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Produktdetails:
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| Produktname: | mosfet-Leistungstransistor | Anwendung: | Energie-Management |
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| Merkmal: | Ausgezeichnetes RDS (an) | Energie Mosfet-Transistor: | Anreicherungstyp-Energie MOSFET |
| Modellnummer: | 4N60 | ||
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
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Energie 2N60-TC3 MOSFET
2A, ENERGIE MOSFET des N-KANAL-600V
Das UTC 4N60-R ist ein Hochspannungsmacht MOSFET und ist entworfen, bessere Eigenschaften, wie schnelle Schaltzeit, niedriger Torvorwurf, niedriger Durchlasswiderstand zu haben und hohe schroffe Lawine zu haben Eigenschaften einer. Dieser Macht MOSFET wird normalerweise an den Hochgeschwindigkeitsschaltungsanwendungen in der Stromversorgung, IN PWM-Motorsteuerungen, in hohem leistungsfähigem DC zu DC-Konvertern und in den Brückenschaltungen benutzt.
EIGENSCHAFTEN
* RDS(AN)< 2=""> GS = 10 V
* schnelle Schaltungs-Fähigkeit
* Lawinen-Energie spezifiziert
* verbesserte dv-/dtfähigkeit, hohe Rauheit
| Auftragsnummer | Paket | Steckerbelegung | Verpacken | |||
| Bleifrei | Halogen geben frei | 1 | 2 | 3 | ||
| 4N60L-TF1-T | 4N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Rohr |
Anmerkung: Steckerbelegung: G: Tor D: Abfluss S: Quelle
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN n (TC = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| PARAMETER | SYMBOL | BEWERTUNGEN | EINHEIT | |
| Abfluss-Quellspannung | VDSS | 600 | V | |
| Tor-Quellspannung | VGSS | ±30 | V | |
| Lawinen-Strom (Anmerkung 2) | IAR | 4 | A | |
| Lassen Sie Strom ab | Ununterbrochen | ID | 4,0 | A |
| Pulsiert (Anmerkung 2) | IDM | 16 | A | |
| Lawinen-Energie | Sondern Sie pulsiert aus (Anmerkung 3) | EAS | 160 | mJ |
| Ragen Sie Dioden-Wiederaufnahme dv/dt empor (Anmerkung 4) | dv/dt | 4,5 | V/ns | |
| Verlustleistung | PD | 36 | W | |
| Grenzschichttemperatur | TJ | +150 | °С | |
| Betriebstemperatur | TOPR | -55 | +150 | °С | |
| Lagertemperatur | TSTG | -55 | +150 | °С | |
Anmerkungen: 1. sind Absolutmaximalleistungen jene Werte, über denen hinaus das Gerät dauerhaft geschädigt werden könnte.
Absolute Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen und Funktionsgerätoperation wird nicht bedeutet.
4. Sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25, das TJ = 25°C beginnt
6. ISd-≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, v-DD ≤BVDSS, T beginnendJ = 25°C
| PARAMETER | SYMBOL | BEWERTUNGEN | EINHEIT |
| Kreuzung zu umgebendem | θJA | 62,5 | °С/W |
| Kreuzung zum Fall | θJc | 3,47 | °С/W |
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TJ = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| PARAMETER | SYMBOL | TESTBEDINGUNGEN | MINUTE | ART | Max | EINHEIT | |
| WEG VON DEN EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 10 | μA | |||
| VDS=480V, TC=125°С | 100 | µA | |||||
| Tor-Quelldurchsickern-Strom | Vorwärts | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | Na | ||
| Rückseite | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | Na | ||||
| Durchbruchsspannungs-Temperatur-Koeffizient | △BVDSS/△TJ | ID=250μA, bezogen zu 25°C | 0,6 | V/°С | |||
| AUF EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Tor-Schwellen-Spannung | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 3,0 | 5,0 | V | ||
| Statischer Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | RDS (AN) | VGS=10 V, ID=2.2A | 2,3 | 2,5 | Ω | ||
| DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Input-Kapazitanz | CISS |
VDS =25V, VGS=0V, f =1MHz |
440 | 670 | PF | ||
| Ausgangskapazität | COSS | 50 | 100 | PF | |||
| Rückübergangskapazitanz | CRSS | 6,8 | 20 | PF | |||
| SCHALTCHARAKTERISTIK | |||||||
| Einschaltverzögerungs-Zeit | TD (AN) |
VDD=30V, ID=0.5A, RG=25Ω (Anmerkung 1, 2) |
45 | 60 | ns | ||
| Drehung-auf Anstiegszeit | tR | 35 | 55 | ns | |||
| Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (WEG) | 65 | 85 | ns | |||
| Drehungs--Wegabfallzeit | tF | 40 | 60 | ns | |||
| Gesamttor-Gebühr | QG | VDS=50V, ID=1.3A, ID=100μA VGS=10V (Anmerkung 1, 2) | 15 | 30 | nC | ||
| Tor-Quellgebühr | QGS | 5 | nC | ||||
| Tor-Abfluss-Gebühr | QGD | 15 | nC | ||||
| QUELLabfluss-DIODEN-BEWERTUNGEN UND EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Abfluss-Quelldioden-Vorwärtsspannung | VSD | VGS=0V, IS=4.4A | 1,4 | V | |||
| Maximale ununterbrochene Abfluss-Quelldiode schicken Strom nach | IS | 4,4 | A | ||||
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Maximum pulsierte Abfluss-Quelldiode Vorwärtsstrom |
THEORIE | 17,6 | A | ||||
| Rückgenesungszeit | trr |
VGS=0 V, IS=4.4A, DiF/dt=100 A/μs (Anmerkung 1) |
250 | ns | |||
| Rückwiederaufnahme-Gebühr | QRR | 1,5 | μC | ||||
Anmerkungen: 1. Impuls-Test: Impulsbreite ≤ 300µs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
Ansprechpartner: David
