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Hoher gegenwärtiger Transistor AP30N10D, Feld-Effekt-Transistor 30A 100V TO-252

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

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Hoher gegenwärtiger Transistor AP30N10D, Feld-Effekt-Transistor 30A 100V TO-252

Hoher gegenwärtiger Transistor AP30N10D, Feld-Effekt-Transistor 30A 100V TO-252
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Großes Bild :  Hoher gegenwärtiger Transistor AP30N10D, Feld-Effekt-Transistor 30A 100V TO-252

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP30N10D
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

Hoher gegenwärtiger Transistor AP30N10D, Feld-Effekt-Transistor 30A 100V TO-252

Beschreibung
Produkt-Name: Hoher gegenwärtiger Transistor Modell: AP30N10D
Satz: TO-252-3L Markierung: AP30N10D XXX YYYY
VDSDrain-Quellspannung: 100V VGSGate-Source Spannung: ±20V
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

Hoher gegenwärtiger Transistor AP30N10D, Feld-Effekt-Transistor 30A 100V TO-252

 

Hohe gegenwärtige Transistorarten

 

MOSFETs können von den verschiedenen Arten sein und einschließen:

 

Abgangsart: Normalerweise AN. Das Anwenden des VGS würde es abstellen.

Anreicherungstyp: Normalerweise WEG. Das Anwenden des VGS würde es einschalten.

N-Kanal MOSFETs: positive Spannungen und Strom.

P-Kanal MOSFETs: negative Spannungen und Strom.

Niederspannung MOSFETs: BVDSS von 0 V bis 200 V.

Hochspannungsmosfets: BVDSS-greather als 200 V.

 

Hohe gegenwärtige Transistor-Eigenschaften

 

VDS = 100V IDENTIFIKATION = 30A
RDS (AN) < 47m="">

 

Hohe gegenwärtige Transistorverwendung

 

Batterieschutz
Lastsschalter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung

 

Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen

 

Produkt Identifikation Satz Markierung Menge (PCS)
AP30N10D TO-252-3L AP30N10D XXX YYYY 2500

 

Absolute Maximalleistungen Tc=25℃ wenn nicht anders vermerkt

 

Symbol Parameter Veranschlagen Einheiten
VDS Abfluss-Quellspannung 100 V
VGS Tor-Quellspannung ±20 V
ID@TC =25℃ Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 30 A
℃ ID@TC =100 Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 13,5 A
ID@TA =25℃ Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 4,2 A
ID@TA =70℃ Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 3,4 A
IDM Pulsierter Abfluss Current2 45 A
EAS Einzelimpuls-Lawinen-Energie 3 36,5 mJ
IAS Lawinen-Strom 27 A
℃ PD@TC =25 Gesamtleistung Dissipation4 52,1 W
℃ PD@TA =25 Gesamtleistung Dissipation4 2 W
TSTG Lagertemperaturbereich -55 bis 150
TJ Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke -55 bis 150
RθJA Thermischer Widerstand Kreuzung-umgebendes 1 62 ℃/W
RθJC Thermischer Widerstand-Kreuzung-Fall 1 2,4 ℃/W
Symbol Parameter Bedingungen Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△BVDSS/T J BVDSS-Temperatur-Koeffizient Hinweis auf 25℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃

 

RDS (AN)

 

Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand

VGS=10V, I D=20A --- 38 47

 

VGS=4.5V, I D=15A --- 40 50
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung   1,3 --- 2,5 V
△VGS (Th) Temperatur-Koeffizient VGS (Th) --- -5,52 --- mV/℃
IDSS Abfluss-Quelldurchsickern-Strom VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 10 MA
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 100
IGSS Tor-Quelldurchsickern-Strom VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Vorwärtstransconductance VDS=5V, ID=20A --- 28,7 --- S
Rg Tor-Widerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,6 3,2 Ω
Qg Gesamttor-Gebühr (10V)   --- 60 84  
Qgs Tor-Quellgebühr --- 9,7 14
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr --- 11,8 16,5
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit   --- 10,4 21  
Tr Anstiegszeit --- 46 83
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit --- 54 108
Tf Abfallzeit --- 10 20
Ciss Input-Kapazitanz   --- 3848 5387  
Coss Ausgangskapazität --- 137 192
Crss Rückübergangskapazitanz --- 82 115
IST Ununterbrochener Quellstrom 1,5 VG=VD=0V, Kraft-Strom --- --- 22 A
THEORIE Pulsierter Quellstrom 2,5 --- --- 45 A
VSD Diode schicken Voltage2 nach VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V
trr Rückgenesungszeit IF=20A, dI/dt=100A/µs, --- 30 --- nS
Qrr Rückwiederaufnahme-Gebühr --- 37 --- nC
Symbol Parameter Bedingungen Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△BVDSS/T J BVDSS-Temperatur-Koeffizient Hinweis auf 25℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃

 

RDS (AN)

 

Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand

VGS=10V, I D=20A --- 38 47

 

VGS=4.5V, I D=15A --- 40 50
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung   1,3 --- 2,5 V
△VGS (Th) Temperatur-Koeffizient VGS (Th) --- -5,52 --- mV/℃
IDSS Abfluss-Quelldurchsickern-Strom VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 10 MA
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 100
IGSS Tor-Quelldurchsickern-Strom VGS=±20V, V DS=0V --- --- ±100 Na
gfs Vorwärtstransconductance VDS=5V, ID=20A --- 28,7 --- S
Rg Tor-Widerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,6 3,2 Ω
Qg Gesamttor-Gebühr (10V)   --- 60 84  
Qgs Tor-Quellgebühr --- 9,7 14
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr --- 11,8 16,5
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit   --- 10,4 21  
Tr Anstiegszeit --- 46 83
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit --- 54 108
Tf Abfallzeit --- 10 20
Ciss Input-Kapazitanz   --- 3848 5387  
Coss Ausgangskapazität --- 137 192
Crss Rückübergangskapazitanz --- 82 115
IST Ununterbrochener Quellstrom 1,5 VG=VD=0V, Kraft-Strom --- --- 22 A
THEORIE Pulsierter Quellstrom 2,5 --- --- 45 A
VSD Diode schicken Voltage2 nach VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ --- --- 1,2 V
trr Rückgenesungszeit IF=20A, dI/dt=100A/µs, --- 30 --- nS
Qrr Rückwiederaufnahme-Gebühr --- 37 --- nC

 

Anmerkung:

Daten 1.The prüften durch die Oberfläche, die an einem Brett 1 Zoll FR-4 mit Kupfer 2OZ angebracht wurde.

Daten 2.The prüften, durch pulsiert, Impulsbreite ≦ 300us, Arbeitszyklus ≦ 2%

Daten 3.The EAS zeigen max. Bewertung. Die Testbedingung ist VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS =27A

Verlustleistung 4.The wird durch 150℃ Grenzschichttemperatur begrenzt

Daten 5.The sind theoretisch die selben, die IDand IDM, in den wirklichen Anwendungen, durch Gesamtleistungsableitung begrenzt werden sollte.

 

Aufmerksamkeit

 

1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.

2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.

3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.

4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.

5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.

6, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.

7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.

8, irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, sind abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.

 

Kontaktdaten
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Ansprechpartner: David

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