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Produktdetails:
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| Produktname: | Transistor der hohen Leistung | V DSS-Abfluss-Quellspannung: | 40 V |
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| V GSS-Tor-Quellspannung: | ±20 V | Maximale Grenzschichttemperatur T J: | °C -55 bis 175 |
| Lagertemperaturbereich T STG: | °C -55 bis 175 | I s-Quelle Gegenwärtig-ununterbrochen (Körper-Diode): | 150A |
| Markieren: | Logik mosfet-Schalter,mosfet-Fahrer |
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Transistor der hohen Leistung 150A, Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor 40V N
Transistor-Anwendungen der hohen Leistung
Technologie der Energie MOSEFET ist auf viele Arten Stromkreis anwendbar. Anwendungen umfassen:
Transistor-Eigenschaft der hohen Leistung
40V/150A
R DS (AN) = (Art.) @V 2.4mΩ GS = 10V
R DS (AN) = (Art.) @V 4.2mΩ GS = 4.5V
Lawine 100% geprüft
Zuverlässig und schroff
Halogen frei und grüne Geräte verfügbar
(RoHS konform)
Einrichtungsund Markierungsinformationen
D U V
G023N04 G023N04 G023N04
Paket-Code
D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S
Datums-Code
Anmerkung: Bleifreie Produkte HUAYI enthalten, Formteilmittel/sterben Befestigungsmaterialien und 100% Lechzinn plateTermi-
Nationsende; welche mit RoHS völlig konform sind. Bleifreie Produkte HUAYI treffen oder übersteigen das bleifreie erfordern
ments von IPC/JEDEC J-STD-020 für MSL-Klassifikation bei der bleifreien Höchstrückfluttemperatur. HUAYI definiert „Grün“
zu bleifreies (RoHS konform) und das Halogen bedeuten frei (Br oder Cl übersteigt nicht 900ppm nach Gewicht in homogenem
materiell und total vom Br und vom Cl übersteigt nicht 1500ppm nach Gewicht).
HUAYI behält sich das Recht vor, Änderungen, Korrekturen, Verbesserungen, Änderungen und Verbesserungen zu dieser PR zu machen
- oduct und/oder zu diesem Dokument jederzeit ohne vorherige Ankündigung.
Absolute Maximalleistungen
Ansprechpartner: David
