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Produktdetails:
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| Produkt-Name: | Mosfet-Fahrer, der Transistor verwendet | Modell: | AP6H03S |
|---|---|---|---|
| Satz: | SOP-8 | Markierung: | AP6H03S YYWWWW |
| VDSDrain-Quellspannung: | 30v | VGSGate-Source Spannung: | ±20A |
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
||
AP6H03S Mosfet-Fahrer, der Transistor, dauerhaften hohen Ampere-Transistor verwendet
Mosfet-Fahrer, der Transistor-Beschreibung verwendet:
Der moderne Graben AP6H03Suses
Technologie, zum ausgezeichneten RDS (AN) und der niedrigen Torgebühr bereitzustellen.
Die ergänzenden MOSFETs werden benutzt möglicherweise, um a zu bilden
Niveau verschob hohen Seitenschalter und für einen Wirt von anderem
Anwendungen
Mosfet-Fahrer, der Transistor-Funktionen verwendet
N-Kanal
VDS = 30V, IDENTIFIKATION =7.5A
NChannel RDS (AN < 16m="">
)
VDS = 30V, IDENTIFIKATION =7.5A
Hohe Leistung RDS (AN < 16m="">
) und gegenwärtige Übergebungsfähigkeit
Bleifreies Produkt wird erworben
Oberflächenbergpaket
Mosfet-Fahrer, der Transistor-Anwendung verwendet
● stark und Hochfrequenzwählverbindungen
● unterbrechungsfreie Stromversorgung
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
| Produkt Identifikation | Satz | Markierung | Menge (PCS) |
| AP6H03S | SOP-8 | AP6H03S YYWWWW | 3000 |
Absolute Maximalleistungen Tc=25℃ wenn nicht anders vermerkt
| Symbol | Parameter | Veranschlagen | Einheiten |
| VDS | Abfluss-Quellspannung | 30 | V |
| VGS | Tor-Sou rce Spannung | ±20 | V |
|
D I |
Abfluss-Strom – ununterbrochen (TC=25℃) | 7,5 | A |
| Abfluss-Strom – ununterbrochen (TC=100℃) | 4,8 | A | |
| IDM | Abfluss-Strom – Pulsed1 | 30 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinen-Energie 2 | 14 | mJ |
| IAS | Einzelimpuls Avalanched-Strom 2 | 17 | A |
|
PD |
Verlustleistung (TC=25℃) | 2,1 | W |
| Verlustleistung – setzen Sie über 25℃ herab | 0,017 | W/℃ | |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -55 bis 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Veranschlagen | Einheiten |
| VDS | Abfluss-Quellspannung | 30 | V |
| VGS | Tor-Sou rce Spannung | ±20 | V |
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D I |
Abfluss-Strom – ununterbrochen (TC=25℃) | 7,5 | A |
| Abfluss-Strom – ununterbrochen (TC=100℃) | 4,8 | A | |
| IDM | Abfluss-Strom – Pulsed1 | 30 | A |
| EAS | Einzelimpuls-Lawinen-Energie 2 | 14 | mJ |
| IAS | Einzelimpuls Avalanched-Strom 2 | 17 | A |
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PD |
Verlustleistung (TC=25℃) | 2,1 | W |
| Verlustleistung – setzen Sie über 25℃ herab | 0,017 | W/℃ | |
| TSTG | Lagertemperaturbereich | -55 bis 150 | ℃ |
| TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke | -55 bis 150 | ℃ |
Thermische Eigenschaften
| Symbol | Parameter | Art. | Maximum. | Einheit |
| RθJA | Thermischer Widerstand-Kreuzung zu umgebendem | --- | 60 | ℃/W |
Elektrische Eigenschaften (℃ TJ =25, wenn nicht anders vermerkt) weg von den Eigenschaften
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheit |
| BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △ BVDSS/△ TJ | BVDSS-Temperatur-Koeffizient | Hinweis auf 25℃•, ID=1mA | --- | 0,04 | --- | V/℃ |
|
IDSS |
Abfluss-Quelldurchsickern-Strom |
VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | MA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 10 | MA | ||
| IGSS | Tor-Quelldurchsickern-Strom | VGS=± 20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | Na |
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Min. | Art. | Maximum. | Einheit |
| BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △ BVDSS/△ TJ | BVDSS-Temperatur-Koeffizient | Hinweis auf 25℃•, ID=1mA | --- | 0,04 | --- | V/℃ |
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IDSS |
Abfluss-Quelldurchsickern-Strom |
VDS=30V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | MA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 10 | MA | ||
| IGSS | Tor-Quelldurchsickern-Strom | VGS=± 20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | Na |
| RDS (AN) | Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand | VGS=10V, ID=6A | --- | 15 | 20 | mΩ |
| VGS=4.5V, ID=3A | --- | 23 | 30 | mΩ | ||
| VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VGS=VDS, I =250UA | 1,2 | 1,5 | 2,5 | V |
| △VGS (Th) | Temperatur-Koeffizient VGS (Th) | --- | -4 | --- | mV/℃ | |
| gfs | Vorwärtstransconductance | VDS=10V, I D=6A | --- | 13 | --- | S |
| Qg | Gesamttor Charge3, 4 | --- | 4,1 | 8 | ||
| Qgs | Tor-Quellgebühr 3, 4 | --- | 1 | 2 | ||
| Qgd | Tor-Abfluss-Gebühr | --- | 2,1 | 4 | ||
| TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit 3, 4 | --- | 2,6 | 5 | ||
| Tr | Anstiegszeit | --- | 7,2 | 14 | ||
| TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit 3, 4 | --- | 15,8 | 30 | ||
| Tf | Abfallzeit 3, 4 | --- | 4,6 | 9 | ||
| Ciss | Input-Kapazitanz | --- | 345 | 500 | ||
| Coss | Ausgangskapazität | --- | 55 | 80 | ||
| Crss | Rückübergangskapazitanz | --- | 32 | 55 | ||
| Rg | Torwiderstand | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | --- | 3,2 | 6,4 | Ω |
| IST | Ununterbrochener Quellstrom |
VG=VD=0V, Kraft-Strom |
--- | --- | 7,5 | A |
| THEORIE | Pulsierter Quellstrom | --- | --- | 30 | A | |
| VSD | Diode schicken Voltage3 nach | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
|
Eisenbahn t |
Rückgenesungszeit | VGS=0V, IS=1A, di/dt=100A/µs | --- | --- | --- | ns |
| Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | --- | --- | --- | nC |
| IST | Ununterbrochener Quellstrom |
VG=VD=0V, Kraft-Strom |
--- | --- | 7,5 | A |
| THEORIE | Pulsierter Quellstrom | --- | --- | 30 | A | |
| VSD | Diode schicken Voltage3 nach | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
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Eisenbahn t |
Rückgenesungszeit | VGS=0V, IS=1A, di/dt=100A/µs | --- | --- | --- | ns |
| Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | --- | --- | --- | nC |
Aufschmelzlöten
Die Wahl der Heizmethode wird durch Plastik-QFP-Paket beeinflußt möglicherweise). Wenn Infrarot oder Dampfphasenheizung benutzt wird und das Paket nicht (weniger als 0,1% Feuchtigkeitsgehalt nach Gewicht) absolut trocken ist, kann Verdampfung der kleinen Menge der Feuchtigkeit in ihnen das Knacken des Plastikkörpers verursachen. Vorwärmen ist notwendig, um die Paste zu trocknen und den Binder zu verdunsten. Vorwärmendauer: 45 Minuten bei 45 °C.
Das Aufschmelzlöten erfordert Lötpaste (eine Suspendierung von feinen Lötmittelpartikeln, -fluß und -Binder) an der Leiterplatte durch den Siebdruck, Schablonieren oder Druckspritze aufgetragen zu werden, die vor Paketplatzierung zuführen. Einige Methoden existieren für das Reflowing; zum Beispiel Konvektion oder Konvektion/Infrarotheizung in einer Fördererart Ofen. Durchsatzzeiten (das Vorwärmen, lötend und kühlen) ab, schwanken zwischen 100 und 200 Sekunden abhängig von Heizmethode.
Typische Rückflutspitzen-Temperaturspanne von 215 bis °C 270 abhängig von Lötpastematerial. Die Höchstoberfläche
Temperatur der Pakete, vorzuziehend, unterhalb °C 245 für dick/große Pakete gehalten zu werden wenn (Pakete mit einer Stärke
2,5 Millimeter oder mit einem Volumen 350-Millimeter-so genannte starke/große Pakete). Die Höchstoberflächentemperatur der Pakete, vorzuziehend, unterhalb °C 260 für dünnes/Päckchen gehalten zu werden wenn (Pakete mit einer Stärke < 2="">
| 1' St.-Ram herauf Rate | max3.0+/-2 /sec | - |
| Heizen Sie vor | 150 ~200 | sek 60~180 |
| 2' Nd-Ram oben | max3.0+/-2 /sec | - |
| Lötmittel-Gelenk | 217 oben | sek 60~150 |
| Höchsttemp | 260 +0/-5 | sek 20~40 |
| Des Ram Rate unten | 6 /sec maximal | - |
Wellen-Löten:
Das herkömmliche einzelne Wellenlöten wird nicht für Oberflächenberggeräte (SMDs) oder Leiterplatten mit einer hohen Packungsdichte empfohlen, da die Lötmittelhohlraumbildung und -nassmachen Hauptschwierigkeiten darstellen können.
Handlöten:
Regeln Sie die Komponente, indem Sie zuerst zwei diagonal-gegenüberliegende Endenführungen löten. Benutzen Sie einen Lötkolben der Niederspannung (24 V oder kleiner), der am Flachstück der Führung angewendet wird. Kontaktzeit muss auf 10 Sekunden an bis 300 °C. begrenzt sein. Wenn man ein engagiertes Werkzeug verwendet, können alle weiteren Führungen in eine Operation innerhalb 2 bis 5 Sekunden zwischen 270 und 320 °C. gelötet werden.
Ansprechpartner: David
