|
Produktdetails:
|
| Produktname: | mosfet-Leistungstransistor | Anwendung: | Energie-Management |
|---|---|---|---|
| Merkmal: | Ausgezeichnetes RDS (an) | Energie Mosfet-Transistor: | Anreicherungstyp-Energie MOSFET |
| Modellnummer: | 12N60 | Typ: | n-Kanal mosfet-Transistor |
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
||
Mosfet-Transistor Kanal Soems N, kleiner Mosfet-Netzschalter-Anreicherungstyp
N-Kanal Mosfet-Transistor BESCHREIBUNG
Das UTC 12N60-C ist ein Hochspannungsmacht MOSFET, der entworfen ist, um bessere Eigenschaften, wie schnelle Schaltzeit, niedriger Torvorwurf, niedriger Durchlasswiderstand und hohe schroffe Lawineneigenschaften zu haben. Dieser Macht MOSFET wird normalerweise in den Hochgeschwindigkeitsschaltungsanwendungen von Schaltnetzteilen und von Adaptern benutzt.
N-Kanal Mosfet-Transistor EIGENSCHAFTEN
* RDS(AN)< 0=""> GS = 10 V, ID = 6,0 A
* schnelle Schaltungsfähigkeit
* Lawinenenergie geprüft
* verbesserte dv-/dtfähigkeit, hohe Rauheit
| Auftragsnummer | Paket | Steckerbelegung | Verpacken | |||
| Bleifrei | Halogen geben frei | 1 | 2 | 3 | ||
| 12N60L-TF1-T | 12N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Rohr |
| 12N60L-TF3-T | 12N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Rohr |
Anmerkung: Steckerbelegung: G: Tor D: Abfluss S: Quelle
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (TC = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| PARAMETER | SYMBOL | TESTBEDINGUNGEN | MINUTE | ART | Max | UNI T | |
| WEG VON DEN EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | |||
| Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 1 | μA | |||
| Tor-Quelldurchsickern-Strom | Vorwärts | IGSS | VGS=30V, VDS=0V | 100 | Na | ||
| Rückseite | VGS=-30V, VDS=0V | -100 | Na | ||||
| AUF EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Tor-Schwellen-Spannung | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 | 4,0 | V | ||
| Statischer Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | RDS (AN) | VGS=10V, ID=6.0A | 0,7 | Ω | |||
| DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN | |||||||
| Input-Kapazitanz | CISS |
VGS=0V, VDS=25V, f =1.0 MHZ |
1465 | PF | |||
| Ausgangskapazität | COSS | 245 | PF | ||||
| Rückübergangskapazitanz | CRSS | 57 | PF | ||||
| SCHALTCHARAKTERISTIK | |||||||
| Gesamttor-Gebühr (Anmerkung 1) | QG | VDS=50V, ID=1.3A, IG=100μA VGS=10V (Anmerkung 1,2) | 144 | nC | |||
| Tor-Quellgebühr | QGS | 10 | nC | ||||
| Tor-Abfluss-Gebühr | QGD | 27 | nC | ||||
| Einschaltverzögerungs-Zeit (Anmerkung 1) | TD (AN) |
VDD =30V, ID =0.5A, RG =25Ω, VGS=10V (Anmerkung 1,2) |
81 | ns | |||
| Drehung-auf Anstiegszeit | tR | 152 | ns | ||||
| Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (WEG) | 430 | ns | ||||
| Drehungs--Wegabfallzeit | tF | 215 | ns | ||||
| DRAIN-SOURCE DIODENKENNLINIEN UND MAXIMALLEISTUNGEN | |||||||
| Maximale ununterbrochene Abfluss-Quelldiode schicken Strom nach | IS | 12 | A | ||||
|
Maximum pulsierte Abfluss-Quelldiode Vorwärtsstrom |
THEORIE | 48 | A | ||||
| Abfluss-Quelldioden-Vorwärtsspannung | VSD | VGS=0 V, IS=6.0 A | 1,4 | V | |||
| Rückgenesungszeit | trr |
VGS=0 V, IS=6.0 A, DiF/dt=100 A/μs (Anmerkung 1) |
336 | ns | |||
| Rückwiederaufnahme-Gebühr | Qrr | 2,21 | μC | ||||
Anmerkungen: 1. sind Absolutmaximalleistungen jene Werte, über denen hinaus das Gerät dauerhaft geschädigt werden könnte.
Absolute Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen und Funktionsgerätoperation wird nicht bedeutet.
4. Sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25, das TJ = 25°C beginnt
6. ISd-≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, v-DD ≤BVDSS, T beginnendJ = 25°C
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TJ = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| Parameter | Symbol | Bedingung | Minute | Art | Maximal | Einheit |
| Weg von den Eigenschaften | ||||||
| Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 100 | 110 | - | V |
| Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| Tor-Körper-Durchsickern-Strom | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| Auf Eigenschaften (Anmerkung 3) | ||||||
| Tor-Schwellen-Spannung | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,8 | 2,5 | V |
| Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | RDS (AN) | VGS=10V, ID =8A | 98 | 130 | m-Ω | |
| Vorwärtstransconductance | gFS | VDS=25V, ID=6A | 3,5 | - | - | S |
| Dynamische Eigenschaften (Note4) | ||||||
| Input-Kapazitanz | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 690 | - | PF |
| Ausgangskapazität | Coss | - | 120 | - | PF | |
| Rückübergangskapazitanz | Crss | - | 90 | - | PF | |
| Schaltcharakteristik (Anmerkung 4) | ||||||
| Einschaltverzögerungs-Zeit | TD (an) |
VDD=30V, ID=2A, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 11 | - | nS |
| Drehung-auf Anstiegszeit | tr | - | 7,4 | - | nS | |
| Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (weg) | - | 35 | - | nS | |
| Drehungs--Wegabfallzeit | tf | - | 9,1 | - | nS | |
| Gesamttor-Gebühr | Qg |
VDS=30V, ID=3A, VGS=10V |
- | 15,5 | nC | |
| Tor-Quellgebühr | Qgs | - | 3,2 | - | nC | |
| Tor-Abfluss-Gebühr | Qgd | - | 4,7 | - | nC | |
| Abfluss-Quelldiodenkennlinien | ||||||
| Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) | VSD | VGS=0V, IS=9.6A | - | - | 1,2 | V |
| Dioden-Vorwärtsstrom (Anmerkung 2) | IS | - | - | 9,6 | A | |
| Rückgenesungszeit | trr |
TJ = 25°C, WENN =9.6A di/dt = 100A/μs(Note3) |
- | 21 | nS | |
| Rückwiederaufnahme-Gebühr | Qrr | - | 97 | nC | ||
| Schicken Sie Drehung-auf Zeit nach | Tonne | Intrinsic Drehung-auf Zeit ist geringfügig (Drehung-auf wird durch LS+LD vorgeherrscht) | ||||
Im Wesentlichen Unabhängiger der Betriebstemperatur. Anmerkungen: 1. Impuls-Test: Impulsbreite ≤ 300µs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
Ansprechpartner: David
