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Produktdetails:
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| Features: | Leistungsstarke | Produktname: | Transistor des logischen Zustandes |
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| Modellnummer: | 2N60- TO-220F | Abfluss-Quellespannung: | 600v |
| Tor-Quellespannung: | ± 30V | Typ: | N-Kanal Mosfet-Schalter |
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
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Leistungsfähiger Kanal Mosfet-Schalter 2N60 TO-220F des logischen Zustandes des Transistor-/N
BESCHREIBUNG Transistor des logischen Zustandes
Das UTC 2N60-TC3 ist ein Hochspannungsmacht MOSFET und ist entworfen, bessere Eigenschaften, wie schnelle Schaltzeit, niedriger Torvorwurf, niedriger Durchlasswiderstand zu haben und hohe schroffe Lawine zu haben Eigenschaften einer. Dieser Macht MOSFET wird normalerweise an den Hochgeschwindigkeitsschaltungsanwendungen in der Stromversorgung, IN PWM-Motorsteuerungen, in hohem leistungsfähigem DC zu DC-Konvertern und in den Brückenschaltungen benutzt.
EIGENSCHAFTEN Transistor des logischen Zustandes
* hohe Schaltverzögerung RDS ( < 7="">AN) *
SYMBOL Transistor des logischen Zustandes
EINRICHTUNGS-INFORMATIONEN
Auftragsnummer | Paket | Steckerbelegung | Verpacken | |||
Bleifrei | Halogen geben frei | 1 | 2 | 3 | ||
2N60L-TF1-T | 2N60G-TF1-T | TO-220F1 | G | D | S | Rohr |
2N60L-TF3-T | 2N60G-TF3-T | TO-220F | G | D | S | Rohr |
2N60L-TM3-T | 2N60G-TM3-T | TO-251 | G | D | S | Rohr |
Anmerkung: Steckerbelegung: G: Tor D: Abfluss S: Quelle
MARKIERUNG
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (TC = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
PARAMETER | SYMBOL | BEWERTUNGEN | EINHEIT | |
Abfluss-Quellspannung | VDSS | 600 | V | |
Tor-Quellspannung | VGSS | ± 30 | V | |
Lassen Sie Strom ab | Ununterbrochen | Identifikation | 2 | A |
Pulsiert (Anmerkung 2) | IDM | 4 | A | |
Lawinen-Energie | Sondern Sie pulsiert aus (Anmerkung 3) | EAS | 84 | mJ |
Ragen Sie Dioden-Wiederaufnahme dv/dt empor (Anmerkung 4) | dv/dt | 4,5 | V/ns | |
Verlustleistung | TO-220F/TO-220F1 | PD | 23 | W |
TO-251 | 44 | W | ||
Grenzschichttemperatur | TJ | +150 | °C | |
Lagertemperatur | TSTG | -55 | +150 | °C | |
Anmerkungen: 1. sind Absolutmaximalleistungen jene Werte, über denen hinaus das Gerät dauerhaft geschädigt werden könnte.
Absolute Maximalleistungen sind nur Druckbewertungen und Funktionsgerätoperation wird nicht bedeutet.
Sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
L = 84mH, IAS =1.4A, VDD = 50V, RG = beginnendes Ω 25 TJ = 25°C
ISD-≤ 2.0A, di/dt ≤200A/μs, VDD ≤BVDSS, beginnend TJ = 25°C
THERMISCHE DATEN
PARAMETER | SYMBOL | BEWERTUNGEN | EINHEIT | |
Kreuzung zu umgebendem | TO-220F/TO-220F1 | θJA | 62,5 | °C/W |
TO-251 | 100 | °C/W | ||
Kreuzung zum Fall | TO-220F/TO-220F1 | θJC | 5,5 | °C/W |
TO-251 | 2,87 | °C/W | ||
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TJ = 25°С, wenn nicht anders angegeben)
PARAMETER | SYMBOL | TESTBEDINGUNGEN | MINUTE | ART | Max | EINHEIT | |
WEG VON DEN EIGENSCHAFTEN | |||||||
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | VGS=0V, ID= 250μA | 600 |
|
| V | |
Abfluss-Quelldurchsickern-Strom | IDSS | VDS=600V, VGS=0V |
|
| 1 | µA | |
Tor-Quelldurchsickern-Strom | Vorwärts | IGSS | VGS=30V, VDS=0V |
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| 100 | Na |
Rückseite | VGS=-30V, VDS=0V |
|
| -100 | Na | ||
AUF EIGENSCHAFTEN | |||||||
Tor-Schwellen-Spannung | VGS (TH) | VDS=VGS, ID=250μA | 2,0 |
| 4,0 | V | |
Statischer Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | RDS (AN) | VGS=10V, ID=1.0A |
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| 7,0 | Ω | |
DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN | |||||||
Input-Kapazitanz | CISS | |
| 190 |
| PF | |
Ausgangskapazität | COSS |
| 28 |
| PF | ||
Rückübergangskapazitanz | CRSS |
| 2 |
| PF | ||
SCHALTCHARAKTERISTIK | |||||||
Gesamttor-Gebühr (Anmerkung 1) | QG | VDS=200V, VGS=10V, ID=2.0A IG=1mA (Anmerkung 1, 2) |
| 7 |
| nC | |
Gateource-Gebühr | QGS |
| 2,9 |
| nC | ||
Tor-Abfluss-Gebühr | QGD |
| 1,9 |
| nC | ||
Einschaltverzögerungs-Zeit (Anmerkung 1) | TD (AN) | |
| 4 |
| ns | |
Anstiegszeit | tR |
| 16 |
| ns | ||
Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (WEG) |
| 16 |
| ns | ||
Abfallzeit | tF |
| 19 |
| ns | ||
QUELLabfluss-DIODEN-BEWERTUNGEN UND EIGENSCHAFTEN | |||||||
Maximale Körper-Dioden-stationärer Gleichstrom | IST |
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| 2 | A | |
Maximale Körper-Diode pulsierte Strom | THEORIE |
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| 8 | A | |
Abfluss-Quelldioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 1) | VSD | VGS=0V, IS=2.0A |
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| 1,4 | V | |
Rückgenesungszeit (Anmerkung 1) | trr | VGS=0V, IS=2.0A, |
| 232 |
| ns | |
Rückwiederaufnahme-Gebühr | Qrr |
| 1,1 |
| µC | ||
Anmerkungen: 1. Impuls-Test: Impulsbreite ≤ 300µs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
Im Wesentlichen Unabhängiger der Betriebstemperatur.
Ansprechpartner: David
