|
Produktdetails:
|
| Produkt-Name: | Doppelmosfet-Schalter | Modell: | AP50N10D |
|---|---|---|---|
| Satz: | TO-252 | Markierung: | AP50N10D XXX YYYY |
| VDSDrain-Quellspannung: | 100V | VGSGate-Source Spannung: | ±20V |
| Markieren: | n-Kanal mosfet-Transistor,Hochspannungstransistor |
||
AP50N10D verdoppeln Transistor hohen Leistung der Mosfet-Schalter-/50A 100V TO-252
Doppelmosfet-Schalteranwendungen
Schalten Sie Modus-Stromversorgung (SMPS)
Wohn-, Handels-, Architektur- und Straßenbeleuchtung
DC-DC Konverter
Motorsteuerung
Automobilanwendungen
Doppelmosfet-Schalter-Beschreibung:
Die moderne Grabentechnologie AP50N10D-Gebrauches
zu ausgezeichnetes RDS (AN), niedrige Torgebühr zur Verfügung stellen und
Operation mit den Torspannungen so niedrig wie 4.5V.
Dieses Gerät ist für Gebrauch als a passend
Batterieschutz oder in anderer Schaltungsanwendung.
Doppelmosfet-Schalter-Eigenschaften
VDS = 100V IDENTIFIKATION =50A
RDS (AN) < 25m="">
Paket-Markierung und Einrichtungs-Informationen
| Produkt Identifikation | Satz | Markierung | Menge (PCS) |
| AP50N10D | TO-252 | AP50N10D XXX YYYY | 2500 |
Absolute Maximalleistungen (TC =25℃ wenn nicht anders vermerkt)
| Symbol | Parameter | Grenze | Einheit |
| VDS | Abfluss-Quellspannung | 100 | V |
| VGS | Tor-Quellspannung | ±20 | V |
| Identifikation | Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab | 50 | A |
| I (100℃) | Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab (TC=100℃) | 21 | A |
| IDM | Pulsierter Abfluss-Strom | 70 | A |
| PD | Höchstleistungs-Ableitung | 85 | W |
| Herabsetzen des Faktors | 0,57 | W/℃ | |
| EAS | Einzelimpulslawinenenergie (Anmerkung 5) | 256 | mJ |
| TJ, TSTG | Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich | -55 bis 175 | ℃ |
| RθJC | Thermischer Widerstand, Kreuzung-zu-Fall (Anmerkung 2) | 1,8 | ℃/W |
Elektrische Eigenschaften (TC =25℃ wenn nicht anders vermerkt)
| Symbol | Parameter | Bedingung | Minute | Art | Maximal | Einheit |
| BVDSS | Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | VGS=0V ID=250μA | 100 | - | V | |
| IDSS | Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| IGSS | Tor-Körper-Durchsickern-Strom | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | Na |
| VGS (Th) | Tor-Schwellen-Spannung | VDS=VGS, μA ID=250 | 1 | 3 | V | |
| RDS (AN) |
Abfluss-Quellein-zustand Widerstand |
VGS=10V, ID=20A | - | 24 | 28 | mΩ |
| RDS (AN) |
Abfluss-Quellein-zustand Widerstand |
VGS=4.5V, ID=10A | - | 28 | 30 | mΩ |
| gFS | Vorwärtstransconductance | VDS=5V, ID=10A | - | 15 | - | S |
| Clss | Input-Kapazitanz | VDS=25V, VGS=0V, F=1.0MHz |
- | 2000 | - | PF |
| Coss | Ausgangskapazität | - | 300 | - | PF | |
| Crss | Rückübergangskapazitanz | - | 250 | - | PF | |
| TD (an) | Einschaltverzögerungs-Zeit | VDD=50V, RL=5Ω VGS=10V, RGEN=3Ω |
- | 7 | - | nS |
|
r t |
Drehung-auf Anstiegszeit | - | 7 | - | nS | |
| TD (weg) | Abschaltverzögerungs-Zeit | - | 29 | - | nS | |
|
f t |
Drehungs--Wegabfallzeit | - | 7 | - | nS | |
| Qg | Gesamttor-Gebühr | VDS=50V, ID=10A, VGS=10V |
- | 39 | - | nC |
| Qgs | Tor-Quellgebühr | - | 8 | - | nC | |
| Qgd | Tor-Abfluss-Gebühr | - | 12 | - | nC | |
| VSD | Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) | VGS=0V, IS=20A | - | - | 1,2 | V |
|
S I |
Dioden-Vorwärtsstrom (Anmerkung 2) | - | - | - | 30 | A |
|
Eisenbahn t |
Rückgenesungszeit |
TJ = 25°C, WENN = 10A di/dt = 100A/μs (Note3) |
- | 32 | - | nS |
| Qrr | Rückwiederaufnahme-Gebühr | - | 53 | - | nC | |
| Tonne | Schicken Sie Drehung-auf Zeit nach |
Intrinsic Drehung-auf Zeit ist geringfügig (Drehung-auf wird vorbei vorgeherrscht LS+LD) |
||||
Anmerkungen:
1, sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
2, tauchen angebracht FR4 am Brett, t-≤ 10 sek auf.
3, Impuls-Test: Impuls-Breite ≤ 300 μs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
4, mit Absicht, nicht abhängig von garantiert Produktion
5, EAS-Zustand: Tj=25 ℃, VDD=50V, VG=10V, L=0.5mH, Rg=25Ω, IAS=32A
Aufmerksamkeit
1, irgendwelche und alle APM-Mikroelektronikprodukte hierin beschrieben oder enthalten haben nicht Spezifikationen, die Anwendungen behandeln können, die extrem hohe Stufen der Zuverlässigkeit, wie Systeme der lebenserhaltenden Maßnahmen, Kontrollsysteme des Flugzeuges oder andere Anwendungen erfordern, deren Ausfall angemessen erwartet werden kann, um ernsten körperlichen und/oder Sachschaden zu ergeben. Konsultieren Sie mit Ihrem APM-Mikroelektronikrepräsentativnächsten Sie vor der Anwendung irgendwelcher APM-Mikroelektronikprodukte, die hierin in solchen Anwendungen beschrieben werden oder enthalten sind.
2, APM-Mikroelektronik übernimmt keine Verantwortung für Geräteausfälle, die aus der Anwendung von Produkten an den Werten resultieren, die, sogar kurzzeitig, die Nennwerte (wie Maximalleistungen, erstreckt sich Betriebsbedingung, oder andere Parameter) aufgelistet in den Produktbeschreibungen von irgendwelchen übersteigen und von allen APM-Mikroelektronikprodukten, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind.
3, Spezifikationen von irgendwelchen und alle APM-Mikroelektronikprodukte beschrieben oder enthielten hier instipulate die Leistung, die Eigenschaften und die Funktionen der beschriebenen Produkte im unabhängigen Staat und sind nicht Garantien der Leistung, der Eigenschaften, und der Funktionen der beschriebenen Produkte, wie in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht. Um Symptome und Zustände zu überprüfen die nicht in ein unabhängiges Gerät ausgewertet werden können, sollte der Kunde immer auswerten und die Versuchseinrichtungen, die in des die Produkte oder in die Ausrüstung Kunden angebracht werden.
4, APM-Mikroelektronik-Halbleiter Co., Ltd. bemüht sich, Zuverlässigkeitsprodukte der hohen Qualität zu liefern hohe. Jedoch fallen irgendwelche und alle Halbleiterprodukte mit irgendeiner Wahrscheinlichkeit aus. Es ist möglich, dass diese Wahrscheinlichkeitsausfälle Unfälle oder Ereignisse verursachen konnten, die gefährden konnten Menschenleben, die Rauch oder Feuer verursachen konnten oder die Schaden anderen Eigentums verursachen konnten. Whendesigning-Ausrüstung, nehmen Sicherheitsmaßnahmen an, damit diese Arten von Unfällen oder von Ereignissen nicht auftreten können. Solche Maßnahmen umfassen, aber sind nicht auf Schutzschaltungen und Fehlerverhinderungsstromkreise für sicheren Entwurf, überflüssigen Entwurf und strukturellen Entwurf begrenzt.
5, im Falle, dass irgendwelche oder alle APM-Mikroelektronikprodukte (einschließlich technische Daten, Dienstleistungen) hierin beschrieben oder enthalten unter irgendwelchen der anwendbarer lokalen Ausfuhrkontrollegesetze und -regelungen kontrolliert sind, solche Produkte dürfen nicht exportiert werden, ohne die Ausfuhrgenehmigung zu erreichen von den Behörden, die in Übereinstimmung mit dem oben genannten Gesetz betroffen sind.
6, kein Teil dieser Veröffentlichung werden in jede mögliche Form reproduziert werden oder übertragen möglicherweise oder mit allen Mitteln, elektronisch oder mechanisch, einschließlich das Fotokopieren und das Notieren oder irgendein Informationsspeicherungs- oder Informations-Retrievalsystem oder andernfalls, ohne das vorherige schriftliches Einverständnis des APM-Mikroelektronik-Halbleiters Co., Ltd.
7, Informationen (einschließlich Schaltpläne und Stromkreisparameter) ist hierin zum Beispiel nur; es wird nicht für Massenproduktion garantiert. APM-Mikroelektronik glaubt, dass Informationen hierin genau und zuverlässig sind, aber keine Garantien betreffend seinen Gebrauch oder alle mögliche Verletzungen von Rechten am geistigen Eigentum oder anderen Rechten von Drittparteien gemacht oder bedeutet werden.
8, irgendwelche und alle Informationen, die hierin beschrieben werden oder enthalten sind, sind abhängig von der Änderung ohne vorherige Ankündigung wegen des Produktes/der Technologieverbesserung, etc. Wenn Sie Ausrüstung entwerfen, beziehen Sie sich die auf „Lieferbedingung“ für das APM-Mikroelektronikprodukt, das Sie beabsichtigen, zu benutzen.
Ansprechpartner: David
