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Kundengebundener Größen-MOS-Feld-Effekt-Transistor mit Tief AUF Widerstand

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

—— -- Jason von Kanada

Unter der Empfehlung meines Freunds, kennen wir in Hua Xuan Yang, ein älterer Experte in Halbleiter und der Industrie der elektronischen Bauelemente aus, die uns ermöglicht, unsere kostbare Zeit und zu verringern, nicht Versuch hat riskieren muss andere Fabriken.

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Kundengebundener Größen-MOS-Feld-Effekt-Transistor mit Tief AUF Widerstand

Kundengebundener Größen-MOS-Feld-Effekt-Transistor mit Tief AUF Widerstand
Kundengebundener Größen-MOS-Feld-Effekt-Transistor mit Tief AUF Widerstand

Großes Bild :  Kundengebundener Größen-MOS-Feld-Effekt-Transistor mit Tief AUF Widerstand

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: G023N03LR1D-U-V
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Kundengebundener Größen-MOS-Feld-Effekt-Transistor mit Tief AUF Widerstand

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor V DSS-Abfluss-Quellspannung: 30 V
V GSS-Tor-Quellspannung: ±20 V Maximale Grenzschichttemperatur T J: °C -55 bis 175
Lagertemperaturbereich T STG: °C -55 bis 175 I s-Quelle Gegenwärtig-ununterbrochen (Körper-Diode): 110 A
Markieren:

Logik mosfet-Schalter

,

mosfet-Fahrer

Kundengebundener Größen-MOS-Feld-Effekt-Transistor mit Tief AUF Widerstand

 

MOS-Feld-Effekt-Transistor-Einleitung

 

Energie MOSFETs werden normalerweise in den Anwendungen benutzt, in denen Spannungen nicht ungefähr 200 Volt übersteigen. Höhere Spannungen sind nicht so leicht erreichbar. Wo die Energie MOSFETs benutzt werden, ist es ihr Tief AUF Widerstand, der besonders attraktiv ist. Dieses verringert Verlustleistung, die Kosten verringert und sortiert weniger Metallverarbeitung und das Abkühlen wird angefordert. Auch das Tief AUF Widerstand bedeutet, dass Leistungsfähigkeits-Niveaus an einem hochgradigen aufrechterhalten werden können.

 

MOS-Feld-Effekt-Transistor-Eigenschaft

 

30V/110A
R DS (AN) = (Art.) @V 2.1mΩ GS = 10V
R DS (AN) = (Art.) @V 2.7mΩ GS = 4.5V
Lawine 100% geprüft
Zuverlässig und schroff
Halogen frei und grüne Geräte verfügbar

 

MOS-Feld-Effekt-Transistor-Anwendungen

 

Schaltungsanwendung

Batterie-Schutz

Energie-Management für DC/DC

 

Einrichtungsund Markierungsinformationen

 

D U V

G023N03 G023N03 G023N03

 

Paket-Code
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S

 

Datums-Code

 

Anmerkung: Bleifreie Produkte HUAYI enthalten, Formteilmittel/sterben Befestigungsmaterialien und 100% Lechzinn plateTermi-
Nationsende; welche mit RoHS völlig konform sind. Bleifreie Produkte HUAYI treffen oder übersteigen das bleifreie erfordern
ments von IPC/JEDEC J-STD-020 für MSL-Klassifikation bei der bleifreien Höchstrückfluttemperatur. HUAYI definiert „Grün“
zu bleifreies (RoHS konform) und das Halogen bedeuten frei (Br oder Cl übersteigt nicht 900ppm nach Gewicht in homogenem
materiell und total vom Br und vom Cl übersteigt nicht 1500ppm nach Gewicht).
HUAYI behält sich das Recht vor, Änderungen, Korrekturen, Verbesserungen, Änderungen und Verbesserungen zu dieser PR zu machen
- oduct und/oder zu diesem Dokument jederzeit ohne vorherige Ankündigung.

 

Absolute Maximalleistungen

 

Kundengebundener Größen-MOS-Feld-Effekt-Transistor mit Tief AUF Widerstand 0

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Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

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