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Mosfet-Leistungstransistor Kanal AP5N10SI N für batteriebetriebenes System

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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Mosfet-Leistungstransistor Kanal AP5N10SI N für batteriebetriebenes System

Mosfet-Leistungstransistor Kanal AP5N10SI N für batteriebetriebenes System
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Großes Bild :  Mosfet-Leistungstransistor Kanal AP5N10SI N für batteriebetriebenes System

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP5N10SI
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Mosfet-Leistungstransistor Kanal AP5N10SI N für batteriebetriebenes System

Beschreibung
Produktname: N-Kanal Mosfet-Leistungstransistor Modell: AP5N10SI
Satz: SOT89-3 Markierung: AP5N10SI YYWWWW
VDSDrain-Quellspannung: 100V VGSGate-Source Spannung: ±20A
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

Mosfet-Leistungstransistor Kanal AP5N10SI N für batteriebetriebenes System

 

N-Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Beschreibung:

 

Das AP5N10SI ist die einzelne N-Kanallogik

Anreicherungstypenergie-Feldeffekttransistoren zu

stellen Sie ausgezeichnetes R DS (an) zur Verfügung, niedrige Torgebühr und niedrig

versehen Sie Widerstand mit einem Gatter. Er ist bis zur Spannung der Operation 30V ist gut angepasst in der Schaltungsmodusstromversorgung, SMPS,

Notebookenergiemanagement und -anderes

batteriebetriebene Stromkreise.

 

N-Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Eigenschaften:

 

RDS (AN)<125m>

RDS (AN)<135m>

Super Zellentwurf mit hoher Dichte für extrem - niedriges

Außergewöhnlicher Aufwiderstand RDS (AN) und Maximum DC-Strom

 

N-Kanal Mosfet-Leistungstransistor-Anwendungen:

 

Schaltnetzteil, SMPS

Batteriebetriebenes System

DC-/DCkonverter

DC-/ACkonverter

Lasts-Schalter

 

Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen

 

Produkt Identifikation Satz Markierung Menge (PCS)
AP5N10SI SOT89-3 AP5N10SI YYWWWW 1000

 

Maximalleistungen der Tabellen-1.Absolute (TA =25℃)

 

 

Symbol Parameter Wert Einheit
VDS Abfluss-Quellspannung (VGS=0V) 100 V
VGS Tor-Quellspannung (VDS=0V) ±25 V

 

D

I

Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab (℃ Tc=25) 5 A
Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab (℃ Tc=100) 3,1 A
IDM (pluse) Lassen Sie Current-Continuous@ Gegenwärtig-pulsierte ab (Anmerkung 1) 20 A
PD Höchstleistungs-Ableitung 9,3 W
TJ, TSTG Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich -55 bis 150
Symbol Parameter Wert Einheit
VDS Abfluss-Quellspannung (VGS=0V) 100 V
VGS Tor-Quellspannung (VDS=0V) ±25 V

 

D

I

Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab (℃ Tc=25) 5 A
Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab (℃ Tc=100) 3,1 A
IDM (pluse) Lassen Sie Current-Continuous@ Gegenwärtig-pulsierte ab (Anmerkung 1) 20 A
PD Höchstleistungs-Ableitung 9,3 W
TJ, TSTG Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich -55 bis 150

 

Eigenschaft der Tabellen-2.Thermal

 

Symbol Parameter Art Wert Einheit
R JA Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend - 13,5 ℃/W

 

Elektrische Eigenschaften der Tabelle-3. (TA =25℃ wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Bedingungen Minute Art Maximal Einheit
AN/AUS-Zustände          
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS=0V ID=250μA 100     V
IDSS Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom VDS=100V, VGS=0V     100 μA
IGSS Tor-Körper-Durchsickern-Strom VGS=±20V, VDS=0V     ±100 Na
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung VDS=VGS, μA ID=250 1 1,5 3 V

 

RDS (AN)

 

Abfluss-Quelldurchlasswiderstand

VGS=10V, ID= 10A   110 125 m Ω
VGS=4.5V, ID=-5A   120 135 m Ω
Dynamische Eigenschaften
Ciss Input-Kapazitanz

 

VDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHz

  690   PF
Coss Ausgangskapazität   120   PF
Crss Rückübergangskapazitanz   90   PF
Schaltzeiten
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit     11   nS

r

t

Drehung-auf Anstiegszeit   7,4   nS
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit   35   nS

f

t

Drehungs--Wegabfallzeit   9,1   nS
Qg Gesamttor-Gebühr VDS=15V, ID=10A V GS=10V   15,5   nC
Qgs Tor-Quellgebühr   3,2   nC
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr   4,7   nC
Quelle-Abfluss-Diodenkennlinien
ISD Quelle-Abfluss-Strom (Körper-Diode)       20 A
VSD Schicken auf Spannung nach (Anmerkung 1) VGS=0V, IS=2A     0,8 V

 

Aufschmelzlöten:

 

Die Wahl der Heizmethode wird durch Plastik-QFP-Paket beeinflußt möglicherweise). Wenn Infrarot oder Dampfphasenheizung benutzt wird und

das Paket ist nicht (weniger als 0,1% Feuchtigkeitsgehalt nach Gewicht), Verdampfung der kleinen Menge der Feuchtigkeit absolut trocken

in ihnen kann das Knacken des Plastikkörpers verursachen. Vorwärmen ist notwendig, um die Paste zu trocknen und den Binder zu verdunsten. Vorwärmendauer: 45 Minuten bei 45 °C.

 

Das Aufschmelzlöten erfordert Lötpaste (eine Suspendierung von feinen Lötmittelpartikeln, -fluß und -Binder) an der Leiterplatte durch den Siebdruck, Schablonieren oder Druckspritze aufgetragen zu werden, die vor Paketplatzierung zuführen. Einige Methoden existieren für das Reflowing; zum Beispiel Konvektion oder Konvektion/Infrarotheizung in einer Fördererart Ofen. Durchsatzzeiten (das Vorwärmen, lötend und kühlen) ab, schwanken zwischen 100 und 200 Sekunden abhängig von Heizmethode.

 

Typische Rückflutspitzen-Temperaturspanne von 215 bis °C 270 abhängig von Lötpastematerial. Die Höchstoberfläche

Temperatur der Pakete, vorzuziehend, unterhalb °C 245 für dick/große Pakete gehalten zu werden wenn (Pakete mit einer Stärke

 

2,5 Millimeter oder mit einem Volumen 350 Millimeter

3

so genannte starke/große Pakete). Die Höchstoberflächentemperatur der Pakete sollte

 

vorzuziehend seien unterhalb °C 260 für dünnes/Päckchen gehalten Sie (Pakete mit einer Stärke < 2="">

 

Stadium Bedingung Dauer
1' St.-Ram herauf Rate max3.0+/-2 /sec -
Heizen Sie vor 150 ~200 sek 60~180
2' Nd-Ram oben max3.0+/-2 /sec -
Lötmittel-Gelenk 217 oben sek 60~150
Höchsttemp 260 +0/-5 sek 20~40
Des Ram Rate unten 6 /sec maximal -

 

Wellen-Löten:

 

Das herkömmliche einzelne Wellenlöten wird nicht für Oberflächenberggeräte (SMDs) oder Leiterplatten mit einer hohen Packungsdichte empfohlen, da die Lötmittelhohlraumbildung und -nassmachen Hauptschwierigkeiten darstellen können.

 

Handlöten:

 

Regeln Sie die Komponente, indem Sie zuerst zwei diagonal-gegenüberliegende Endenführungen löten. Benutzen Sie einen Lötkolben der Niederspannung (24 V oder kleiner), der am Flachstück der Führung angewendet wird. Kontaktzeit muss auf 10 Sekunden an bis 300 °C. begrenzt sein. Wenn man ein engagiertes Werkzeug verwendet, können alle weiteren Führungen in eine Operation innerhalb 2 bis 5 Sekunden zwischen 270 und 320 °C. gelötet werden.

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