Startseite Produktemosfet-Leistungstransistor

10A 100V Mosfet-Leistungstransistor AP10N10DY für Schaltnetzteile

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

—— -- Jason von Kanada

Unter der Empfehlung meines Freunds, kennen wir in Hua Xuan Yang, ein älterer Experte in Halbleiter und der Industrie der elektronischen Bauelemente aus, die uns ermöglicht, unsere kostbare Zeit und zu verringern, nicht Versuch hat riskieren muss andere Fabriken.

—— -- Виктор von Russland

Ich bin online Chat Jetzt

10A 100V Mosfet-Leistungstransistor AP10N10DY für Schaltnetzteile

10A 100V Mosfet-Leistungstransistor AP10N10DY für Schaltnetzteile
10A 100V Mosfet-Leistungstransistor AP10N10DY für Schaltnetzteile 10A 100V Mosfet-Leistungstransistor AP10N10DY für Schaltnetzteile 10A 100V Mosfet-Leistungstransistor AP10N10DY für Schaltnetzteile

Großes Bild :  10A 100V Mosfet-Leistungstransistor AP10N10DY für Schaltnetzteile

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP10N10DY
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

10A 100V Mosfet-Leistungstransistor AP10N10DY für Schaltnetzteile

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor Modell: AP10N10DY
Satz: TO-252-3 Markierung: AP10N10D XXX YYYY
VDSDrain-Quellspannung: 100V VGSGate-Source Spannung: ±20A
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

10A 100V Mosfet-Leistungstransistor AP10N10DY für Schaltnetzteile

 

Mosfet-Leistungstransistor-Beschreibung:

 

Die moderne Grabentechnologie AP10N10D-/Ygebrauches und
entwerfen Sie, ausgezeichnetes RDS (AN) mit niedriger Torgebühr zu versehen.
Sie kann in einer großen Vielfalt von Anwendungen verwendet werden.

 

Mosfet-Leistungstransistor-Eigenschaften

 

VDS = 100V, IDENTIFIKATION = 10A
Entwurf RDS (AN <160m> ) RDS (AN <170m> ) Zellmit hoher dichte für ultra niedriges Rdson
Völlig gekennzeichnete Lawinendurchbruchsspannung und Strom
Ausgezeichnetes Paket für gute Wärmeableitung

 

Mosfet-Leistungstransistor-Anwendung

 

Energieschaltungsanwendung
Stark und Hochfrequenzwählverbindungen
Unterbrechungsfreie Stromversorgung

 

Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen

 

 

Produkt Identifikation Satz Markierung Menge (PCS)
AP10N10D TO-252-3 AP10N10D XXX YYYY 2500
AP10N10Y TO-251-3 AP10N10Y XXX YYYY 4000

 

Absolute Maximalleistungen (T A =25℃ wenn nicht anders vermerkt)

 

Parameter Symbol Grenze Einheit
Abfluss-Quellspannung VDS 100 V
Tor-Quellspannung VGS ±20 V
Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab Identifikation 10 A
Lassen Sie Gegenwärtig-pulsiert ab (Anmerkung 1) IDM 20 A
Höchstleistungs-Ableitung PD 40 W
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich TJ, TSTG -55 bis 175
Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-Fall (Anmerkung 2) RθJC 3,75 ℃/W

Elektrische Eigenschaften (TA =25℃ wenn nicht anders vermerkt)

 

Parameter Symbol Bedingung Minute Art Maximal Einheit
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung BVDSS VGS=0V ID=250μA 100 - - V
Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom IDSS VDS=100V, VGS=0V - - 1 μA
Tor-Körper-Durchsickern-Strom IGSS VGS=±12V, VDS=0V - - ±100 Na
Tor-Schwellen-Spannung VGS (Th) VDS=VGS, μA ID=250 1,0   2,5 V

 

Abfluss-Quelldurchlasswiderstand

 

RDS (AN)

VGS=10V, ID=3A - 140 160

 

mΩ

VGS=4.5V, ID=3A - 160 170
Vorwärtstransconductance gFS VDS=5V, ID=3A - 5 - S
Input-Kapazitanz Clss

 

VDS=50V, VGS=0V, F=1.0MHz

- 650 - PF
Ausgangskapazität Coss - 25 - PF
Rückübergangskapazitanz Crss - 20 - PF
Einschaltverzögerungs-Zeit TD (an)   - 6 - nS
Drehung-auf Anstiegszeit

r

t

- 4 - nS
Abschaltverzögerungs-Zeit TD (weg) - 20 - nS
Drehungs--Wegabfallzeit

f

t

- 4 - nS
Gesamttor-Gebühr Qg

 

VDS=50V, ID=3A,

- 20,6   nC
Tor-Quellgebühr Qgs - 2,1 - nC
Tor-Abfluss-Gebühr Qgd - 3,3 - nC
Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) VSD VGS=0V, IS=3A - - 1,2 V
Dioden-Vorwärtsstrom (Anmerkung 2)

S

I

  - - 7 A
Parameter Symbol Bedingung Minute Art Maximal Einheit
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung BVDSS VGS=0V ID=250μA 100 - - V
Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom IDSS VDS=100V, VGS=0V - - 1 μA
Tor-Körper-Durchsickern-Strom IGSS VGS=±12V, VDS=0V - - ±100 Na
Tor-Schwellen-Spannung VGS (Th) VDS=VGS, μA ID=250 1,0   2,5 V

 

Abfluss-Quelldurchlasswiderstand

 

RDS (AN)

VGS=10V, ID=3A - 140 160

 

mΩ

VGS=4.5V, ID=3A - 160 170
Vorwärtstransconductance gFS VDS=5V, ID=3A - 5 - S
Input-Kapazitanz Clss

 

VDS=50V, VGS=0V, F=1.0MHz

- 650 - PF
Ausgangskapazität Coss - 25 - PF
Rückübergangskapazitanz Crss - 20 - PF
Einschaltverzögerungs-Zeit TD (an) VDD=50V, RL=19Ω
VGS=10V, RG=3Ω
- 6 - nS
Drehung-auf Anstiegszeit

r

t

- 4 - nS
Abschaltverzögerungs-Zeit TD (weg) - 20 - nS
Drehungs--Wegabfallzeit

f

t

- 4 - nS
Gesamttor-Gebühr Qg

 

VDS=50V, ID=3A,

- 20,6   nC
Tor-Quellgebühr Qgs - 2,1 - nC
Tor-Abfluss-Gebühr Qgd - 3,3 - nC
Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) VSD VGS=0V, IS=3A VGS=10V - - 1,2 V
Dioden-Vorwärtsstrom (Anmerkung 2)

S

I

  - - 7 A

 

Anmerkungen:

 

1. sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.

2. Oberfläche angebracht FR4 am Brett, t-≤ 10 sek.

3. Impuls-Test: Impuls-Breite ≤ 300μs, Arbeitszyklus ≤ 2%.

4. Mit Absicht, nicht abhängig von garantiert Produktion

 

Aufmerksamkeit

 

1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.

2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.

3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.

4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.

5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.

6, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.

7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.

8, irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, sind abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

Hinterlass eine Nachricht

Wir rufen Sie bald zurück!