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Produktdetails:
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| Produktname: | N schreiben Transistor | V DSS-Abfluss-Quellspannung: | -30 V |
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| V GSS-Tor-Quellspannung: | ±20 V | Maximale Grenzschichttemperatur T J: | °C 150 |
| Lagertemperaturbereich T STG: | °C -55 bis 150 | I s-Quelle Gegenwärtig-ununterbrochen (Körper-Diode): | -90 A |
| Markieren: | Logik mosfet-Schalter,mosfet-Fahrer |
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P kanalisieren n-Art Transistor, Hochspannungsmosfet energie 19P03 D-U-V
N schreiben Transistor-Einleitung
Ein Energie MOSFET ist eine spezielle Art Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistor. Er ist besonders entworfen, um hochrangige Energien zu behandeln. Die Energie MOSFET werden in einer v-Konfiguration konstruiert. Deshalb wird sie auch als V-MOSFET, VFET genannt. Die Symbole von n-Kanal- u. p-Kanalenergie MOSFET werden in der untengenannten Zahl gezeigt.
N schreiben Transistor-Eigenschaft
-30V/-90A
R DS (AN) = 4.8mΩ (Art.) @V GS = 10V
R DS (AN) = 6.5mΩ (Art.) @V GS = 4.5V
Lawine 100% geprüft
Zuverlässig und schroff
Bleifreie und grüne Geräte
Verfügbar (RoHS konform)
N schreiben Transistor-Anwendungen
Schaltungsanwendung
Energie-Management für Inverter-Systeme.
Einrichtungsund Markierungsinformationen
D U V
19P03 19P03 19P03
YYXXXJWW G YYXXXJWW G YYXXXJWW G
Paket-Code
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
Datums-Code-Versammlungs-Material
YYXXX WW G: Halogen geben frei
Anmerkung: Bleifreie Produkte HUAYI enthalten, Formteilmittel/sterben Befestigungsmaterialien und 100% LechWeißblech
Beendigungsende; welche mit RoHS völlig konform sind. Bleifreie Produkte HUAYI treffen oder übersteigen die Führung
Freie Anforderungen von IPC/JEDEC J-STD-020 für MSL-Klassifikation bei der bleifreien Höchstrückfluttemperatur.
HUAYI definiert „Grün“, um das freie Halogen zu bedeuten bleifreies (RoHS konform) und (Br oder Cl übersteigt nicht
900ppm nach Gewicht im homogenen Material und in der Summe Br und Cl übersteigt nicht 1500ppm nach Gewicht).
HUAYI behält sich das Recht vor, Änderungen, Korrekturen, Verbesserungen, Änderungen und improveme NTS zu zu machen
dieses Produkt und/oder zu diesem Dokument jederzeit ohne vorherige Ankündigung.
Absolute Maximalleistungen
Anmerkung: * sich wiederholende Bewertung; Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
** Oberfläche angebracht am Brett FR-4.
*** Begrenzt durch T J maximal, T J =25°C, L = 0.3mH, R beginnend G = 25Ω, V GS =10V.
Elektrische Eigenschaften (Tc =25°C wenn nicht anders vermerkt)
Elektrische Eigenschaften (Inh.) (Tc =25°C wenn nicht anders vermerkt)
Anmerkung: *Pulse Test; Impulsbreite ≤ 300us, Arbeitszyklus ≤ 2%
Ansprechpartner: David
