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Produktdetails:
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| Features: | Oberflächenbergpaket | Produktname: | mosfet-Leistungstransistor |
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| Modellnummer: | 50P03NF TO-252 | Abfluss-Quellespannung: | -30 V |
| Tor-Quellespannung: | ±20 V | Anwendungen: | Lasts-Schalter-Energie-Management |
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
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50P03NF TO-252 Mosfet-Leistungstransistor für Lasts-Schalter-Energie-Management
Mosfet-Leistungstransistor BESCHREIBUNG
Das 50P03NF setzt moderne Grabentechnologie ein, um zur Verfügung zu stellen
ausgezeichnetes R DS (AN), niedrige Torgebühr und Operation mit Tor
Spannungen so niedrig wie 4.5V. Dieses Gerät ist für passend
Gebrauch als aload Schalter oder in PWM-Anwendungen.
Mosfet-Leistungstransistor GENERAL EIGENSCHAFTEN
V DS = -30V, I D = -50A
R hoher Leistung DS (AN < 18m="">
) R DS (AN < 13m="">
) und gegenwärtige Übergebungsfähigkeit
Bleifreies Produkt wird erworben
Oberflächenbergpaket
Mosfet-Leistungstransistor-Anwendung
PWM-Anwendungen
Lastsschalter
Energiemanagement
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (TA=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (TA=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
ANMERKUNGEN:
1. Sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
2. Oberfläche angebracht an 1in 2 FR4 Brett, t-≤ 10 sek.
3. Impuls-Test: Impuls-Breite ≤ 300μs, Arbeitszyklus ≤ 2%. 4. mit Absicht, nicht abhängig von garantiert Produktionsprüfung.
TYPISCHE ELEKTRISCHE UND THERMISCHE EIGENSCHAFTEN
Informationen des Paket-DFN5X6-8
Ansprechpartner: David
