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2N60 2A, ENERGIE 600VN-CHANNEL MOSFET

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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2N60 2A, ENERGIE 600VN-CHANNEL MOSFET

2N60 2A, ENERGIE 600VN-CHANNEL MOSFET
2N60 2A, ENERGIE 600VN-CHANNEL MOSFET

Großes Bild :  2N60 2A, ENERGIE 600VN-CHANNEL MOSFET

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 2N60
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

2N60 2A, ENERGIE 600VN-CHANNEL MOSFET

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor Anwendung: Energie-Management
Merkmal: Ausgezeichnetes RDS (an) Energie Mosfet-Transistor: Anreicherungstyp-Energie MOSFET
VDS: -100V Modellnummer: 2N60
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

Energie 2N60-TC3 MOSFET

2A, ENERGIE MOSFET des N-KANAL-600V

 

BESCHREIBUNG

Das UTC 2N60-TC3 ist ein Hochspannungsmacht MOSFET und ist entworfen, bessere Eigenschaften, wie schnelle Schaltzeit, niedriger Torvorwurf, niedriger Durchlasswiderstand zu haben und hohe schroffe Lawine zu haben Eigenschaften einer. Dieser Macht MOSFET wird normalerweise an den Hochgeschwindigkeitsschaltungsanwendungen in der Stromversorgung, IN PWM-Motorsteuerungen, in hohem leistungsfähigem DC zu DC-Konvertern und in den Brückenschaltungen benutzt.

 

2N60 2A, ENERGIE 600VN-CHANNEL MOSFET 0

 

EIGENSCHAFTEN

RDS (AN) < 7="">

Hohe Schaltverzögerung

 

2N60 2A, ENERGIE 600VN-CHANNEL MOSFET 1

EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN

 

Auftragsnummer Paket Steckerbelegung Verpacken
Bleifrei Halogen geben frei 1 2 3
2N60L-TF1-T 2N60G-TF1-T TO-220F1 G D S Rohr
2N60L-TF3-T 2N60G-TF3-T TO-220F G D S Rohr
2N60L-TM3-T 2N60G-TM3-T TO-251 G D S Rohr

2N60 2A, ENERGIE 600VN-CHANNEL MOSFET 2


Anmerkung: Steckerbelegung: G: Tor D: Abfluss S: Quelle

 

 

 

QW-R205-461.A

 

2N60 2A, ENERGIE 600VN-CHANNEL MOSFET 3

ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN n (TC = 25°С, wenn nicht anders angegeben)

 

PARAMETER SYMBOL BEWERTUNGEN EINHEIT
Abfluss-Quellspannung VDSS 600 V
Tor-Quellspannung VGSS ± 30 V
Lassen Sie Strom ab Ununterbrochen ID 2 A
Pulsiert (Anmerkung 2) IDM 4 A
Lawinen-Energie Sondern Sie pulsiert aus (Anmerkung 3) EAS 84 mJ
Ragen Sie Dioden-Wiederaufnahme dv/dt empor (Anmerkung 4) dv/dt 4,5 V/ns
Verlustleistung TO-220F/TO-220F1 PD 23 W
TO-251 44 W
Grenzschichttemperatur TJ +150 °C
Lagertemperatur TSTG -55 | +150 °C

Anmerkungen: 1. sind Absolutmaximalleistungen jene Werte, über denen hinaus das Gerät dauerhaft geschädigt werden könnte.

Absolute Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen und Funktionsgerätoperation wird nicht bedeutet.

4. Sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.

5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25, das TJ = 25°C beginnt

6. ISd-≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, v-DD ≤BVDSS, T beginnendJ = 25°C

n-THERMALdaten

 

PARAMETER SYMBOL BEWERTUNGEN EINHEIT
Kreuzung zu umgebendem TO-220F/TO-220F1 θJA 62,5 °C/W
TO-251 100 °C/W
Kreuzung zum Fall TO-220F/TO-220F1 θJC 5,5 °C/W
TO-251 2,87 °C/W

 

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN n (TJ = 25°С, wenn nicht anders angegeben)

 

PARAMETER SYMBOL TESTBEDINGUNGEN MINUTE ART Max EINHEIT
WEG VON DEN EIGENSCHAFTEN
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung BVDSS VGS=0V, ID= 250μA 600     V
Abfluss-Quelldurchsickern-Strom IDSS VDS=600V, VGS=0V     1 µA
Tor-Quelldurchsickern-Strom Vorwärts IGSS VGS=30V, VDS=0V     100 Na
Rückseite VGS=-30V, VDS=0V     -100 Na
AUF EIGENSCHAFTEN
Tor-Schwellen-Spannung VGS (TH) VDS=VGS, ID=250μA 2,0   4,0 V
Statischer Abfluss-Quelldurchlasswiderstand RDS (AN) VGS=10V, ID=1.0A     7,0
DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN
Input-Kapazitanz CISS

 

VGS=0V, VDS=25V, f=1.0 MHZ

  190   PF
Ausgangskapazität COSS   28   PF
Rückübergangskapazitanz CRSS   2   PF
SCHALTCHARAKTERISTIK
Gesamttor-Gebühr (Anmerkung 1) QG VDS=200V, VGS=10V, ID=2.0A IG=1mA (Anmerkung 1, 2)   7   nC
Gateource-Gebühr QGS   2,9   nC
Tor-Abfluss-Gebühr QGD   1,9   nC
Einschaltverzögerungs-Zeit (Anmerkung 1) TD (AN)

 

VDS=300V, VGS=10V, ID=2.0A, RG=25Ω (Anmerkung 1, 2)

  4   ns
Anstiegszeit tR   16   ns
Abschaltverzögerungs-Zeit TD (WEG)   16   ns
Abfallzeit tF   19   ns
QUELLabfluss-DIODEN-BEWERTUNGEN UND EIGENSCHAFTEN
Maximale Körper-Dioden-stationärer Gleichstrom IS       2 A
Maximale Körper-Diode pulsierte Strom THEORIE       8 A
Abfluss-Quelldioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 1) VSD VGS=0V, IS=2.0A     1,4 V
Rückgenesungszeit (Anmerkung 1) trr

VGS=0V, IS=2.0A,

DiF/dt=100A/µs (Note1)

  232   ns
Rückwiederaufnahme-Gebühr Qrr   1,1   µC

Anmerkungen: 1. Impuls-Test: Impulsbreite ≤ 300µs, Arbeitszyklus ≤ 2%.

  • Im Wesentlichen Unabhängiger der Betriebstemperatur.

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