Startseite Produktemosfet-Leistungstransistor

AP30N10P Mosfet-Leistungstransistor für Motorsteuerung 30A 100V TO-220

Bescheinigung
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
China Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd zertifizierungen
Kunden-Berichte
wir Zusammenarbeit mit Hua Xuan Yang liegen an ihrem Professionalismus, ihre scharfe Antwort zur Kundenbezogenheit der Produkte, die wir benötigen, die Regelung unseres ganzes Bedarfs in großem Maße und vor allem Bereitstellung sie von den Qualitätsdienstleistungen.

—— -- Jason von Kanada

Unter der Empfehlung meines Freunds, kennen wir in Hua Xuan Yang, ein älterer Experte in Halbleiter und der Industrie der elektronischen Bauelemente aus, die uns ermöglicht, unsere kostbare Zeit und zu verringern, nicht Versuch hat riskieren muss andere Fabriken.

—— -- Виктор von Russland

Ich bin online Chat Jetzt

AP30N10P Mosfet-Leistungstransistor für Motorsteuerung 30A 100V TO-220

AP30N10P Mosfet-Leistungstransistor für Motorsteuerung 30A 100V TO-220
AP30N10P Mosfet-Leistungstransistor für Motorsteuerung 30A 100V TO-220 AP30N10P Mosfet-Leistungstransistor für Motorsteuerung 30A 100V TO-220 AP30N10P Mosfet-Leistungstransistor für Motorsteuerung 30A 100V TO-220

Großes Bild :  AP30N10P Mosfet-Leistungstransistor für Motorsteuerung 30A 100V TO-220

Produktdetails:
Herkunftsort: Shenzhen China
Markenname: Hua Xuan Yang
Zertifizierung: RoHS、SGS
Modellnummer: AP30N10P
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: Verhandlung
Preis: Negotiated
Verpackung Informationen: Geboxt
Lieferzeit: 1 - 2 Wochen
Zahlungsbedingungen: L/C T/T Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 18,000,000PCS/pro Tag

AP30N10P Mosfet-Leistungstransistor für Motorsteuerung 30A 100V TO-220

Beschreibung
Produktname: mosfet-Leistungstransistor Modell: AP30N10P
Satz: TO-220-3L Markierung: AP30P10P XXX YYYY
VDSDrain-Quellspannung: 100V VGSGate-Source Spannung: ±20V
Markieren:

n-Kanal mosfet-Transistor

,

Hochspannungstransistor

AP30N10P Mosfet-Leistungstransistor für Motorsteuerung 30A 100V TO-220

 

Mosfet-Leistungstransistor-Beschreibung:

 

Die moderne Grabentechnologie AP30N10P-Gebrauches
zu ausgezeichnetes RDS (AN), niedrige Torgebühr zur Verfügung stellen und
Operation mit den Torspannungen so niedrig wie 4.5V. Dieses
Gerät ist für Gebrauch als a passend
Batterieschutz oder in anderer Schaltungsanwendung.

 

Mosfet-Leistungstransistor-Eigenschaften

 

VDS = 100V IDENTIFIKATION = 30 A
RDS (AN) < 40m="">

 

Mosfet-Leistungstransistor-Anwendung

 

Batterieschutz
Lastsschalter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung

 

Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen

 

Produkt Identifikation Satz Markierung Menge (PCS)
AP30P10P TO-220-3L AP30P10P XXX YYYY 1000

 

Absolute Maximalleistungen (TC=25℃ wenn nicht anders vermerkt)

 

Symbol Parameter Veranschlagen Einheiten
VDS Abfluss-Quellspannung 100 V
VGS Tor-Sou rce Spannung ±20 V
ID@TC =25℃ Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 30 A
℃ ID@TC =100 Ununterbrochener Abfluss-Strom, V GS @ 10V 1 26 A
IDM Pulsierter Abfluss Current2 72 A
EAS Einzelimpuls-Lawinen-Energie 3 126 mJ
IAS Lawinen-Strom 13 A
℃ PD@TC =25 Gesamtleistung Dissipation4 125 W
TSTG Lagertemperaturbereich -55 bis 175
TJ Funktionierende Grenzschichttemperatur-Strecke -55 bis 175
RθJA Thermischer Widerstand Kreuzung-umgebendes 1 62 ℃/W
RθJC Thermischer Widerstand-Kreuzung-Fall 1 1,2 ℃/W

 

Elektrische Eigenschaften (TJ =25℃, wenn nicht anders vermerkt)

 

 

Symbol Parameter Bedingungen Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△ BVDSS/△TJ BVDSS-Temperatur-Koeffizient Hinweis auf 25℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃

 

RDS (AN)

 

Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand

VGS=10V, I D=16A --- 36 40

 

VGS=4.5V, I D=10A --- --- 50
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung   1,5 --- 2,5 V
△VGS (Th) Temperatur-Koeffizient VGS (Th) --- -5,52 --- mV/℃

 

IDSS

 

Abfluss-Quelldurchsickern-Strom

VDS=80V, VGS=0V, ℃ TJ=25 --- --- 10

 

MA

VDS=80V, VGS=0V, ℃ TJ=55 --- --- 100
IGSS Tor-Quelldurchsickern-Strom VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 Na
gfs Vorwärtstransconductance VDS=5V, ID=16A --- 30 --- S
Rg Tor-Widerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,6 ---  
Qg Gesamttor-Gebühr (10V)   --- 45,6 ---  
Qgs Tor-Quellgebühr --- 6,7 ---
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr --- 11,8 ---
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit

 

VDD=50V, VGS=10V,

RG=3.3

ID=10A

--- 12 ---

 

ns

Tr        
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit --- 42 ---
Tf Abfallzeit --- 13,4 ---
Ciss Input-Kapazitanz   --- 2270 ---  
Coss Ausgangskapazität --- 130 ---
Crss Rückübergangskapazitanz --- 90 ---
IST Ununterbrochener Quellstrom 1,5 VG=VD=0V, Kraft-Strom --- --- 36 A
VSD Diode schicken Voltage2 nach VGS=0V, IS=1A, ℃ TJ=25 --- --- 1,2 V
trr Rückgenesungszeit

IF=16A, dI/dt=100A/µs,

℃ TJ=25

--- 33 --- nS
Qrr Rückwiederaufnahme-Gebühr --- 28 --- nC
Symbol Parameter Bedingungen Min. Art. Maximum. Einheit
BVDSS Abfluss-Quelldurchbruchsspannung VGS=0V, ID=250uA 100 --- --- V
△ BVDSS/△TJ BVDSS-Temperatur-Koeffizient Hinweis auf 25℃, ID=1mA --- 0,098 --- V/℃

 

RDS (AN)

 

Statischer Abfluss-Quellauf-widerstand

VGS=10V, I D=16A --- 36 40

 

VGS=4.5V, I D=10A --- --- 50
VGS (Th) Tor-Schwellen-Spannung   1,5 --- 2,5 V
△VGS (Th) Temperatur-Koeffizient VGS (Th) --- -5,52 --- mV/℃

 

IDSS

 

Abfluss-Quelldurchsickern-Strom

VDS=80V, VGS=0V, ℃ TJ=25 --- --- 10

 

MA

VDS=80V, VGS=0V, ℃ TJ=55 --- --- 100
IGSS Tor-Quelldurchsickern-Strom VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 Na
gfs Vorwärtstransconductance VDS=5V, ID=16A --- 30 --- S
Rg Tor-Widerstand VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,6 ---  
Qg Gesamttor-Gebühr (10V)   --- 45,6 ---  
Qgs Tor-Quellgebühr --- 6,7 ---
Qgd Tor-Abfluss-Gebühr --- 11,8 ---
TD (an) Einschaltverzögerungs-Zeit

 

VDD=50V, VGS=10V,

RG=3.3

ID=10A

--- 12 ---

 

ns

Tr        
TD (weg) Abschaltverzögerungs-Zeit --- 42 ---
Tf Abfallzeit --- 13,4 ---
Ciss Input-Kapazitanz   --- 2270 ---  
Coss Ausgangskapazität --- 130 ---
Crss Rückübergangskapazitanz --- 90 ---
IST Ununterbrochener Quellstrom 1,5 VG=VD=0V, Kraft-Strom --- --- 36 A
VSD Diode schicken Voltage2 nach VGS=0V, IS=1A, ℃ TJ=25 --- --- 1,2 V
trr Rückgenesungszeit

IF=16A, dI/dt=100A/µs,

℃ TJ=25

--- 33 --- nS
Qrr Rückwiederaufnahme-Gebühr --- 28 --- nC

 

Aufmerksamkeit

 

1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.

2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.

3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.

4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.

5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.

6, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.

7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.

8, irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, sind abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.

 

Kontaktdaten
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd

Ansprechpartner: David

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)

Hinterlass eine Nachricht

Wir rufen Sie bald zurück!