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Ursprüngliche ergänzende Leistungstransistoren/Feld-Effekt-Transistor AP5N10LI

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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Ursprüngliche ergänzende Leistungstransistoren/Feld-Effekt-Transistor AP5N10LI

Ursprüngliche ergänzende Leistungstransistoren/Feld-Effekt-Transistor AP5N10LI
Ursprüngliche ergänzende Leistungstransistoren/Feld-Effekt-Transistor AP5N10LI Ursprüngliche ergänzende Leistungstransistoren/Feld-Effekt-Transistor AP5N10LI Ursprüngliche ergänzende Leistungstransistoren/Feld-Effekt-Transistor AP5N10LI

Großes Bild :  Ursprüngliche ergänzende Leistungstransistoren/Feld-Effekt-Transistor AP5N10LI

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP5N10LI
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Ursprüngliche ergänzende Leistungstransistoren/Feld-Effekt-Transistor AP5N10LI

Beschreibung
Produktname: Ergänzende Leistungstransistoren Modell: AP5N10LI
Markierung: MA6S Satz: SOT23
VDSDrain-Quellspannung: 100V VGSGate-Source Spannung: ±20A
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

Ursprüngliche ergänzende Leistungstransistoren/Feld-Effekt-Transistor AP5N10LI

 

Ergänzende Leistungstransistor-Beschreibung

 

Das AP5N10LI setzt moderne Grabentechnologie ein, um ausgezeichnetes R DS (AN), niedrige Torgebühr und Operation zur Verfügung zu stellen mit den Torspannungen, die so niedrig sind wie 4.5V. Dieses Gerät ist für Gebrauch als Körperverletzungsschutz oder in anderer Schaltungsanwendung passend.

 

Ergänzende Leistungstransistor-Eigenschaften

 

VDS= 100V I D = 5A

 

RDS (AN) < 140m="">

Batterieschutz

 

Lastsschalter

Unterbrechungsfreie Stromversorgung

 

Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen

 

Produkt Identifikation Satz Markierung Menge (PCS)
AP5N10LI SOT23-6 MA6S 3000

 

Absolute Maximalleistungen an Tj=25℃ wenn nicht anders vermerkt

 

Parameter Symbol Wert Einheit
Lassen Sie Quellspannung ab VDS 100 V
Gate-Source-Spannung VGS ±20 V
Ununterbrochener Abflussstrom, ℃ TC=25 Identifikation 5 A
Pulsierter Abflussstrom, ℃ TC =25 Identifikation, Impuls 15 A
Verlustleistung, ℃ T C=25

P

D

17 W
Sondern Sie pulsierte Lawinenenergie 5) aus EAS 1,2 mJ
Operation und Lagertemperatur Tstg, Tj -55 bis 150
Thermischer Widerstand, Kreuzungfall RθJC 7,4 ℃/W
Thermischer Widerstand, junction-ambient4) RθJA 62 ℃/W

 

Elektrische Eigenschaften an N-Kanal-Anreicherungstyp MOSFET j=25 T AP5N10LI 100V ℃ wenn nicht anders angegeben

 

Symbol Parameter Testbedingung Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (Th) Torschwellenspannung V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
RDS (AN) Abfluss-Quelldurchlasswiderstand VGS=10 V, ID=5 A   110 140
RDS (AN) Abfluss-Quelldurchlasswiderstand V =4.5 V, ID=3 A   160 180

 

IGSS

 

Tor-Quelldurchsickernstrom

V =20 V     100

 

Na

V =-20 V     -100
IDSS Abfluss-Quelldurchsickernstrom VDS=100 V, VGS=0 V     1 MA
Ciss Inputkapazitanz V =0 V,   206,1   PF
Coss Ausgangskapazität   28,9   PF
Crss Rückübergangskapazitanz   1,4   PF
TD (an) Einschaltverzögerungszeit

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   ns
tr Anstiegszeit   3,5   ns
TD (weg) Abschaltverzögerungszeit   20,9   ns

t

f

Abfallzeit   2,7   ns
Qg Gesamttorgebühr     4,3   nC
Qgs Tor-Quellgebühr   1,5   nC
Qgd Tor-Abflussgebühr   1,1   nC
Vplateau Torhochebenenspannung   5,0   V
IST Diode schicken Strom nach

 

VGS

    7

 

A

ISP Pulsierter Quellstrom     21
VSD Diodenvorwärtsspannung IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

Eisenbahn

Rückgenesungszeit     32,1   ns
Qrr Rückwiederaufnahmegebühr   39,4   nC
Irrm Höchstsperrverzögerungsstrom   2,1   A
Symbol Parameter Testbedingung Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung V =0 V, μA ID=250 100     V
VGS (Th) Torschwellenspannung V =V, μA ID=250 1,2 1,5 2,5 V
RDS (AN) Abfluss-Quelldurchlasswiderstand VGS=10 V, ID=5 A   110 140
RDS (AN) Abfluss-Quelldurchlasswiderstand V =4.5 V, ID=3 A   160 180

 

IGSS

 

Tor-Quelldurchsickernstrom

V =20 V     100

 

Na

V =-20 V     -100
IDSS Abfluss-Quelldurchsickernstrom VDS=100 V, VGS=0 V     1 MA
Ciss Inputkapazitanz V =0 V,   206,1   PF
Coss Ausgangskapazität   28,9   PF
Crss Rückübergangskapazitanz   1,4   PF
TD (an) Einschaltverzögerungszeit

VGS=10 V,

VDS=50 V,

  14,7   ns
tr Anstiegszeit   3,5   ns
TD (weg) Abschaltverzögerungszeit   20,9   ns

t

f

Abfallzeit   2,7   ns
Qg Gesamttorgebühr     4,3   nC
Qgs Tor-Quellgebühr   1,5   nC
Qgd Tor-Abflussgebühr   1,1   nC
Vplateau Torhochebenenspannung   5,0   V
IST Diode schicken Strom nach

 

VGS

    7

 

A

ISP Pulsierter Quellstrom     21
VSD Diodenvorwärtsspannung IS=7 A, VGS=0 V     1,0 V

t

Eisenbahn

Rückgenesungszeit     32,1   ns
Qrr Rückwiederaufnahmegebühr   39,4   nC
Irrm Höchstsperrverzögerungsstrom   2,1   A

 

Anmerkung

 

1) Berechneter stationärer Gleichstrom basiert auf maximal zulässiger Grenzschichttemperatur.

2) Sich wiederholende Bewertung; Impulsbreite begrenzt durch max. Grenzschichttemperatur.

3) PD basiert auf max. Grenzschichttemperatur, unter Verwendung des thermischen Widerstands des Kreuzungfalles.

4) Der Wert von RθJA wird mit dem Gerät gemessen, das an 1 in Brett 2 FR-4 mit 2oz angebracht wird. Verkupfern Sie, in einer ruhigen Luftumwelt mit T ein =25 °C. 5) VDD=50 V, RG=50 Ω, L=0.3 mH und Tj=25 °C. beginnen.

 

Ursprüngliche ergänzende Leistungstransistoren/Feld-Effekt-Transistor AP5N10LI 0

Aufmerksamkeit

 

1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.

2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.

3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.

4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.

5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.

6, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.

7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.

, Sind irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.

 

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