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AP10H03S 10A 30V SOP-8 Mosfet-Leistungstransistor-Vertikalen-Struktur

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
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AP10H03S 10A 30V SOP-8 Mosfet-Leistungstransistor-Vertikalen-Struktur

AP10H03S 10A 30V SOP-8 Mosfet-Leistungstransistor-Vertikalen-Struktur
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Großes Bild :  AP10H03S 10A 30V SOP-8 Mosfet-Leistungstransistor-Vertikalen-Struktur

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP10H03S
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

AP10H03S 10A 30V SOP-8 Mosfet-Leistungstransistor-Vertikalen-Struktur

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor Modell: AP10H03S
Satz: SOP-8 Markierung: AP10H03S XXX YYYY
VDSDrain-Quellspannung: 30V VGSGate-Source Spannung: ±20A
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

AP10H03S 10A 30V SOP-8 Mosfet-Leistungstransistor-Vertikalen-Struktur

 

Mosfet-Leistungstransistor-Beschreibung:

 

Das AP10H03S ist der Graben der höchsten Leistung
MOSFETs N-ch mit extremer hoher Zelldichte,
welche ausgezeichnetes RDSON liefern und Gebühr mit einem Gatter versehen
für die meisten der kleinen Energieschaltung und
Lastsschalteranwendungen. Das Treffen das RoHS und
Produktanforderung mit der vollen Funktionszuverlässigkeit genehmigt.

 

Mosfet-Leistungstransistor-Eigenschaften

 

VDS = 30V IDENTIFIKATION = 10A
RDS (AN) < 12m=""> RDS (AN) < 16="">

 

Mosfet-Leistungstransistor-Anwendung

 

Batterieschutz
Lastsschalter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung

 

Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen

 

Produkt Identifikation Satz Markierung Menge (PCS)
AP10H03S SOP-8 AP10H03S XXX YYYY 3000

 

Absolute Maximalleistungen (TA=25℃UNLESS OTHERWISE NOTED)

 

 

Symbol Parameter Veranschlagen Einheiten
VDS Abfluss-Quellspannung 30 V
VGS Tor-Quellspannung ±20 V
ID@TC =25℃ Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 10 A
℃ ID@TC =100 Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 8,2 A
ID@TA =25℃ Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ 10V1 9,5 A
ID@TA =70℃ Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 7,6 A
IDM Pulsierter Abfluss Current2 75 A
EAS Einzelimpuls-Lawinen-Energie 3 24,2 mJ
IAS Lawinen-Strom 22 A
℃ PD@TC =25 Gesamtleistung Dissipation4 26 W
℃ PD@TA =25 Gesamtleistung Dissipation4 1,67 W
TSTG Lagertemperaturbereich -55 bis 150
TJ Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke -55 bis 150
RθJA Thermischer Widerstand Kreuzung-umgebendes 1 75 ℃/W
RθJC Thermischer Widerstand-Kreuzung-Fall 1 4,8 ℃/W

 

Elektrische Eigenschaften (TJ =25, wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Bedingungen Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△BVDSS/T J BVDSS-Temperatur-Koeffizient Hinweis auf 25℃, ID=1mA --- 0,023 --- V/℃
RDS (AN) Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand VGS=10V, I D=15A --- --- 12

 

VGS=4.5V, I D=10A --- --- 16,5
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung

 

VGS=VDS, IDENTIFIKATION =250UA

1,0 --- 2,5 V
△VGS (Th) Temperatur-Koeffizient VGS (Th) --- -5,08 --- mV/℃

 

IDSS

 

Abfluss-Quelldurchsickern-Strom

VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1

 

MA

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
IGSS Tor-Quelldurchsickern-Strom VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Vorwärtstransconductance VDS=5V, ID=15A --- 24,4 --- S
Rg Tor-Widerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,8 --- Ω
Qg Gesamttor-Gebühr (4.5V) VDS=15V, VGS=4.5V, ID=12A --- 9,82 ---  
Qgs Tor-Quellgebühr --- 2,24 ---
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr --- 5,54 ---
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit VDD=15V, VGS=10V, RG=1.5
ID=20A
--- 6,4 ---  
Tr Anstiegszeit --- 39 ---
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit --- 21 ---
Tf Abfallzeit --- 4,7 ---
Ciss Input-Kapazitanz VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 896 ---  
Coss Ausgangskapazität --- 126 ---
Crss Rückübergangskapazitanz --- 108 ---
IST Ununterbrochener Quellstrom 1,5

 

VG=VD=0V, Kraft-Strom

--- --- 37 A
THEORIE Pulsierte Quelle Current2,5 --- --- 75 A
VSD Diode schicken Voltage2 nach VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V
Symbol Parameter Bedingungen Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
△BVDSS/T J BVDSS-Temperatur-Koeffizient Hinweis auf 25℃, ID=1mA --- 0,023 --- V/℃
RDS (AN) Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand VGS=10V, I D=15A --- --- 12

 

VGS=4.5V, I D=10A --- --- 16,5
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung

 

VGS=VDS, IDENTIFIKATION =250UA

1,0 --- 2,5 V
△VGS (Th) Temperatur-Koeffizient VGS (Th) --- -5,08 --- mV/℃

 

IDSS

 

Abfluss-Quelldurchsickern-Strom

VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1

 

MA

VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
IGSS Tor-Quelldurchsickern-Strom VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Vorwärtstransconductance VDS=5V, ID=15A --- 24,4 --- S
Rg Tor-Widerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,8 --- Ω
Qg Gesamttor-Gebühr (4.5V)   --- 9,82 ---  
Qgs Tor-Quellgebühr --- 2,24 ---
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr --- 5,54 ---
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit   --- 6,4 ---  
Tr Anstiegszeit --- 39 ---
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit --- 21 ---
Tf Abfallzeit --- 4,7 ---
Ciss Input-Kapazitanz   --- 896 ---  
Coss Ausgangskapazität --- 126 ---
Crss Rückübergangskapazitanz --- 108 ---
IST Ununterbrochener Quellstrom 1,5

 

VG=VD=0V, Kraft-Strom

--- --- 37 A
THEORIE Pulsierte Quelle Current2,5 --- --- 75 A
VSD Diode schicken Voltage2 nach VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1 V

 

Anmerkung:

1. Die Daten prüften durch die Oberfläche, die an einem Brett 1 Zoll FR-4 mit Kupfer 2OZ angebracht wurde.

2. Die Daten prüften, durch pulsiert, Impulsbreite ≦ 300us, Arbeitszyklus ≦2%

3 . Die EAS-Daten zeigen max. Bewertung. Die Testbedingung ist VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=22A

4. Die Verlustleistung wird durch 175℃ Grenzschichttemperatur begrenzt

5. Die Daten sind theoretisch die selben, die I D und IDM, in den wirklichen Anwendungen, durch Gesamtleistungsableitung begrenzt werden sollte.

 

Aufmerksamkeit

 

1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.

2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.

3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.

4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.

5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.

6, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.

7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.

8, irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, sind abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.

 

Kontaktdaten
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