Produktdetails:
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Produktname: | mosfet-Leistungstransistor | Modell: | AP6H06S |
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Satz: | SOP-8 | Markierung: | AP6H06S |
VDSDrain-Quellspannung: | 60V | VGSGate-Source Spannung: | ±20A |
Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
Schneller zugeschalteter Mosfet-Leistungstransistor AP6H06S 6A 60V besonders angefertigt
Mosfet-Leistungstransistor-Einleitung
Mosfet-Technologie ist für Gebrauch in vielen Energieanwendungen ideal, in denen der niedrige Schalter auf Widerstand hohen Stufen von Leistungsfähigkeit ermöglicht erreicht zu werden.
Es gibt einige unterschiedliche Vielzahl von Energie MOSFET verfügbar von den verschiedenen Herstellern, von jedem mit seinen eigenen Eigenschaften und von den Fähigkeiten.
Viele Energie MOSFETs enthalten eine vertikale Strukturtopologie. Dieses ermöglicht hoher gegenwärtiger Schaltung mit hoher Leistungsfähigkeit innerhalb eines verhältnismäßig kleinen sterben Bereich. Es ermöglicht auch dem Gerät, gegenwärtige und der Spannung Schaltung zu stützen hoch.
Allgemeine Eigenschaften
VDS = 60V IDENTIFIKATION =6 A
RDS (AN) < 35m="">
Anwendung
Batterieschutz
Lastsschalter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
Produkt Identifikation | Satz | Markierung | Menge (PCS) |
AP6H06S | SOP-8 | AP6H06S | 3000 |
Absolute Maximalleistungen (TA =25℃ wenn nicht anders vermerkt)
Parameter | Symbol | Grenze | Einheit |
Abfluss-Quellspannung | VDS | 60 | V |
Tor-Quellspannung | VGS | ±20 | V |
Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab | Identifikation | 6 | A |
Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab (TC=100℃) | Identifikation (100℃) | 3,5 | A |
Pulsierter Abfluss-Strom | IDM | 24 | A |
Höchstleistungs-Ableitung | PD | 2 | W |
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich | TJ, TSTG | -55 bis 150 | ℃ |
Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-umgebend (Anmerkung 2) | RθJA | 62,5 | ℃/W |
Elektrische Eigenschaften (TA =25℃ wenn nicht anders vermerkt)
Parameter | Symbol | Bedingung | Minute | Art | Maximal | Einheit |
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | VGS=0V ID=250μA | 60 | - | - | V |
Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom | IDSS | VDS=60V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
Tor-Körper-Durchsickern-Strom | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
Tor-Schwellen-Spannung | VGS (Th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1,2 | 1,6 | 2,5 | V |
Abfluss-Quelldurchlasswiderstand |
RDS (AN) | VGS=10V, ID=5A | - | 26 | 35 | mΩ |
RDS (AN) | VGS=4.5V, ID=5A | - | 32 | 45 | mΩ | |
Vorwärtstransconductance | gFS | VDS=5V, ID=5A | 11 | - | - | S |
Input-Kapazitanz | Clss | - | 979 | - | PF | |
Ausgangskapazität | Coss | - | 120 | - | PF | |
Rückübergangskapazitanz | Crss | - | 100 | - | PF | |
Einschaltverzögerungs-Zeit | TD (an) | - | 5,2 | - | nS | |
Drehung-auf Anstiegszeit |
r t |
- | 3 | - | nS | |
Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (weg) | - | 17 | - | nS | |
Drehungs--Wegabfallzeit |
f t |
- | 2,5 | - | nS | |
Gesamttor-Gebühr | Qg |
VDS=30V, ID=5A, |
- | 22 | nC | |
Tor-Quellgebühr | Qgs | - | 3,3 | nC | ||
Tor-Abfluss-Gebühr | Qgd | - | 5,2 | nC | ||
Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) | VSD | VGS=0V, IS=5A | - | 1,2 | V | |
Dioden-Vorwärtsstrom (Anmerkung 2) |
S I |
- | - | 5 | A | |
Schicken Sie Drehung-auf Zeit nach | Tonne | Intrinsic Drehung-auf Zeit ist geringfügig (Drehung-auf wird durch LS+LD vorgeherrscht) |
Anmerkungen:
1. sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur. 2. Oberfläche angebracht FR4 am Brett, t-≤ 10 sek.
3. Impuls-Test: Impuls-Breite ≤ 300μs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
4. Mit Absicht, nicht abhängig von garantiert Produktion
5. EAS-Zustand: Tj=25℃, VDD=30V, VG=10V, L=0.5mH, Ω Rg=25
Aufmerksamkeit
1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.
2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.
3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.
4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.
5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.
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7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.
, Sind irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.
Ansprechpartner: David