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Produktdetails:
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| Produktname: | mosfet-Leistungstransistor | Anwendung: | Energie-Management |
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| Merkmal: | Ausgezeichnetes RDS (an) | Energie Mosfet-Transistor: | Anreicherungstyp-Energie MOSFET |
| Modellnummer: | 12N10 | ||
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
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Anreicherungstyp-Energie MOSFET des N-Kanal-HXY12N10
BESCHREIBUNG
Das HXY12N10 verwendet moderne Grabentechnologie und -entwurf, um ausgezeichnetes RDS (AN) mit niedriger Torgebühr zu versehen. Es kann in einer großen Vielfalt von Anwendungen verwendet werden.
EIGENSCHAFTEN
● VDS =100V, ID =12A
RDS (AN) < 130m="">
Anwendung
● Energie-Schaltungsanwendung
● stark und Hochfrequenzwählverbindungen
● unterbrechungsfreie Stromversorgung
| Parameter | Symbol | Grenze | Einheit |
| Abfluss-Quellspannung | VDS | 100 | V |
| Tor-Quellspannung | VGS | ±20 | V |
| Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab | Identifikation | 12 | A |
| Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab (TC=100℃) | ID (100℃) | 6,5 | A |
| Pulsierter Abfluss-Strom | IDM | 38,4 | A |
| Höchstleistungs-Ableitung | PD | 30 | W |
| Herabsetzen des Faktors | 0,2 | W/℃ | |
| Einzelimpulslawinenenergie (Anmerkung 5) | EAS | 20 | mJ |
| Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich | TJ, TSTG | -55 bis 175 | ℃ |
Anmerkung: Steckerbelegung: G: Tor D: Abfluss S: Quelle
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (TC = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| PARAMETER | SYMBOL | BEWERTUNGEN | EINHEIT | |
| Abfluss-Quellspannung | VDSS | 600 | V | |
| Tor-Quellspannung | VGSS | ±30 | V | |
| Ununterbrochener Abfluss-Strom | ID | 10 | A | |
| Pulsierter Abfluss-Strom (Anmerkung 2) | IDM | 40 | A | |
| Lawinen-Strom (Anmerkung 2) | IAR | 8,0 | A | |
| Lawinen-Energie | Sondern Sie pulsiert aus (Anmerkung 3) | EAS | 365 | mJ |
| Ragen Sie Dioden-Wiederaufnahme dv/dt empor (Anmerkung 4) | dv/dt | 4,5 | ns | |
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Verlustleistung |
TO-220 |
PD |
156 | W |
| TO-220F1 | 50 | W | ||
| TO-220F2 | 52 | W | ||
| Grenzschichttemperatur | TJ | +150 | °C | |
| Lagertemperatur | TSTG | -55 | +150 | °C | |
Anmerkungen: 1. sind Absolutmaximalleistungen jene Werte, über denen hinaus das Gerät dauerhaft geschädigt werden könnte.
Absolute Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen und Funktionsgerätoperation wird nicht bedeutet.
4. Sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25, das TJ = 25°C beginnt
6. ISd-≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, v-DD ≤BVDSS, T beginnendJ = 25°C
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TJ = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| Parameter | Symbol | Bedingung | Minute | Art | Maximal | Einheit |
| Weg von den Eigenschaften | ||||||
| Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 100 | 110 | - | V |
| Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Tor-Körper-Durchsickern-Strom | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| Auf Eigenschaften (Anmerkung 3) | ||||||
| Tor-Schwellen-Spannung | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,8 | 2,5 | V |
| Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | RDS (AN) | VGS=10V, ID =8A | 98 | 130 | m-Ω | |
| Vorwärtstransconductance | gFS | VDS=25V, ID=6A | 3,5 | - | - | S |
| Dynamische Eigenschaften (Note4) | ||||||
| Input-Kapazitanz | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 690 | - | PF |
| Ausgangskapazität | Coss | - | 120 | - | PF | |
| Rückübergangskapazitanz | Crss | - | 90 | - | PF | |
| Schaltcharakteristik (Anmerkung 4) | ||||||
| Einschaltverzögerungs-Zeit | TD (an) |
VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 11 | - | nS |
| Drehung-auf Anstiegszeit | tr | - | 7,4 | - | nS | |
| Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (weg) | - | 35 | - | nS | |
| Drehungs--Wegabfallzeit | tf | - | 9,1 | - | nS | |
| Gesamttor-Gebühr | Qg |
VDS=30V, ID=3A, VGS=10V |
- | 15,5 | nC | |
| Tor-Quellgebühr | Qgs | - | 3,2 | - | nC | |
| Tor-Abfluss-Gebühr | Qgd | - | 4,7 | - | nC | |
| Abfluss-Quelldiodenkennlinien | ||||||
| Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) | VSD | VGS=0V, IS=9.6A | - | - | 1,2 | V |
| Dioden-Vorwärtsstrom (Anmerkung 2) | IS | - | - | 9,6 | A | |
| Rückgenesungszeit | trr |
TJ = 25°C, WENN =9.6A di/dt = 100A/μs(Note3) |
- | 21 | nS | |
| Rückwiederaufnahme-Gebühr | Qrr | - | 97 | nC | ||
| Schicken Sie Drehung-auf Zeit nach | Tonne | Intrinsic Drehung-auf Zeit ist geringfügig (Drehung-auf wird durch LS+LD vorgeherrscht) | ||||
Im Wesentlichen Unabhängiger der Betriebstemperatur. Anmerkungen: 1. Impuls-Test: Impulsbreite ≤ 300µs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
Ansprechpartner: David
