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Produktdetails:
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| Produktname: | mosfet-Leistungstransistor | Anwendung: | Energie-Management |
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| Merkmal: | Ausgezeichnetes RDS (an) | Energie Mosfet-Transistor: | Anreicherungstyp-Energie MOSFET |
| Modellnummer: | 13P10D | ||
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
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13P10D -100V Mosfet-Leistungstransistor für Energie-Management ESD protestierte
BESCHREIBUNG
Das 13P10D verwendet moderne Grabentechnologie und -entwurf, um ausgezeichnetes RDS (AN) mit niedrigem gat zu versehen
e-Gebühr. Sie kann in einer großen Vielfalt von Anwendungen verwendet werden. Es ist protestierter ESD.
EIGENSCHAFTEN
VDS =-100V, IDENTIFIKATION =-13A
RDS (AN) <170m>
Verfahrenstechnik des super hohen dichten Grabens des Zellentwurfs modernen zuverlässig und schroff
Celldesign mit hoher Dichte für ultra niedrigen Aufwiderstand
Anwendung
Konverter des Netzschalters DC/DC
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
| Produkt Identifikation | Satz | Markierung | Menge (PCS) |
| 13P10D | TO-252 | 13P10D YYWW | 2500 |
Thermische Eigenschaft
| Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-Fall (Anmerkung 2) | RθJc | 3,13 | ℃/W |
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (TC = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
| Parameter | Symbol | Grenze | Einheit |
| Abfluss-Quellspannung | VDS | -100 | V |
| Tor-Quellspannung | VGS | ±20 | V |
| Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab | Identifikation | -13 | A |
| Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab (TC=100℃) | Identifikation (100℃) | -9,2 | A |
| Pulsierter Abfluss-Strom | IDM | -30 | A |
| Höchstleistungs-Ableitung | PD | 40 | W |
| Herabsetzen des Faktors | 0,32 | W/℃ | |
| Einzelimpulslawinenenergie (Anmerkung 5) | EAS | 110 | mJ |
| Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich | TJ, TSTG | -55 bis 150 | ℃ |
Anmerkungen: 1. sind Absolutmaximalleistungen jene Werte, über denen hinaus das Gerät dauerhaft geschädigt werden könnte.
Absolute Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen und Funktionsgerätoperation wird nicht bedeutet.
4. Sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
5. L = 84mH, IALS =1.4A, VDD = 50V, RG = Ω 25, das TJ = 25°C beginnt
6. ISd-≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, v-DD ≤BVDSS, T beginnendJ = 25°C
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TJ = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
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Im Wesentlichen Unabhängiger der Betriebstemperatur. Anmerkungen: 1. Impuls-Test: Impulsbreite ≤ 300µs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
Ansprechpartner: David
