Startseite Produktemosfet-Leistungstransistor

Dauerhafter Hochgeschwindigkeitsenergie-Schalttransistor, Energie Darlington-Transistor

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

—— -- Jason von Kanada

Unter der Empfehlung meines Freunds, kennen wir in Hua Xuan Yang, ein älterer Experte in Halbleiter und der Industrie der elektronischen Bauelemente aus, die uns ermöglicht, unsere kostbare Zeit und zu verringern, nicht Versuch hat riskieren muss andere Fabriken.

—— -- Виктор von Russland

Ich bin online Chat Jetzt

Dauerhafter Hochgeschwindigkeitsenergie-Schalttransistor, Energie Darlington-Transistor

Dauerhafter Hochgeschwindigkeitsenergie-Schalttransistor, Energie Darlington-Transistor
Dauerhafter Hochgeschwindigkeitsenergie-Schalttransistor, Energie Darlington-Transistor

Großes Bild :  Dauerhafter Hochgeschwindigkeitsenergie-Schalttransistor, Energie Darlington-Transistor

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AOD409
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Dauerhafter Hochgeschwindigkeitsenergie-Schalttransistor, Energie Darlington-Transistor

Beschreibung
Produktname: Hochgeschwindigkeitsenergie-Schalttransistor Modell: AOD409
V DS: -60V I D (an V GS =-10V): -26A
R DS (AN) (an V GS =-10V): < 40m=""> R DS (AN) (an V GS =-4.5V): < 55m="">
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

Dauerhafter Hochgeschwindigkeitsenergie-Schalttransistor, Energie Darlington-Transistor

 

Allgemeine Beschreibung

 

• Graben-Energie Millivolt MOSFET-Technologie
• Niedriges R DS (AN)
• Niedrige Tor-Gebühr
• Optimiert für Schnellschaltungsanwendungen

 

Anwendung

 

Synchronus-Korrektur in DC-/DC und AC-/DCkonvertern

Industrielle und Motorantriebanwendungen

 

Parameter

 

Teilnummer

Status

Paket

Polarität

VDS (V)

VGS (±V)

Identifikation (a)

PD (W)

† RDS (AN) (mΩ maximal) an VGS=

VGS (Th)
(maximales V)

Ciss
(PF)

Coss
(PF)

Crss
(PF)

Qg*
(nC)

Qgd
(nC)

TD (an)
(ns)

TD (weg)
(ns)

Trr
(ns)

Qrr
(nC)

25°C

25°C

10V

4.5V

2.5V

1.8V

AOD240

Volle Produktion

TO-252

N

40

20

70

150

3

3,9

 

 

2,2

3510

1070

68

22

7

11

38

21

58

AOD403

Nicht für neue Entwürfe

TO-252

P

-30

25

-70

90

8

 

 

 

-3,5

2890

585

470

51*

16

16

45

18

11

AOD407

Volle Produktion

TO-252

P

-60

20

-12

50

115

150

 

 

-3

987

114

46

7,4

3,5

9

25

27,5

30

AOD409

Volle Produktion

TO-252

P

-60

20

-26

60

40

55

 

 

-2,4

2977

241

153

22,2

10

12

38

40

59

AOD409G

Volle Produktion

TO-252

P

-60

20

-28

60

40

55

 

 

-2,5

2350

160

115

22

10

12

38

23

107

AOD413A

Volle Produktion

TO-252

P

-40

20

-12

50

44

66

 

 

-3

900

97

68

7,2

3,5

6,2

44,8

21,2

13,8

AOD417

Volle Produktion

TO-252

P

-30

20

-25

50

34

55

 

 

-3

920

140

90

8,2

3,6

8

22

23

14

AOD418

Volle Produktion

TO-252

N

30

20

36

50

7,5

11

 

 

2,5

1150

180

105

9,5

5

6,5

17

8,7

13,5

AOD423

Nicht für neue Entwürfe

TO-252

P

-30

25

-70

90

8

 

 

 

-3,5

2760

550

375

45*

12

13

35

15

30

AOD424

Volle Produktion

TO-252

N

20

12

45

100

4,4

5,7

 

 

1,6

3860

740

580

36

12

7

70

17

36

AOD424G

Volle Produktion

TO-252

N

20

12

46

50

 

4,9

6,3

 

1,25

3300

485

370

31

8

 

 

17

30

AOD442

Nicht für neue Entwürfe

TO-252

N

60

20

38

60

20

25

 

 

3

1920

155

116

24,2

14,4

7,4

28,2

3

46

AOD442G

Volle Produktion

TO-252

N

60

20

40

60

18

23

 

 

2,7

1920

155

115

24

14,5

 

 

30

105

AOD444

Volle Produktion

TO-252

N

60

20

12

20

60

85

 

 

3

450

61

27

3,8

1,9

4,2

16

27

30

AOD454A

Nicht für neue Entwürfe

TO-252

N

40

20

20

37

30

40

 

 

3

516

82

43

8,3

1,6

6,4

16,2

18

10

AOD464

Volle Produktion

TO-252

N

105

25

40

100

28

31*

 

 

4

2038

204

85

38.5*

10

12,7

31,5

59,6

161

AOD478

Volle Produktion

TO-252

N

100

20

11

45

140

152

 

 

2,8

445

29

16

5,1

2,4

8

17

21

97

AOD480

Nicht für neue Entwürfe

TO-252

N

30

20

25

21

23

33

 

 

2,6

373

67

41

3,5

1,6

4,3

15,8

10,5

4,5

AOD482

Volle Produktion

TO-252

N

100

20

32

100

37

42

 

 

2,7

1630

100

50

18

9

7

29

32

200

AOD486A

Nicht für neue Entwürfe

TO-252

N

40

20

50

50

9,8

13

 

 

3

1600

320

100

10,5

4,8

6,5

33

31

33

AOD508

Volle Produktion

TO-252

N

30

20

70

50

3

4,5

 

 

2,2

2010

898

124

17

8

7,5

37

14

20,3

AOD514

Nicht für neue Entwürfe

TO-252

N

30

20

46

50

5,9

11,9

 

 

2,4

1187

483

60

8,8

3,6

7,3

21,8

14,7

24

AOD516

Nicht für neue Entwürfe

TO-252

N

30

20

46

50

5

10

 

 

2,6

1333

512

42

8,5

2,5

7,5

23,3

14,1

16,2

AOD536

Volle Produktion

TO-252

N

30

20

46

37,5

8,5

14,7

 

 

2,2

1140

400

45

6,5

2,5

7

18,5

12

20

AOD538

Volle Produktion

TO-252

N

30

20

70

93

3,1

4,8

 

 

3,1

2160

915

115

14

6,3

8

29

16,5

34,2

AOD558

Volle Produktion

TO-252

N

30

20

50

50

5,4

9,5

 

 

2,4

1187

483

60

4,1

3,6

 

 

14,7

24

AOD2144

Volle Produktion

TO-252

N

40

20

120

156

2,3

4

 

 

2,4

5225

895

55

28

4,5

 

 

20

60

AOD2146

Volle Produktion

TO-252

N

40

20

54

100

3,1

4,2

 

 

2,5

3830

630

45

20

3

 

 

18,5

50

AOD2606

Volle Produktion

TO-252

N

60

20

46

150

6,8

 

 

 

3,5

4050

345

16,8

22

5

18

33

26

125

AOD2610E

Volle Produktion

TO-252

N

60

20

46

59,5

9,5

13,3

 

 

2,4

1100

300

28

7

3,5

 

 

19

65

AOD2910

Volle Produktion

TO-252

N

100

20

31

53,5

24

33

 

 

2,7

1190

95

7

7

2,5

7

20

30

145

AOD2910E

Volle Produktion

TO-252

N

100

20

37

71,5

23

33

 

 

2,7

1200

93

6,3

8

2,5

7

20

25

120

AOD2916

Volle Produktion

TO-252

N

100

20

25

50

34

43,5

 

 

2,7

870

68

3,5

5,5

2

7,5

23

20

88

AOD2922

Volle Produktion

TO-252

N

100

20

7

17

140

176

 

 

2,7

250

19

2,5

1,8

0,8

5

19

19

52

AOD21357

Neu

TO-252

P

-30

25

-70

78

8

13

 

 

-2,3

2830

430

365

35

12

12,5

125

32

62

AOD4126

Volle Produktion

TO-252

N

100

25

43

100

24

30*

 

 

4

1770

165

55

28*

10

12

17

20

82

AOD4130

Nicht für neue Entwürfe

TO-252

N

60

20

30

52

24

30

 

 

2,8

1582

100

67

13,4

7,2

7,5

33

22

76

AOD4132

Volle Produktion

TO-252

N

30

20

85

100

4

6

 

 

3

3700

700

390

33

17,6

12

40

34

30

AOD4184A

Nicht für neue Entwürfe

TO-252

N

40

20

50

50

7

9,5

 

 

2,6

1500

215

135

14

6

6

30

29

26

AOD4185

Volle Produktion

TO-252

P

-40

20

-40

62,5

15

20

 

 

-3

2550

280

190

18,6

8,6

9,4

55

38

47

AOD4186

Nicht für neue Entwürfe

TO-252

N

40

20

35

50

15

19

 

 

2,7

980

130

80

9

4,5

6

26

12

31

AOD4189

Volle Produktion

TO-252

P

-40

20

-40

62,5

22

29

 

 

-3

1870

185

155

7,9

6,2

10

38

32

30

AOD4286

Volle Produktion

TO-252

N

100

20

14

30

68

92

 

 

2,9

390

30

3

2,8

1,2

6

18

15

53

AOD66406

Volle Produktion

TO-252

N

40

20

60

52

6,1

9,4

 

 

2,5

1480

245

13

8,5

3

 

 

11

21

AOD66616

Neu

TO-252

N

60

20

70

113

3,7

 

 

 

3,4

2870

940

38

42.5*

10

14,5

33

26

87

 

  1. Der Wert von r-θJA wird mit dem Gerät gemessen, das an 1in Brett 2 FR-4 mit 2oz angebracht wird. Verkupfern Sie, in einer ruhigen Luftumwelt mit T A =25°C. basiert die Verlustleistung P DSM auf r-θJA und die Maximum gewährte Grenzschichttemperatur von 150°C. der Wert in jeder möglicher gegebenen Anwendung hängt vom spezifischen Leiterplattenentwurf des Benutzers ab, und die maximale Temperatur von 175°C wird verwendet möglicherweise, wenn das PWB sie erlaubt.
  2. Die Verlustleistung P D basiert auf T J (max) =175°C, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Kreuzung-zufalles, und ist nützlicher, wenn man die upperdissipation Grenze für Fälle festsetzt, in denen das zusätzliche Heatsinking verwendet wird.
  3. Sich wiederholende Bewertung, die Impulsbreite, die durch Grenzschichttemperatur T J (max) begrenzt ist =175°C. Bewertungen basieren auf Niederfrequenz- und Dienstzyklen, um Anfangst J =25°C. zu halten.
  4. Das r-θJA ist die Summe des thermischen Widerstands von der Kreuzung, zum von von r-θJC und -kasten zu umgebendem zu umkleiden.
  5. Die statischen Eigenschaften in Tabellen 1 bis 6 werden unter Verwendung erreicht <300>
  6. Diese Kurven basieren auf dem thermischen Widerstand des Kreuzung-zufalles, der mit dem Gerät gemessen wird, das zu einem großen Kühlkörper angebracht wird und annehmen, dass eine maximale Grenzschichttemperatur von T J (max) =175°C. die SOA-Kurve eine Einzelimpulsbewertung liefert.
  7. Die maximale gegenwärtige Bewertung ist das begrenzte Paket.
  8. Diese Tests werden mit dem Gerät durchgeführt, das an 1 in Brett 2 FR-4 mit 2oz angebracht wird. Verkupfern Sie, in einer ruhigen Luftumwelt mit T A =25°C.

 

dieses Produkt ist für den Absatzmarkt für Konsumgüter bestimmt worden und qualifiziert worden. Anwendungen oder Gebrauch, wie kritisch
Komponenten in den Geräten oder in den Systemen der lebenserhaltenden Maßnahmen werden nicht autorisiert. AOS nimmt kein Haftungsentstehen an
aus solchen Anwendungen oder Gebrauch seiner Produkte heraus. AOS behält sich das Recht vor, Konzeption des Produkts zu verbessern,
Funktionen und Zuverlässigkeit ohne vorherige Ankündigung.

 

TYPISCHE ELEKTRISCHE UND THERMISCHE EIGENSCHAFTEN

 

Dauerhafter Hochgeschwindigkeitsenergie-Schalttransistor, Energie Darlington-Transistor 0Dauerhafter Hochgeschwindigkeitsenergie-Schalttransistor, Energie Darlington-Transistor 1Dauerhafter Hochgeschwindigkeitsenergie-Schalttransistor, Energie Darlington-Transistor 2

Tor-Gebührentest-Stromkreis u. Wellenform

 

Dauerhafter Hochgeschwindigkeitsenergie-Schalttransistor, Energie Darlington-Transistor 3

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

Hinterlass eine Nachricht

Wir rufen Sie bald zurück!