Produktdetails:
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Produktname: | mosfet-Leistungstransistor | Typ: | N-Kanal |
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Modellnummer: | 5N20DY TO-252 | Abfluss-Quellespannung: | 200 V |
Tor-Quellespannung: | ±20V | Anwendungen: | LED-Antrieb |
Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
Leitungsvermittlung n-Kanal Mosfet-Leistungstransistor-2A 600V für LED-Antrieb
Mosfet-Leistungstransistor-Beschreibung
Der moderne Graben AP50N20D-Gebrauches
Technologie, zum ausgezeichneten RDS (AN) und der niedrigen Torgebühr bereitzustellen.
Die ergänzenden MOSFETs werden benutzt möglicherweise, um einen Niveau verschobenen hohen Seitenschalter und für einen Wirt von anderem zu bilden
Mosfet-Leistungstransistor-allgemeine Eigenschaften
V DS =200V, I D =5A
R DS (AN) <520m>
Mosfet-Leistungstransistor-Anwendung
Lastsschaltung
Stark geschaltet und Hochfrequenz umkreist unterbrechungsfreie Stromversorgung
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
Produkt Identifikation | Satz | Markierung | Menge (PCS) |
5N20D | TO-252 | 5N20D | 3000 |
5N20Y | TO-251 | 5N20Y | 4000 |
Absolute Maximalleistungen (TA=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
Parameter | Symbol | Grenze | Einheit |
Abfluss-Quellspannung | VDS | 200 | V |
Tor-Quellspannung | VGS | ±20 | V |
Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab | Identifikation | 5 | A |
Lassen Sie Gegenwärtig-pulsiert ab (Anmerkung 1) | IDM | 20 | A |
Höchstleistungs-Ableitung | PD | 30 | W |
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich | TJ, TSTG | -55 bis 150 | ℃ |
Thermische Eigenschaft
Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend (Anmerkung 2) | RθJA | 4,17 | ℃/W |
Elektrische Eigenschaften (TA=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
Parameter | Symbol | Bedingung | Minute | Art | Maximal | Einheit |
Weg von den Eigenschaften | ||||||
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 200 | - | - | V |
Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom | IDSS | VDS=200V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
Tor-Körper-Durchsickern-Strom | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
Auf Eigenschaften (Anmerkung 3) | ||||||
Tor-Schwellen-Spannung | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,7 | 2,5 | V |
Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | RDS (AN) | VGS=10V, ID=2A | - | 520 | 580 | mΩ |
Vorwärtstransconductance | gFS | VDS=15V, ID=2A | - | 8 | - | S |
Dynamische Eigenschaften (Note4) | ||||||
Input-Kapazitanz | Clss |
VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 580 | - | PF |
Ausgangskapazität | Coss | - | 90 | - | PF | |
Rückübergangskapazitanz | Crss | - | 3 | - | PF | |
Schaltcharakteristik (Anmerkung 4) | ||||||
Einschaltverzögerungs-Zeit | TD (an) |
VDD=100V, RL=15Ω VGS=10V, RG=2.5Ω |
- | 10 | - | nS |
Drehung-auf Anstiegszeit | tr | - | 12 | - | nS | |
Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (weg) | - | 15 | - | nS | |
Drehungs--Wegabfallzeit | tf | - | 15 | - | nS | |
Gesamttor-Gebühr | Qg |
VDS=100V, ID=2A, VGS=10V |
- | 12 | nC | |
Tor-Quellgebühr | Qgs | - | 2,5 | - | nC | |
Tor-Abfluss-Gebühr | Qgd | - | 3,8 | - | nC | |
Abfluss-Quelldiodenkennlinien | ||||||
Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) | VSD | VGS=0V, IS=2A | - | - | 1,2 | V |
Dioden-Vorwärtsstrom (Anmerkung 2) | IST | - | - | 5 | A |
Anmerkungen:
Symbol |
Maße in den Millimeter | Maße in den Zoll | ||
Min. | Maximum. | Min. | Maximum. | |
A | 2,200 | 2,400 | 0,087 | 0,094 |
A1 | 0,000 | 0,127 | 0,000 | 0,005 |
b | 0,660 | 0,860 | 0,026 | 0,034 |
c | 0,460 | 0,580 | 0,018 | 0,023 |
D | 6,500 | 6,700 | 0,256 | 0,264 |
D1 | 5,100 | 5,460 | 0,201 | 0,215 |
D2 | 0,483 ART. | 0,190 ART. | ||
E | 6,000 | 6,200 | 0,236 | 0,244 |
e | 2,186 | 2,386 | 0,086 | 0,094 |
L | 9,800 | 10,400 | 0,386 | 0,409 |
L1 | 2,900 ART. | 0,114 ART. | ||
L2 | 1,400 | 1,700 | 0,055 | 0,067 |
L3 | 1,600 ART. | 0,063 ART. | ||
L4 | 0,600 | 1,000 | 0,024 | 0,039 |
Φ | 1,100 | 1,300 | 0,043 | 0,051 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
h | 0,000 | 0,300 | 0,000 | 0,012 |
V | 5,350 ART. | 0,211 ART. |
Ansprechpartner: David