angegeben
 
 
 
Feld-Effekt-Transistor VDSS 20v des Anreicherungstyp-2N7002 Identifikation 6,0 A 0Feld-Effekt-Transistor VDSS 20v des Anreicherungstyp-2N7002 Identifikation 6,0 A 1Feld-Effekt-Transistor VDSS 20v des Anreicherungstyp-2N7002 Identifikation 6,0 A 2Feld-Effekt-Transistor VDSS 20v des Anreicherungstyp-2N7002 Identifikation 6,0 A 3

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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