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Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

—— -- Jason von Kanada

Unter der Empfehlung meines Freunds, kennen wir in Hua Xuan Yang, ein älterer Experte in Halbleiter und der Industrie der elektronischen Bauelemente aus, die uns ermöglicht, unsere kostbare Zeit und zu verringern, nicht Versuch hat riskieren muss andere Fabriken.

—— -- Виктор von Russland

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Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N

Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N
Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N

Großes Bild :  Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 18N20 TO-263
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N

Beschreibung
Features: Oberflächenbergpaket Produktname: n-Kanaltransistor
Modellnummer: 18N20 TO-263 Abfluss-Quellespannung: 200 V
Ununterbrochener Abfluss-Strom: 18A Anwendungen: Logik mosfet-Schalter
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N
 
N-Kanal-Transistor-Beschreibung
 
Die moderne flache Technologie des Gebrauches 18N20X
zu ausgezeichnetes RDS (an), niedrige Torgebühr und Operation mit den Torspannungen versorgen so niedrig wie 2.5V. Dieses Gerät ist für Gebrauch als Körperverletzungsschutz oder in anderer Schaltungsanwendung passend.
Allgemeine Eigenschaften
Vds = 200V Identifikation = 18A
RDS (an) < 120mQ=""> 
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
 

Produkt Identifikation

Satz

Markierung

Menge (PCS)

18N20P

TO-220

18N20P XXX YYYY

1000

18N20F

TO-263

18N20F XXX YYYY

1000

 
Absolute Maximalleistungen Tc=25°C wenn nicht anders vermerkt
 

 Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N 0
Anreicherungstyp MOSFET des N-Kanal-200V
 

Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N 1
 

Impuls-Test: Impulsbreite < 300=""> 
Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N 2
Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N 3
Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N 4

Entwurf des Paket-TO-252

Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N 5

MASSE (Einheit: Millimeter)

Symbol

Minute

Art

Maximal

Symbol

Minute

Art

Maximal

A

2,22

2,30

2,38

A1

0,46

0,58

0,93

b

0,71

0,79

0,89

b1

0,90

0,98

1,10

b2

5,00

5,30

5,46

c

0,20

0,40

0,56

D1

5,98

6,05

6,22

D2

--

4,00

--

E

6,47

6,60

6,73

E1

5,10

5,28

5,45

e

--

2,28

--

e1

--

4,57

--

Hd

9,60

10,08

10,40

L

2,75

2,95

3,05

L1

--

0,50

--

L2

0,80

0,90

1,10

w

--

0,20

--

y

0,20

--

--

 

 
TO-220-3L Paket-Informationen
Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N 6

Symbol

Maße in den Millimeter

Maße in den Zoll

Min.

Maximum.

Min.

Maximum.

A

4,400

4,600

0,173

0,181

A1

2,250

2,550

0,089

0,100

b

0,710

0,910

0,028

0,036

b1

1,170

1,370

0,046

0,054

c

0,330

0,650

0,013

0,026

Cl

1,200

1,400

0,047

0,055

D

9,910

10,250

0,390

0,404

E

8,9500

9,750

0,352

0,384

E1

12,650

12,950

0,498

0,510

e

2,540 ART.

0,100 ART.

EL

4,980

5,180

0,196

0,204

F

2,650

2,950

0,104

0,116

H

7,900

8,100

0,311

0,319

h

0,000

0,300

0,000

0,012

L

12,900

13,400

0,508

0,528

L1

2,850

3,250

0,112

0,128

V

7,500 Verweis.

0,295 Verweis.

3,400

3,800

0,134

0,150

 
O-263-2L Paket-Informationen
Kanal-Transistor-/Logik Mosfet-Schalter-Oberflächen-Berg-Paket des Anreicherungstyp-N 7

SYMBOL

Inc.

HIES

MILLIM

ETERS

NOTIES

MINUTE

Max

MINI

Max

A

0,170

0,180

4,32

4,57

 

A1

-

0,010

-

0,25

 

b

0,028

0,037

0,71

0,94

 

b2

0,045

0,055

1,15

1,40

 

c

0,018

0,024

0,46

0,61

 

c2

0,04|8

0,055

1,22

1,40

 

D

0,350

0,370

8,89

9,40

 

D1I

0,315

0,324

8,01

8,23

 

E

0,395

0,405

10,04

10,28

 

E1

0,310

0,318

7,88

8,08

 

e

0,100

BSC.

2,54

BSC.

 

L

0,580

0,620

14,73

15,75

 

L1I

0,090

0,110

2,29

2,79

 

L2

0,045

0,055

1,15

1,39

 

L3

0,050

0,070

1,27

1,77

 

B

Cr

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

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