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V Konfigurations-MOS-Feld-Effekt-Transistor N/p-Kanal-Anreicherungstyp

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

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V Konfigurations-MOS-Feld-Effekt-Transistor N/p-Kanal-Anreicherungstyp

V Konfigurations-MOS-Feld-Effekt-Transistor N/p-Kanal-Anreicherungstyp
V Konfigurations-MOS-Feld-Effekt-Transistor N/p-Kanal-Anreicherungstyp

Großes Bild :  V Konfigurations-MOS-Feld-Effekt-Transistor N/p-Kanal-Anreicherungstyp

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: 10P10 DU
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1000-2000 PC
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

V Konfigurations-MOS-Feld-Effekt-Transistor N/p-Kanal-Anreicherungstyp

Beschreibung
Produktname: MOS-Feld-Effekt-Transistor V DSS-Abfluss-Quellspannung: -100 V
V GSS-Tor-Quellspannung: ±20 V Maximale Grenzschichttemperatur T J: °C 175
Lagertemperaturbereich T STG: °C -55 bis 175 Typ: V Konfigurationen
Markieren:

Logik mosfet-Schalter

,

mosfet-Fahrer

V Konfigurations-MOS-Feld-Effekt-Transistor N/p-Kanal-Anreicherungstyp

 

MOS-Feld-Effekt-Transistor-Einleitung

 

Mosfet-Technologie ist für Gebrauch in vielen Energieanwendungen ideal, in denen der niedrige Schalter auf Widerstand hohen Stufen von Leistungsfähigkeit ermöglicht erreicht zu werden.

Es gibt einige unterschiedliche Vielzahl von Energie MOSFET verfügbar von den verschiedenen Herstellern, von jedem mit seinen eigenen Eigenschaften und von den Fähigkeiten.

Viele Energie MOSFETs enthalten eine vertikale Strukturtopologie. Dieses ermöglicht hoher gegenwärtiger Schaltung mit hoher Leistungsfähigkeit innerhalb eines verhältnismäßig kleinen sterben Bereich. Es ermöglicht auch dem Gerät, gegenwärtige und der Spannung Schaltung zu stützen hoch.

 

MOS-Feld-Effekt-Transistor-Eigenschaft Pin-Beschreibung


-100V/-10A
R DS (AN) = (Art.) @V 187mΩ GS = -10V
R DS (AN) = (Art.) @V 208mΩ GS = -4.5V
100%Avalanche geprüft
Zuverlässig und schroff
Halogen frei und grünes DevicesAvailable
(RoHSCompliant)

 

MOS-Feld-Effekt-Transistor-Anwendungen


Energie-Management für Inverter-Systeme

 

Einrichtungsund Markierungsinformationen


Paket-Code


D: TO-252-2L U: TO-251-3L
Datums-Code-Versammlungs-Material
YYXXX WW G: Halogen geben frei


Anmerkung: Bleifreie Produkte HUAYI enthalten, Formteilmittel/sterben Befestigungsmaterialien und 100% Lechzinn plateTermi-
Nationsende; welche mit RoHS völlig konform sind. Bleifreie Produkte HUAYI treffen oder übersteigen das bleifreie erfordern
ments von IPC/JEDEC J-STD-020 für MSL-Klassifikation bei der bleifreien Höchstrückfluttemperatur. HUAYI definiert „Grün“
zu bleifreies (RoHS konform) und das Halogen bedeuten frei (Br oder Cl übersteigt nicht 900ppm nach Gewicht in homogenem
materiell und total vom Br und vom Cl übersteigt nicht 1500ppm nach Gewicht).
HUAYI behält sich das Recht vor, Änderungen, Korrekturen, Verbesserungen, Änderungen und Verbesserungen zu dieser PR zu machen
- oduct und/oder zu diesem Dokument jederzeit ohne vorherige Ankündigung

 

Absolute Maximalleistungen

 

V Konfigurations-MOS-Feld-Effekt-Transistor N/p-Kanal-Anreicherungstyp 0

Anmerkung: * sich wiederholende Bewertung; Impulsbreite begrenzt durch max.junctions-Temperatur.
** Begrenzt durch T J maximal, T J =25°C, L = 0.5mH, VD=-80V, V GS =-10V beginnend.

 

Elektrische Eigenschaften (Tc =25°C wenn nicht anders vermerkt)

 

V Konfigurations-MOS-Feld-Effekt-Transistor N/p-Kanal-Anreicherungstyp 1

Elektrische Eigenschaften (Inh.) (Tc =25°C wenn nicht anders vermerkt)

 

V Konfigurations-MOS-Feld-Effekt-Transistor N/p-Kanal-Anreicherungstyp 2

Anmerkung: *Pulse Test, pulsewidth≤ 300us, dutycycle≤ 2%

 

V Konfigurations-MOS-Feld-Effekt-Transistor N/p-Kanal-Anreicherungstyp 3

 

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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